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英飞凌推出全新的OptiMOS™源极底置功率MOSFET
- 高功率密度、出色的性能和易用性是当前电源系统设计的关键要求。为此，英飞凌科技股份公司近日推出了新一代OptiMOS™ 源极底置（Source-Down，简称SD）功率MOSFET，为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。该功率MOSFET采用PQFN 封装，尺寸为3.3 x 3.3 mm2，支持从25 V到100 V的宽电压范围。此种封装可实现更高的效率、更高的功率密度以及业内领先的热性能指标，并降低BOM成本，在功率MOSFET的性能方面树立了新的行业标杆。该器件的应用领域十分广泛，涵盖电机驱
- 关键字： MOSFET
Power Integrations推出业界首款内部集成1700V SiC MOSFET的汽车级高压开关IC
- InnoSwitch3产品系列阵容再度扩大，新器件不仅能显著减少元件数量，还可大幅提高电动汽车和工业应用的效率
- 关键字： InnoSwitch™3-AQ 碳化硅 MOSFET 电动汽车 牵引逆变器
大功率电池供电设备逆变器板如何助力热优化
- 电池供电电机控制方案为设计人员带来多项挑战，例如，优化印刷电路板热性能目前仍是一项棘手且耗时的工作；现在，应用设计人员可以用现代电热模拟器轻松缩短上市时间。
- 关键字： MOSFET
ROHM开发出45W输出、内置FET的小型表贴封装AC/DC转换器IC“BM2P06xMF-Z”
- 全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）面向空调、白色家电、FA设备等配备交流电源的家电和工业设备领域，开发出内置730V耐压MOSFET*1的AC/DC转换器*2IC“BM2P06xMF-Z系列（BM2P060MF-Z、BM2P061MF-Z、BM2P063MF-Z）”。近年来，家电和工业设备领域的AC/DC转换器，不仅要支持交流输入85V～264V以处理世界各地的交流电压，作为电源整体还要符合能效标准“Energy Star*3”和安全标准“IEC 62368”等，需要从国际视角构建电源系统。其
- 关键字： MOSFET
ADI浪涌抑制器——为产品的可靠运行保驾护航
- 一、复杂的电子环境汽车、工业和航空电子设备所处的供电环境非常复杂，在这种恶劣的供电环境中运行，需要具备对抗各种浪涌伤害的能力。以汽车电子系统供电应用为例，该系统不但需要满足高可靠性要求，还需要应对相对不太稳定的电池电压，具有一定挑战性；与车辆电池连接的电子和机械系统的差异性，也可能导致标称12 V电源出现大幅电压偏移。事实上，在一定时间段内，12 V电源的变化范围为–14 V至+35 V，且可能出现+150 V至–220 V的电压峰值。这种很高的瞬态电压在汽车和工业系统是常见的，可以持久从微秒到几百毫秒，
- 关键字： MOSFET
使用氮化镓(GaN)提高电源效率
- 如今，越来越多的设计者在各种应用中使用基于氮化镓的反激式ac/dc电源。氮化镓之所以很重要，是由于其有助于提高功率晶体管的效率，从而减小电源尺寸，降低工作温度。晶体管无论是由硅还是由氮化镓制成，都不是理想的器件，使其效率下降的两个主要因素（在一个简化模型中）：一个是串联阻抗，称为rds(on)，另一个是并联电容，称为coss。这两个晶体管参数限制了电源的性能。氮化镓是一种新技术，设计者可以用它来降低由于晶体管特性的不同而对电源性能产生的影响。在所有晶体管中，随着rds(on)的减小，管芯尺寸会增加，这会导
- 关键字： MOSFET
意法半导体推出第三代碳化硅产品，推动电动汽车和工业应用未来发展
- ※ 意法半导体最新一代碳化硅 (SiC) 功率器件，提升了产品性能和可靠性，保持惯有领先地位，更加适合电动汽车和高能效工业应用※ 持续长期投资 SiC市场，意法半导体迎接未来增长服务多重电子应用领域的全球半导体领导者意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)近日推出第三代STPOWER碳化硅 (SiC) MOSFET晶体管[1]，推进在电动汽车动力系统功率设备的前沿应用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性为重要目标的场景应用。作为 Si
