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东芝支持功能安全的车载无刷电机预驱IC的样品出货即将开始
- 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,已开始供应“TB9083FTG”的测试样品,这是一种面向汽车应用的预驱IC(其中包括电动转向助力系统和电气制动器使用的无刷电机)。东芝将在2022年1月提供最终样品,并将在2022年12月开始量产。TB9083FTG是一种3相预驱IC,能够控制和驱动用于驱动3相直流无刷电机的外置N沟道功率MOSFET。该产品支持ASIL-D[1]功能安全规范[2]且符合ISO 26262标准第二版的要求,适用于高安全级别的汽车系统。这种新型IC内置三通道预驱,用于控制和
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Vishay SiC45x系列microBUCK同步降压稳压器荣获21IC 2021年度Top 10电源产品奖
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其Vishay Siliconix SiC45x系列microBUCK®同步降压稳压器被《21IC中国电子网》评为2021年度Top 10电源产品奖获奖产品。这款稳压器采用PowerPAK® 5 mm x 7 mm小型封装,以其高达40 A的额定输出电流,优于前代稳压器的功率密度和瞬变响应能力受到表彰。Top 10电源产品奖已连续举办十九届,成为业内创新电源产品的标志性奖项。获奖产品由工程师投票,经21IC编委会综合技术创新、能效、应用开
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双脉冲测试基础系列:基本原理和应用
- 编者按双脉冲是分析功率开关器件动态特性的基础实验方法,贯穿器件的研发,应用和驱动保护电路的设计。合理采用双脉冲测试平台,你可以在系统设计中从容的调试驱动电路,优化动态过程,验证短路保护。双脉冲测试基础系列文章包括基本原理和应用,对电压电流探头要求和影响测试结果的因素等。为什么要进行双脉冲测试?在以前甚至是今天,许多使用IGBT或者MOSFET做逆变器的工程师是不做双脉冲实验的,而是直接在标定的工况下跑看能否达到设计的功率。这样的测试确实很必要,但是往往这样看不出具体的开关损耗,电压或者电流的尖峰情况,以及
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基于NCL35076或NCL30076的高能效、高精度、高可靠性的可调光LED照明降压方案
- 本文主要介绍安森美 (onsemi)的基于NCL35076连续导通模式 (CCM) DC-DC 降压控制器的75 W方案和基于NCL30076准谐振(QR)降压控制器的100 W及240 W方案。两款方案的典型应用是LED照明系统、模拟/PWM可调光LED驱动器,模拟调光范围宽,从1%到100%。安森美专有的LED电流计算技术和内部检测及反馈放大器的零输入电压偏移,在整个模拟调光范围内进行精确的稳流,稳流精度在满载时<±2%,在1%的负载时<±20%。卓越的调光特性可根据负载情况在CCM (N
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面向工业环境的大功率无线电力传输技术
- 1. 简介随着无线电力传输技术在消费类电子产品中的日益普及,工业和医疗行业也把关注焦点转移至这项技术及其固有优势。在如 WLAN 和蓝牙(Bluetooth)等各项无线技术的推动下,通信接口日益向无线化发展,无线电力传输技术也成为一种相应的选择。采用一些全新的方案,不仅能带来明显的技术优势,还能为新的工业设计开辟更多可能性。这项技术提供了许多新的概念,特别是在需要对抗腐蚀性清洁剂、严重污染和高机械应力等恶劣环境的工业领域,例如 ATEX、医药、建筑机械等。比如,它可以替代昂贵且易损
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仿真看世界之SiC MOSFET单管的并联均流特性
- 开篇前言关于SiC MOSFET的并联问题,英飞凌已陆续推出了很多技术资料,帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境,分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。特别提醒仿真无法替代实验,仅供参考。1、选取仿真研究对象SiC MOSFETIMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO247-4pin、两并联Driver IC1EDI40I12AF、单通道、磁隔离、驱动电流±4A(min)2、仿真电路Setup如图1所示,基于双脉冲的思路,搭建双管并
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罗姆即将亮相2021 PCIM Asia深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会
- 全球知名半导体制造商罗姆将于2021年9月9日~11日参加在深圳国际会展中心举办的PCIM Asia 2021深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会(展位号:11号馆B39),届时将展示面向工业设备和汽车领域的、以世界先进的SiC(碳化硅)元器件为核心的产品及电源解决方案。同时,罗姆工程师还将在现场举办的“SiC/GaN功率器件技术与应用分析大会”以及“电动交通论坛”等同期论坛上发表演讲,分享罗姆最新的碳化硅技术成果。展位效果图罗姆拥有世界先进的SiC为核心的功率元器件技术,以及充分发挥其性能的控制IC和
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了解热阻在系统层级的影响
- 在电阻方面,电流流动的原理可以比作热从热物体流向冷物体时遇到的阻力。每种材料及其接口都有一个热阻,可以用这些数字来计算从源头带走热的速率。在整合式装置中,半导体接面是产生热的来源,允许接面超过其最大操作温度将导致严重故障。整合式装置制造商虽使用一些技术来设计保护措施,以避免发生过热关机等情况,但不可避免的是仍会造成损坏。一个更好的解决方案,就是在设计上选择抑制 (或至少限制) 会造成接面温度超过其操作最大值的情况。由于无法直接强制冷却接面温度,透过传导来进行散热是确保不会超过温度的唯一方法。工程师需要在这
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碳化硅迈入新时代 ST 25年研发突破技术挑战
- 1996年,ST开始与卡塔尼亚大学合作研发碳化硅(SiC),今天,SiC正在彻底改变电动汽车。为了庆祝ST研发SiC 25周年,我们决定探讨 SiC在当今半导体行业中所扮演的角色,ST的碳化硅研发是如何取得成功的,以及未来发展方向。Exawatt的一项研究指出,到2030年, 70%的乘用车将采用SiC MOSFET。这项技术也正在改变其他市场,例如,太阳能逆变器、储能系统、服务器电源、充电站等。因此,了解SiC过去25年的发展历程是极其重要的,对今天和明天的工程师大有裨益。碳化硅:半导体行业如何克服技术
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Maxim Integrated发布来自Trinamic子品牌的3相MOSFET栅极驱动器,可最大程度地延长电池寿命并将元件数量减半
- TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG (Maxim Integrated Products, Inc子公司)近日宣布推出完全集成的TMC6140-LA 3相MOSFET栅极驱动器,有效简化无刷直流(DC)电机驱动设计,并最大程度地延长电池寿命。TMC6140-LA 3相MOSFET栅极驱动器为每相集成了低边检流放大器,构成完备的电机驱动方案;与同类产品相比元件数量减半,且电源效率提高30%,大幅简化设计。TMC6140-LA针对较宽的电压范围进行性
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