无论是调整座椅至最佳位置还是能够轻松打开行李箱，车身电子设备系统都可使用电机来提高驾乘人员的舒适性和便利性。金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）控制这些应用的电动装置。但将MOSFET用作开关给电子控制模块设计（包括电磁干扰（EMI）和热管理、电流感应、断电制动以及诊断与保护）带来了新的技术性挑战。德州仪器开发的集成电路（IC）电机驱动器产品集成了模拟功能，可帮助电子控制模块设计人员应对这些挑战，同时减小解决方案尺寸并缩短开发时间。本文中，我们将讨论可帮助应对这些设计挑战、集成到电机驱动集成电路中
关键字：
MOSFET
要有（电）灯！但谁负责点亮呢？有许多人声称自己是电灯的发明者，在19世纪中叶的许多发展为世界变得更亮一点铺平了道路。我们可能无法查明确切的“发现”！但我们知道的是，1879年，托马斯·爱迪生（Thomas Edison）申请了第一个商业上成功的带有碳化竹丝的电灯泡专利[[1]]。除了细丝材料的微小改进，包括20世纪初期从碳到钨的转变，我们从那时起直到最近基本上一直在使用爱迪生的古老技术。白炽灯泡迅速普及，提供了低成本和高质量的照明。但在过去的一二十年中，照明技术发生了根本性的变化，在大多数住宅和商业设施中
关键字：
MOSFET
中国化合物半导体全产业链制造平台 -- 三安集成于日前宣布，已经完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造。首发1200V 80mΩ产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试，其可广泛适用于光伏逆变器、开关电源、脉冲电源、高压DC/DC、新能源充电和电机驱动等应用领域，有助于减小系统体积，降低系统功耗，提升电源系统功率密度。目前多家客户处于样品测试阶段。三安集成碳化硅MOSFET, Sanan IC SiC MOSFET, Sanan IC Silicon Carbide MOSFET随着中
关键字：
三安集成 碳化硅 MOSFET
开关稳压器使用占空比来实现电压或电流反馈控制。占空比是指导通时间(TON)与整个周期时长（关断时间(TOFF)加上导通时间）之比，定义了输入电压和输出电压之间的简单关系。更准确的计算可能还需要考虑其他因素，但在以下这些说明中，这些并不是决定性因素。开关稳压器的占空比由各自的开关稳压器拓扑决定。降压型（降压）转换器具有占空比D，D = 输出电压/输入电压，如图1所示。对于升压型（升压）转换器，占空比D = 1 –（输入电压/输出电压）。这些关系仅适用于连续导通模式(CCM)。在这个模式下，电感电流在时间段T
关键字：
CCM TON MOSFET
大规模数据中心、企业服务器或电信交换站使得功耗快速增长，因此高效AC/DC电源对于电信和数据通信基础设施的发展至关重要。但是，电力电子行业中的硅MOSFET已达到其理论极限。同时，近来氮化镓(GaN)晶体管已成为能够取代硅基MOSFET的高性能开关，从而可提高能源转换效率和密度。为了发挥GaN晶体管的优势，需要一种具有新规格要求的新隔离方案。GaN晶体管的开关速度比硅MOSFET要快得多，并可降低开关损耗，原因在于：■ 较低的漏源极导通电阻(RDS(ON))可实现更高的电流操作，从
关键字：
MOSFET
开关频率优化一般来讲，开关频率越高，输出滤波器元件L和CO的尺寸越小。因此，可减小电源的尺寸，降低其成本。带宽更高也可以改进负载瞬态响应。但是，开关频率更高也意味着与交流相关的功率损耗更高，这需要更大的电路板空间或散热器来限制热应力。目前，对于 ≥10A的输出电流应用，大多数降压型电源的工作频率范围为100kHz至1MHz ~ 2MHz。 对于<10A的负载电流，开关频率可高达几MHz。每个设计的最优频率都是通过仔细权衡尺寸、成本、效率和其他性能参数实现的。输出电感选择在同步降压转换器中，电感峰峰值
关键字：
MOSFET DCE ESR MLCC
增强型硅基氮化镓（eGaN）功率场效应晶体管和集成电路的全球领导厂商宜普电源转换公司（EPC）最新推出的两款100 V eGaN FET（EPC2218及EPC2204），性能更高并且成本更低，可立即发货。采用这些先进氮化镓器件的应用非常广，包括同步整流器、D类音频放大器、汽车信息娱乐系统、DC/DC转换器（硬开关和谐振式）和面向全自动驾驶汽车、机械人及无人机的激光雷达系统。EPC2218（3.2 mΩ、231 Apulsed）和EPC2204（6 mΩ、125 Apulsed）比前代eGaN FET的导
关键字：
MOSFET QRR QG
为何使用开关模式电源？显然是高效率。在SMPS中，晶体管在开关模式而非线性模式下运行。这意味着，当晶体管导通并传导电流时，电源路径上的压降最小。当晶体管关断并阻止高电压时，电源路径中几乎没有电流。因此，半导体晶体管就像一个理想的开关。晶体管中的功率损耗可减至最小。高效率、低功耗和高功率密度（小尺寸）是设计人员使用SMPS而不是线性稳压器或LDO的主要原因，特别是在高电流应用中。例如，如今12VIN、3.3VOUT开关模式同步降压电源通常可实现90%以上的效率，而线性稳压器的效率不到27.5%。这意味着功率
