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利用氮化镓芯片组实现高效率、超紧凑的反激式电源
- 目前市面上出现了一个新的芯片组,它由具有耐用的750V氮化镓(GaN)初级侧开关的反激式IC方案与创新的高频有源钳位方案组合而成,能够为手机、平板电脑和笔记本电脑设计出额定功率高达110W的新型超紧凑充电器。此芯片组来自Power Integrations,包含内部集成PowiGaN™开关的InnoSwitch™4-CZ零电压开关(ZVS)反激式控制器和提供有源钳位解决方案的ClampZero™产品系列。这些新IC可用于设计效率高达95%且在不同输入电压条件下保持恒定的反激式电源。这种InnoSwitch
- 关键字: MOSFET
如何选择合适的电路保护
- 问题:有什么有源电路保护方案可以取代TVS二极管和保险丝?答案:可以试试浪涌抑制器。摘要所有行业的制造商都在不断推动提升高端性能,同时试图在此类创新与成熟可靠的解决方案之间达成平衡。设计人员面临着平衡设计复杂性、可靠性和成本这一困难任务。以一个电子保护子系统为例,受其特性限制,无法进行创新。这些系统保护敏感且成本高昂的下游电子器件(FPGA、ASIC和微处理器),这些器件都要求保证零故障。许多传统的可靠保护解决方案(例如二极管、保险丝和TVS器件)能够保持待保护状态,但它们通常低效、体积庞大且需要维护。为
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东芝支持功能安全的车载无刷电机预驱IC的样品出货即将开始
- 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,已开始供应“TB9083FTG”的测试样品,这是一种面向汽车应用的预驱IC(其中包括电动转向助力系统和电气制动器使用的无刷电机)。东芝将在2022年1月提供最终样品,并将在2022年12月开始量产。TB9083FTG是一种3相预驱IC,能够控制和驱动用于驱动3相直流无刷电机的外置N沟道功率MOSFET。该产品支持ASIL-D[1]功能安全规范[2]且符合ISO 26262标准第二版的要求,适用于高安全级别的汽车系统。这种新型IC内置三通道预驱,用于控制和
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Vishay SiC45x系列microBUCK同步降压稳压器荣获21IC 2021年度Top 10电源产品奖
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其Vishay Siliconix SiC45x系列microBUCK®同步降压稳压器被《21IC中国电子网》评为2021年度Top 10电源产品奖获奖产品。这款稳压器采用PowerPAK® 5 mm x 7 mm小型封装,以其高达40 A的额定输出电流,优于前代稳压器的功率密度和瞬变响应能力受到表彰。Top 10电源产品奖已连续举办十九届,成为业内创新电源产品的标志性奖项。获奖产品由工程师投票,经21IC编委会综合技术创新、能效、应用开
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双脉冲测试基础系列:基本原理和应用
- 编者按双脉冲是分析功率开关器件动态特性的基础实验方法,贯穿器件的研发,应用和驱动保护电路的设计。合理采用双脉冲测试平台,你可以在系统设计中从容的调试驱动电路,优化动态过程,验证短路保护。双脉冲测试基础系列文章包括基本原理和应用,对电压电流探头要求和影响测试结果的因素等。为什么要进行双脉冲测试?在以前甚至是今天,许多使用IGBT或者MOSFET做逆变器的工程师是不做双脉冲实验的,而是直接在标定的工况下跑看能否达到设计的功率。这样的测试确实很必要,但是往往这样看不出具体的开关损耗,电压或者电流的尖峰情况,以及
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基于NCL35076或NCL30076的高能效、高精度、高可靠性的可调光LED照明降压方案
- 本文主要介绍安森美 (onsemi)的基于NCL35076连续导通模式 (CCM) DC-DC 降压控制器的75 W方案和基于NCL30076准谐振(QR)降压控制器的100 W及240 W方案。两款方案的典型应用是LED照明系统、模拟/PWM可调光LED驱动器,模拟调光范围宽,从1%到100%。安森美专有的LED电流计算技术和内部检测及反馈放大器的零输入电压偏移,在整个模拟调光范围内进行精确的稳流,稳流精度在满载时<±2%,在1%的负载时<±20%。卓越的调光特性可根据负载情况在CCM (N
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面向工业环境的大功率无线电力传输技术
- 1. 简介随着无线电力传输技术在消费类电子产品中的日益普及,工业和医疗行业也把关注焦点转移至这项技术及其固有优势。在如 WLAN 和蓝牙(Bluetooth)等各项无线技术的推动下,通信接口日益向无线化发展,无线电力传输技术也成为一种相应的选择。采用一些全新的方案,不仅能带来明显的技术优势,还能为新的工业设计开辟更多可能性。这项技术提供了许多新的概念,特别是在需要对抗腐蚀性清洁剂、严重污染和高机械应力等恶劣环境的工业领域,例如 ATEX、医药、建筑机械等。比如,它可以替代昂贵且易损
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仿真看世界之SiC MOSFET单管的并联均流特性
- 开篇前言关于SiC MOSFET的并联问题,英飞凌已陆续推出了很多技术资料,帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境,分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。特别提醒仿真无法替代实验,仅供参考。1、选取仿真研究对象SiC MOSFETIMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO247-4pin、两并联Driver IC1EDI40I12AF、单通道、磁隔离、驱动电流±4A(min)2、仿真电路Setup如图1所示,基于双脉冲的思路,搭建双管并
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罗姆即将亮相2021 PCIM Asia深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会
- 全球知名半导体制造商罗姆将于2021年9月9日~11日参加在深圳国际会展中心举办的PCIM Asia 2021深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会(展位号:11号馆B39),届时将展示面向工业设备和汽车领域的、以世界先进的SiC(碳化硅)元器件为核心的产品及电源解决方案。同时,罗姆工程师还将在现场举办的“SiC/GaN功率器件技术与应用分析大会”以及“电动交通论坛”等同期论坛上发表演讲,分享罗姆最新的碳化硅技术成果。展位效果图罗姆拥有世界先进的SiC为核心的功率元器件技术,以及充分发挥其性能的控制IC和
- 关键字: MOSFET
了解热阻在系统层级的影响
- 在电阻方面,电流流动的原理可以比作热从热物体流向冷物体时遇到的阻力。每种材料及其接口都有一个热阻,可以用这些数字来计算从源头带走热的速率。在整合式装置中,半导体接面是产生热的来源,允许接面超过其最大操作温度将导致严重故障。整合式装置制造商虽使用一些技术来设计保护措施,以避免发生过热关机等情况,但不可避免的是仍会造成损坏。一个更好的解决方案,就是在设计上选择抑制 (或至少限制) 会造成接面温度超过其操作最大值的情况。由于无法直接强制冷却接面温度,透过传导来进行散热是确保不会超过温度的唯一方法。工程师需要在这
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