日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，首度推出-30 V p沟道功率MOSFET--- SiRA99DP ，10 V条件下导通电阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET®第四代 SiRA99DP 导通电阻达到业内最低水平，采用热增强型6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8单体封装，专门用来提高功率密度。日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二的产品低43
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MOSFET
电动汽车(EV)将获得越来越多的市场份额，最终取代内燃机汽车。直流快速充电站将取代或整合加油站。太阳能、风能等可再生能源将为它们提供动力。人们将希望能在不到15分钟的时间内为电动汽车充满电，他们不愿排队等候唯一的充电桩。
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MOSFET PWM BMS
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，与MikroElektronika（“Mikroe”）合作推出基于东芝电机驱动IC的Click boards™开发评估板。Mikroe是一家设计和制造用于嵌入式系统开发的软硬件工具的公司。客户现在可通过由Mikroe制造和销售的评估板Click boards™对东芝电机驱动IC进行评估。东芝高度集成的电机驱动IC拥有四十多年的历史，因得到电机控制系统的普遍采用而在业界广受推崇。为控制多种应用中的直流有刷电机、直流无刷电机和步进电机，东芝提供丰富的电机驱动
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NVM IC MOSFET
美国国家航空航天局(NASA) 喷气推进实验室于7月30日将毅力号 (Perseverance) 探测车送上了太空，展开火星探测之旅。这辆探测车预计将于 2021 年 2 月在火星着陆。英飞凌科技股份公司 旗下的企业IR HiRel，为该探测车提供了数千个经过抗辐射强化 (Rad Hard) 的关键组件。这是该公司电力电子组件第五次登上 NASA 的火星探测车。IR HiRel曾相继为 1997 年的索杰纳号 (Sojourner)、 2004 年的机遇号 (Opportunity) 和勇气号 (Spir
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MOSFET IC NASA IR
严苛的汽车和工业环境中的噪声敏感型应用需要适用于狭小空间的低噪声、高效率降压稳压器。通常会选择内置MOSFET功率开关的单片式降压稳压器，与传统控制器IC和外部MOSFET相比，这种整体解决方案的尺寸相对较小。可在高频率（远高于AM频段的2 MHz范围内）下工作的单片式稳压器也有助于减小外部元件的尺寸。此外，如果稳压器的最小导通时间(TON)较低，则无需中间稳压，可直接在较高的电压轨上工作，从而节约空间并降低复杂性。减少最小导通时间需要快速开关边沿和最小死区时间控制，以有效减少开关损耗并支持高开关频率操作
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EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型拓扑。GaN具有低寄生电容（Ciss、Coss、Crss）和无第三象限反向恢复的特点。这些特性可实现诸如图腾柱无桥功率因数控制器（PFC）等较高频率的硬开关拓扑。由于它们的高开关损耗，MOSFET和绝缘栅双极晶体管（IGBT）实现此类拓扑。本文中，我们将重点介绍直接驱动GaN晶体管的优点，包括更低的开关损耗、更佳
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MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC
本文介绍了传统PFC电路MOS管在应用过程中产生振荡的机理，通过具体的案例详细分析了因MOS振荡引起损坏的原因，并结合实际应用给出具体的解决措施和方案，通过实验及大批量的生产验证表明，措施有效，稳定且可靠，对PFC电路MOS管应用电路及参数匹配具有重要的借鉴和参考意义。
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202008 PFC电路 MOS管 振荡 MOSFET 202008
本文主要分析了超结结构的功率MOSFET的输出电容以及非线性特性的表现形态，探讨了内部P柱形成耗尽层及横向电场过程中，耗尽层形态和输出电容变化的关系，最后讨论了新一代超结技术工艺采用更小晶胞单元尺寸，更低输出电容转折点电压，降低开关损耗，同时产生非常大的du/dt和di/dt，对系统EMI产生影响。
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202008 功率 MOSFET 超结结构 输出电容 横向电场