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CISSOID 和 Silicon Mobility 宣布推出新能源汽车紧凑及高效碳化硅逆变器，并以此体现其所建立的合作伙伴关系
- 高温半导体和功率模块方面的领导性企业CISSOID 公司，与技术领先的、为新能源汽车超快速和超高安全性实时控制提供现场可编程控制器单元（FPCU）半导体架构的发明者Silicon Mobility公司共同宣布： Silicon Mobility 的 OLEA® FPCU 控制器已与 CISSOID 的碳化硅（SiC） 智能功率模块（IPM）平台实现了集成，双方携手打造的这一全新高集成度平台将加速用于电动汽车电机驱动的紧凑型高效碳化硅逆变器的开发。该合作伙伴关系将提供一个碳化硅逆变器的模块化平台，从而提供高
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安森美发布高性能、低损耗的SUPERFET V MOSFET系列，应用于服务器和电信
- 领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi)，近日发布新的600 V SUPERFETÒ V MOSFET系列。这些高性能器件使电源能满足严苛的能效规定，如80 PLUS Titanium，尤其是在极具挑战性的10%负载条件下。600 V SUPERFET系列下的三个产品组--FAST、Easy Drive和FRFET经过优化，可在各种不同的应用和拓扑结构中提供领先同类的性能。600 V SUPERFET V系列提供出色的开关特性和较低的门极噪声，从而降低电磁干扰（EMI），这对服务器和电信系统是
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派恩杰SiC MOSFET批量“上车”，拟建车用SiC模块封装产线
- 自2018年特斯拉Model3率先搭载基于全SiC MOSFET模块的逆变器后，全球车企纷纷加速SiC MOSFET在汽车上的应用落地。但目前全球碳化硅市场基本被国外垄断，据Yole数据，Cree，英飞凌，罗姆，意法半导体占据了90%的市场份额。国产厂商已有不少推出了碳化硅二极管，但具有SiC MOSFET研发和量产能力的企业凤毛麟角。近日，据业内人士透露，国产碳化硅功率器件供应商派恩杰半导体（杭州）有限公司（简称派恩杰）的SiC MOSFET产品在新能源汽车OBC应用验证取得了重大突破，获得了新能源汽车
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安森美在ASPENCORE全球电子成就奖和EE Awards Asia赢得头筹
- 领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi)近日宣布其NCP51561隔离SiC MOSFET门极驱动器获ASPENCORE全球电子成就奖（WEAA）的功率半导体/驱动器类奖项。WEAA项目表彰对全球电子行业的创新和发展做出杰出贡献的企业和个人，由ASPENCORE全球分析师及其用户社群选出获奖者。安森美同时宣布其压铸模功率集成模块（TM-PIM）获EE Awards Asia的功率IC产品类奖项，同时公司以其先进的汽车方案和智能电源产品获得最孚众望的电动车(EV)功率半导体供应商奖。EE Awa
- 关键字： MOSFET
东芝推出用于IGBT／MOSFET栅极驱动的薄型封装高峰值输出电流光耦
- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出采用薄型SO6L封装的两款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作绝缘栅极驱动IC。这两款器件于近日开始支持批量出货。TLP5705H是东芝首款采用厚度仅有2.3毫米（最大值）的薄性封装（SO6L）可提供±5.0A峰值输出电流额定值的产品。传统采用缓冲电路进行电流放大的中小型逆变器与伺服放大器等设备，现在可直接通过该光耦驱动其IGBT／MOSFET而无需任何缓冲器。这将有助于减少部件数量并实现设计小型
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