基础半导体器件领域的专家Nexperia推出了用于自动化安全气囊应用的专用MOSFET (ASFET)新产品组合，重点发布的BUK9M20-60EL为单N沟道60 V、13 mOhm导通内阻、逻辑控制电平MOSFET，应用于LFPAK33封装。ASFET是专门为用于某一应用而设计并优化的MOSFET。此产品组合是Nexperia为电池隔离、电机控制、热插拔和以太网供电(PoE)应用提供的一系列ASFET中的最新产品。 BUK9M20-60EL采用Nexperia的新型增强安全工作区(SOA)技术
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Nexperia 自动安全气囊 MOSFET
安森美（onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON）在PCIM Europe展会发布全球首款To-Leadless（TOLL）封装的碳化硅（SiC）MOSFET。该晶体管满足了对适合高功率密度设计的高性能开关组件迅速增长的需求。直到最近，SiC组件一直采用明显需要更大空间的D2PAK 7接脚封装。TOLL封装的尺寸仅为9.90mm x 11.68mm，比D2PAK封装的PCB面积节省30％。而且，它的外形只有2.30mm，比D2PAK封装的体积小60％。除了更小尺寸之外，TOLL封装还提供比D2PAK 7接
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安森美 TOLL封装 碳化硅 MOSFET
英飞凌科技股份公司近日发布了一项全新的CoolSiC™技术，即CoolSiC™ MOSFET 1200 V M1H。这款先进的碳化硅（SiC）芯片用于颇受欢迎的Easy模块系列，以及采用基于.XT互连技术的分立式封装，具有非常广泛的产品组合。M1H芯片具有很高的灵活性，适用于必须满足峰值电力需求的太阳能系统，如光伏逆变器。同时，这款芯片也是电动汽车快充、储能系统和其他工业应用的理想选择。CoolSiC技术取得的最新进展使得栅极驱动电压窗口明显增大，从而降低了既定芯片面积下的导通电阻。与此同时，随着栅极运行
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SiC 太阳能 MOSFET
1、放大电路场效应管具有输入阻抗高、低噪声等特点，因此经常作为多级放大电流的输入级，与三极管一样，根据输入、输出回路公共端选择不同，将场效应管放电电路分为共源、公漏、共栅三种状态，如下图是场效应管共源放大电路，其中：Rg是栅极电阻，将Rs压降加至栅极；Rd是漏极电阻，将漏极电流转换成漏极电压，并影响放大倍数Au；Rs是源极电阻，为栅极提供偏压；C3是旁路电容，消除Rs对交流信号的衰减。2、电流源电路恒流源在计量测试应用很广泛，如下图是主要是由场效应管组成的恒流源电路，这是可作为磁电式仪表调标尺工序。由于场
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MOSFET MOS 场效应管
一、什么是开关电源开关模式电源（SwitchModePowerSupply，简称SMPS），又称交换式电源、开关变换器，是一种高频化电能转换装置，是电源供应器的一种。其功能是将一个位准的电压，透过不同形式的架构转换为用户端所需求的电压或电流。开关电源的输入多半是交流电源（例如市电）或是直流电源，而输出多半是需要直流电源的设备，例如个人电脑，而开关电源就进行两者之间电压及电流的转换。二、开关损耗开关损耗包括导通损耗和截止损耗。1、导通损耗指功率管从截止到导通时,所产生的功率损耗。截止损耗指功率管从导通到截止
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开关电源 MOS MOSFET
摘要传统上，过流保护使用的是保险丝。但是，保险丝体积庞大，响应速度慢，跳闸电流公差大，需要在一次或几次跳闸后更换。本文介绍一种外形紧凑、纤薄、响应速度快的10 A电子保险丝，它没有上述这些无源保险丝缺点。电子保险丝可在高达48 V的DC电源轨上提供过流保护。简介为了尽量减少由电气故障引起的系统停机时间，使用率高的电源或全年无休的系统需要在供电板上增加过载和短路保护。当电源为多个子系统或板（例如RF功率放大器阵列或基于背板的服务器和路由器）供电时，必须为电源提供过流保护。快速断开发生故障的子系统与共享电源总
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MOSFET
全球变暖是人类面临的最大挑战。全球科学家已达成共识，必须将温室气体排放足迹减少到 2000 年的水平，将全球气温上升限制在 1.5oC 以下，才能拥有一个可持续发展的未来。要实现面向未来的可持续能源网络，绿色转型势在必行，下一代能源基础设施必须对环境有利。安森美认为下一代能源网络将主要基于太阳能和风能等可再生能源，并结合能源储存的能力。此外，我们认为能耗必须向电动汽车 (EV) 等高效和零排放的负载迁移，以实现可行且可持续的能源网络。图1 21世纪能源网络无论是太阳能、风能和储能等可再生能源，还是电动汽车
