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jfet-mosfet 文章 进入jfet-mosfet技术社区

利用氮化镓芯片组实现高效率、超紧凑的反激式电源

  • 目前市面上出现了一个新的芯片组,它由具有耐用的750V氮化镓(GaN)初级侧开关的反激式IC方案与创新的高频有源钳位方案组合而成,能够为手机、平板电脑和笔记本电脑设计出额定功率高达110W的新型超紧凑充电器。此芯片组来自Power Integrations,包含内部集成PowiGaN™开关的InnoSwitch™4-CZ零电压开关(ZVS)反激式控制器和提供有源钳位解决方案的ClampZero™产品系列。这些新IC可用于设计效率高达95%且在不同输入电压条件下保持恒定的反激式电源。这种InnoSwitch
  • 关键字: MOSFET  

如何选择合适的电路保护

  • 问题:有什么有源电路保护方案可以取代TVS二极管和保险丝?答案:可以试试浪涌抑制器。摘要所有行业的制造商都在不断推动提升高端性能,同时试图在此类创新与成熟可靠的解决方案之间达成平衡。设计人员面临着平衡设计复杂性、可靠性和成本这一困难任务。以一个电子保护子系统为例,受其特性限制,无法进行创新。这些系统保护敏感且成本高昂的下游电子器件(FPGA、ASIC和微处理器),这些器件都要求保证零故障。许多传统的可靠保护解决方案(例如二极管、保险丝和TVS器件)能够保持待保护状态,但它们通常低效、体积庞大且需要维护。为
  • 关键字: MOSFET  

碳化硅在新能源汽车中的应用现状与导入路径

  • 碳化硅具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特点,可以很好地满足新能源汽车电动化发展趋势,引领和加速了汽车电动化进程,对新能源汽车发展具有重要意义。我国新能源汽车正处于市场导入期到产业成长期过渡的关键阶段,汽车产销量、保有量连续6年居世界首位,在全球产业体系当中占了举足轻重的地位。新能源汽车产业的飞速发展,极大地推动了碳化硅产业发展与技术创新,为碳化硅产品的技术验证和更新迭代提供了大量数据样本。
  • 关键字: 碳化硅  新能源汽车  功率半导体  202110  MOSFET  SiC  

东芝支持功能安全的车载无刷电机预驱IC的样品出货即将开始

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,已开始供应“TB9083FTG”的测试样品,这是一种面向汽车应用的预驱IC(其中包括电动转向助力系统和电气制动器使用的无刷电机)。东芝将在2022年1月提供最终样品,并将在2022年12月开始量产。TB9083FTG是一种3相预驱IC,能够控制和驱动用于驱动3相直流无刷电机的外置N沟道功率MOSFET。该产品支持ASIL-D[1]功能安全规范[2]且符合ISO 26262标准第二版的要求,适用于高安全级别的汽车系统。这种新型IC内置三通道预驱,用于控制和
  • 关键字: MOSFET  

Vishay SiC45x系列microBUCK同步降压稳压器荣获21IC 2021年度Top 10电源产品奖

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其Vishay Siliconix SiC45x系列microBUCK®同步降压稳压器被《21IC中国电子网》评为2021年度Top 10电源产品奖获奖产品。这款稳压器采用PowerPAK® 5 mm x 7 mm小型封装,以其高达40 A的额定输出电流,优于前代稳压器的功率密度和瞬变响应能力受到表彰。Top 10电源产品奖已连续举办十九届,成为业内创新电源产品的标志性奖项。获奖产品由工程师投票,经21IC编委会综合技术创新、能效、应用开
  • 关键字: MOSFET  

双脉冲测试基础系列:基本原理和应用

  • 编者按双脉冲是分析功率开关器件动态特性的基础实验方法,贯穿器件的研发,应用和驱动保护电路的设计。合理采用双脉冲测试平台,你可以在系统设计中从容的调试驱动电路,优化动态过程,验证短路保护。双脉冲测试基础系列文章包括基本原理和应用,对电压电流探头要求和影响测试结果的因素等。为什么要进行双脉冲测试?在以前甚至是今天,许多使用IGBT或者MOSFET做逆变器的工程师是不做双脉冲实验的,而是直接在标定的工况下跑看能否达到设计的功率。这样的测试确实很必要,但是往往这样看不出具体的开关损耗,电压或者电流的尖峰情况,以及
  • 关键字: MOSFET  

基于NCL35076或NCL30076的高能效、高精度、高可靠性的可调光LED照明降压方案

  • 本文主要介绍安森美 (onsemi)的基于NCL35076连续导通模式 (CCM) DC-DC 降压控制器的75 W方案和基于NCL30076准谐振(QR)降压控制器的100 W及240 W方案。两款方案的典型应用是LED照明系统、模拟/PWM可调光LED驱动器,模拟调光范围宽,从1%到100%。安森美专有的LED电流计算技术和内部检测及反馈放大器的零输入电压偏移,在整个模拟调光范围内进行精确的稳流,稳流精度在满载时<±2%,在1%的负载时<±20%。卓越的调光特性可根据负载情况在CCM (N
  • 关键字: MOSFET  