本文介绍了一款基于LM3404的LED手术无影灯恒流驱动调光电路，详细论述了调光电路的硬件和软件方案的设计及实测效果。电路采用单片机MSP430F1232控制LED驱动模块，集成调光控制模块，可实现对大功率LED手术无影灯进行无极调光的功能，并且含有参数记忆模式，具有智能化、精度高、稳定性强等优点，大大提高了LED手术无影灯的使用性能。
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202008 LED手术无影灯 单片机 LM3404 调光控制 MOSFET
推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)，推出一款适用于 太阳能逆变器应用 的 全SiC功率模块 ，该产品已被全球领先的电源和热管理方案供应商台达选用，用于支持其M70A三相光伏组串逆变器。 NXH40B120MNQ系列全SiC功率模块集成了一个1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有双升压级的1200 V，40 A SiC升压二极管。 SiC技术的使用提供了实现太阳能逆变器等应用中所要求高能效水平所需的低反向恢复和快速
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MOSFET SiC PIM 光伏逆变器
宽禁带 材料实现了较当前硅基技术的飞跃。 它们的大带隙导致较高的介电击穿，从而降低了导通电阻(RSP)。 更高的电子饱和速度支持高频设计和工作，降低的漏电流和更好的导热性有助于高温下的工作。安森美半导体提供围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统，包含从旨在提高强固性和速度的碳化硅(SiC)二极管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC门极驱动器。 除了硬件以外，我们还提供spice物理模型，帮助设计人员在仿真中实现其应用性能，缩短昂贵的测试周期。我们的预测性离散建模可以进行系统级仿真
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IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，面向车载应用推出恒流2相步进电机驱动IC“TB9120AFTG”。新款IC仅使用一个简单的时钟输入接口就能输出正弦波电流，无需功能先进的MCU或专用软件。TB9120AFTG的开发是为了接替东芝于2019年推出的首款车载步进电机驱动IC“TB9120FTG”，它能提供更加优异的抗噪声性能。TB9120AFTG采用带低导通电阻（上桥臂＋下桥臂＝0.8Ω（典型值））的DMOS FET，可实现的最大电流为1.5A[1]。DMOS FET和产生微步正弦波（最高可
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IC QFN MOSFET
深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations 近日宣布 InnoSwitch™3-AQ 已经开始量产,这是一款已通过AEC-Q100认证的反激式开关IC,并且集成了750 V MOSFET和次级侧检测功能。新获得认证的器件系列适用于电动汽车应用,如牵引逆变器、OBC(车载充电机)、EMS(能源管理DC/DC母线变换器)和BMS(电池管理系统)。 InnoSwitch3-AQ 采用Power Integrations的高速Flux
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OBC BMS EMS MOSFET IC
英飞凌科技股份公司近日为其1200 V CoolSiC™ MOSFET模块系列新增了一款62mm工业标准模块封装产品。它采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计,以及沟槽栅芯片技术,为碳化硅打开了250kW以上(硅IGBT技术在62mm封装的功率密度极限)中等功率应用的大门。在传统62mm IGBT模块基础上,将碳化硅的应用范围扩展到了太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引以及商用感应电磁炉和功率转换系统等。该62mm模块配备了英飞凌的CoolSiC MOSFET芯片,可实现极高的电流密度。其极低的开关损耗
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MOSFET TIM IGBT
深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司 Power Integrations 近日发布已通过AEC-Q100认证的新款 LinkSwitch™-TN2 开关IC，新器件适合降压或非隔离反激式应用。新款汽车级LinkSwitch-TN2 IC采用750 V集成MOSFET，可为连接到高压母线的电动汽车子系统提供简单可靠的电源，这些子系统包括HVAC、恒温控制、电池管理、电池加热器、DC-DC变换器和车载充电机系统。这种表面贴装器件不需要散热片，只需要很少的外围元件，而且占用的PC
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IC MOSFET
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