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MOSFET
可穿戴设备广泛用于娱乐、运动和医疗健康等领域，作为把多媒体、传感器和无线通信等技术嵌入人们的衣着或配件的设备，可支持手势和眼动操作等多种交互方式。作为消费电子业面临的又一个新发展机遇，可穿戴设备经历了前些年从概念火爆到实际产品大量普及的过程之后，行业前景一直稳步成长。据统计，2019年全球可穿戴技术产品市场的规模超过了500亿美元，是2014年的2倍以上，可以说可穿戴设备已成为过去5年来消费电子领域最成功的市场之一。1 市场需求持续爆发虽然2020年全球经历了严重的新冠疫情影响，部
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202009 MOSFET
电网提供的电能是交流电，但我们使用的大多数设备都需要直流电，这意味着进行这种转换的交流/ 直流电源是能源网上最常见的负载之一。随着世界关注能效以保护环境并管理运营成本，这些电源的高效运行变得越来越重要。效率作为输入功率与供给负载的功率之间的比率衡量，很容易理解。但是，输入功率因数也有很大的影响。功率因数(PF) 描述了任何交流电设备（包括电源）消耗的有用（真实）功率与总（视在）功率(kVA) 之间的比值。PF 衡量消耗的电能转换为有用功输出的有效性。如果负载是纯阻性负载，PF 将等于1，但任何负载内的无功
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202204 MOSFET 无桥图腾柱 功率因数校正控制器
提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货英飞凌的XENSIV™ PAS CO2二氧化碳传感器。该产品基于光声光谱学 (PAS) 原理，采用高灵敏度MEMS麦克风检测传感器腔内CO2分子产生的压力变化。这种检测方式可以显著减小CO2传感器的尺寸，与市面上其他CO2传感器相比，可以在最终产品中节省超过75%的空间。贸泽电子分销的英飞凌XENSIV PAS CO2传感器集成了光声传感器（包含检测器、红外源和光学滤波器）、用
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贸泽电子 英飞凌 XENSIV PAS CO2传感器 MOSFET
4月8日消息，扬杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET产品，采用先进的SGT (Shield Gate Trench MOSFET) 制程工艺，针对电机驱动、BMS等应用设计，优化BVdss、Rdson、Qg等参数性能同时，提升MOSFET抗冲击电流能力。N80V-N85V系列MOSFET产品具有TO-220、TO-263、TO-252、PDFN5060等多种封装形式可以选择。广泛应用于电池管理系统、储能系统、逆变电源系统、电机驱动系统、电源管理系统等，是其核
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MOSFET 杨杰科技
MOSFET、IGBT是开关电源最核心也是最容易烧坏的器件！其原因大多是过压或过流导致功耗大增，从而使器件损坏，甚至可能会伴随爆炸。而SOA安全工作区测试，就是保障其安全工作的重要测试项目！
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MOSFET ZLG
最近，瑞森研发部对功率MOSFET的技术进行了更新换代，这种技术改变了MOSFET内部电场的形态，将传统的三角形电场进一步的变更为类似压缩的梯形电场，可以进一步减小EPI层的厚度，降低导通电阻Rds(on)。
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MOSFET 瑞森
该文描述了引起功率MOSFET发生寄生导通的机制，并进一步指出为了避免寄生导通，在选取MOSFET时应遵循什么准则。
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MOSFET 英飞凌
在开关电源电路中，MOSFET作为最核心的器件，却也是最容易发热烧毁的，那么MOSFET到底承受了什么导致发热呢？本文来带你具体分析。MOSFET工作原理什么是MOSFET？MOSFET是全称为Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金属氧化物半导体场效应晶体管的半导体。它可分为NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型通常称P沟道型。如图1所示，对于N沟道型的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管，如图2所
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MOSFET ZLG
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