关键字：
MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日宣布，推出新型200V n沟道MOSFET--- SiSS94DN ，器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装，10 V条件下典型导通电阻达到业内最低的61 mΩ。同时，经过改进的导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET开关应用重要优值系数（FOM）为854 mΩ*nC。节省空间的Vishay Siliconix SiSS94DN 专门用来提高功率密度，占位面积比采
关键字：
MOSFET FOM
可穿戴设备广泛用于娱乐、运动和医疗健康等领域，作为把多媒体、传感器和无线通信等技术嵌入人们的衣着或配件的设备，可支持手势和眼动操作等多种交互方式。作为消费电子业面临的又一个新发展机遇，可穿戴设备经历了前些年从概念火爆到实际产品大量普及的过程之后，行业前景一直稳步成长。据统计，2019年全球可穿戴技术产品市场的规模超过了500亿美元，是2014年的2倍以上，可以说可穿戴设备已成为过去5年来消费电子领域最成功的市场之一。1 市场需求持续爆发虽然2020年全球经历了严重的新冠疫情影响，部
关键字：
MOSFET VR MR CGM IDC 202009
1 无线基站罗姆（ROHM）针对无线基站推出了多款解决方案，包括一系列高耐压MOSFET和高效率DC/DC转换器等，有助于降低功耗。 SiC MOSFET具有高耐压、高速开关、低导通电阻的特性，即使在高温环境下也能显示出色的电器特性，有助于大幅降低开关损耗和周边零部件的小型化。罗姆备有650V、1200V、1700V SiC MOSFET产品。其中，第3代沟槽栅型SiC MOSFET SCT3系列有650 V和1 200 V的六款产品，特点是导通
关键字：
耐高压 MOSFET DC/DC 202009
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）近日确立了一项VCSEL*1模块技术，该技术通过提高VCSEL的输出功率，进一步提高了空间识别和测距系统（TOF系统*2）的精度。以往采用VCSEL的激光光源中，作为光源的VCSEL产品和用来驱动光源的MOSFET产品在电路板上是独立贴装的。在这种情况下，产品之间的布线长度（寄生电感*3）无意中会影响光源的驱动时间和输出功率，这就对实现高精度感应所需的短脉冲大功率光源带来了局限性。ROHM此项新技术的确立，将新VCSEL元件和MOSFET元件集成于1个模块
关键字：
MOSFET VCSEL TOF AGV
一、芯片介绍继推出5W和20W的开关电源控制IC后，为满足客户对更多功率段的需求，金升阳推出内置高压MOS管和高压启动的AC/DC电源控制芯片——SCM1738ASA。SCM1738ASA是一款内置高压MOS 管功率开关的原边控制开关电源（PSR），采用PFM 调频技术，提供精确的恒压/恒流（CV/CC）控制环路，稳定性和平均效率非常高。由于集成高压启动，可以省去外围的启动电阻，实现低损耗可靠启动。同时，该芯片具有可调节线性补偿功能和内置峰值电流补偿功能，输出功率最大可达8W。二、产品应用可广泛应用于AC
关键字：
MOSFET PSR IC RFM
罗姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有沟槽栅极结构(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。该产品系列提供4引脚封装(TO-247-4L)型款，与传统3引脚封装类型(TO-247N)相比，可最大限度地提高开关性能，并将开关损耗降低多达35%。SiC-MOSFET特别适合在服务器电源、UPS系统、太阳能逆变器和新能源汽车充电站中的节能使用。通过使用TO-247-4L封装，驱动器和电流源引脚得以分离，从而最大限度地降低了寄生电感分量的影响。这有助于显着降低功耗，对于必须提供不间断电源的高性能应
关键字：
MOSFET 碳化硅 UPS
全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子集团 近日宣布推出一款48V电动车应用成功产品组合解决方案，可帮助用户加快电动滑板车、电动自行车、混合动力汽车、UPS和储能系统的开发。该参考设计在硬件和软件中均采用模块化方法以展示核心及可选功能块，可用于多种24V-48V应用，如割草机、手推车、机器人清洁器、电动工具、移动电源等。该成功产品组合使用了15个瑞萨IC产品，包括三个关键器件：ISL94216 16芯电池前端（BFE）、强健的HIP2211 100V MOSFET驱动器以及用于电机控制的RX23T 32位
关键字：
MOSFET PWM BLDC MCU
jfet-mosfet介绍
您好，目前还没有人创建词条jfet-mosfet!
欢迎您创建该词条，阐述对jfet-mosfet的理解，并与今后在此搜索jfet-mosfet的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473