Microchip首款碳化硅MOSFET 可降低50%开关损耗

  • 随着对电动公共汽车和其他电气化重型运输车辆的需求增加,以满足更低的碳排放目标,基于碳化硅的电源管理解决方案正在为此类运输系统提供更高效率。为了进一步扩充其广泛的碳化硅MOSFET分离式和模块产品组合,Microchip推出一款全新 ”生产就绪”的1200V数字栅极驱动器,为系统开发人员提供多层级的控制和保护,以实现安全、可靠的运输并满足严格的行业要求。 Microchip推出首款碳化硅MOSFET数字栅极驱动器,可降低50%开关损耗对于碳化硅电源转换设备的设计人员来说,Microchip的Agi
  • 关键字: Microchip  碳化硅  MOSFET  

双极结型晶体管——MOSFET的挑战者

  • 0   引言数字开关通常使用MOSFET 来创建,但是对于低饱和电压的开关模型,双极结型晶体管已成为不容忽视的替代方案。对于低电压和低电流的应用,它们不仅可以提供出色的电流放大效果,还具有成本优势(图1)。图1 双极结型晶体管可为移动设备提供更长的使用寿命 图源:IB Photography/Shutterstock在负载开关应用中,晶体管需要精确地放大基极电流,使输出电压接近零,以便仅测量晶体管的饱和电压。MOSFET 通常用于这项用途,因为它们不需要任何底层控制器作为电压控制组件。
  • 关键字: MOSFET  202109  

使用无刷直流电机加速设计周期的3种方法

  • 全球都在致力降低功耗,且势头愈来愈烈。许多国家/地区都要求家用电器(如图 1 所示)满足相关组织(如中国标准化研究院 (CNIS)、美国能源之星和德国蓝天使)制定的效率标准。为了满足这些标准,越来越多的系统设计人员在设计中放弃了简单且易用的单相交流感应电机,转而采用更节能的低压无刷直流 (BLDC) 电机。为了实现更长的使用寿命和更低的运行噪音,扫地机器人等小型家电的设计人员也转而在他们的许多系统中使用更先进的 BLDC 电机。同时,永磁技术的进步正不断简化 BLDC 电机的制造,在提供相同扭矩(负载)的
  • 关键字: MOSFET  BLDC  

面向工业环境的大功率无线电力传输技术

  • 1.   简介随着无线电力传输技术在消费类电子产品中的日益普及,工业和医疗行业也把关注焦点转移至这项技术及其固有优势。在如 WLAN 和蓝牙(Bluetooth)等各项无线技术的推动下,通信接口日益向无线化发展,无线电力传输技术也成为一种相应的选择。采用一些全新的方案,不仅能带来明显的技术优势,还能为新的工业设计开辟更多可能性。这项技术提供了许多新的概念,特别是在需要对抗腐蚀性清洁剂、严重污染和高机械应力等恶劣环境的工业领域,例如 ATEX、医药、建筑机械等。比如,它可以替代昂贵且易损
  • 关键字: MOSFET  

仿真看世界之SiC MOSFET单管的并联均流特性

  • 开篇前言关于SiC MOSFET的并联问题,英飞凌已陆续推出了很多技术资料,帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境,分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。特别提醒仿真无法替代实验,仅供参考。1、选取仿真研究对象SiC MOSFETIMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO247-4pin、两并联Driver IC1EDI40I12AF、单通道、磁隔离、驱动电流±4A(min)2、仿真电路Setup如图1所示,基于双脉冲的思路,搭建双管并
  • 关键字: MOSFET  

功率半导体IGBT失效分析与可靠性研究

  • 高端变频空调在实际应用中出现大量外机不工作,经过大量失效主板分析确认是主动式PFC电路中IGBT击穿失效,本文结合大量失效品分析与电路设计分析,对IGBT失效原因及失效机理分析,分析结果表明:经过对IGBT失效分析及IGBT工作电路失效分析及整机相关波形检测、热设计分析、IGBT极限参数检测对比发现IGBT失效由多种原因导致,IGBT在器件选型、器件可靠性、闩锁效应、驱动控制、ESD能力等方面存在不足,逐一分析论证后从IGBT本身及电路设计方面全部提升IGBT工作可靠性。
  • 关键字: 主动式PFC升压电路  IGBT  SOA  闩锁效应  ESD  热击穿失效  202108  MOSFET  

罗姆即将亮相2021 PCIM Asia深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会

  • 全球知名半导体制造商罗姆将于2021年9月9日~11日参加在深圳国际会展中心举办的PCIM Asia 2021深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会(展位号:11号馆B39),届时将展示面向工业设备和汽车领域的、以世界先进的SiC(碳化硅)元器件为核心的产品及电源解决方案。同时,罗姆工程师还将在现场举办的“SiC/GaN功率器件技术与应用分析大会”以及“电动交通论坛”等同期论坛上发表演讲,分享罗姆最新的碳化硅技术成果。展位效果图罗姆拥有世界先进的SiC为核心的功率元器件技术,以及充分发挥其性能的控制IC和
  • 关键字: MOSFET  

了解热阻在系统层级的影响

  • 在电阻方面,电流流动的原理可以比作热从热物体流向冷物体时遇到的阻力。每种材料及其接口都有一个热阻,可以用这些数字来计算从源头带走热的速率。在整合式装置中,半导体接面是产生热的来源,允许接面超过其最大操作温度将导致严重故障。整合式装置制造商虽使用一些技术来设计保护措施,以避免发生过热关机等情况,但不可避免的是仍会造成损坏。一个更好的解决方案,就是在设计上选择抑制 (或至少限制) 会造成接面温度超过其操作最大值的情况。由于无法直接强制冷却接面温度,透过传导来进行散热是确保不会超过温度的唯一方法。工程师需要在这
  • 关键字: MOSFET  
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