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DSP编程技巧之29---答疑解惑哪家强之(4)

  •   答疑解惑哪家强?当属我们EEPW最强。。。接下来继续我们的答疑解惑。   22. 除了使用编译器的优化选项之外,还可以使用什么方法提高程序的性能?   编译器的优化选项,只能在代码满足众多选项的要求时,才能得到较好的优化效果。在我们编程的时候,首先要做到心里有数,尽可能使用一些高效的编程方式,例如使用右移操作代替除以2的倍数的操作,可以大幅度地减少代码运行时间等。这些技巧很多是与C/C++的熟练使用所相关的。此外,根据器件的特点,例如是否包含FPU、CLA等,把特定的代码放在不同的区域执行,也能起
  • 关键字: DSP  C/C++  Flash  

NAND吃紧!花旗:三星、hTC将学苹果加大智能机容量

  •   Investor.com 3日报导,花旗发表研究报告指出,三星电子、宏达电 (2498)等智慧型手机制造商有望跟随苹果 ( Apple Inc. )的脚步增加手机的储存容量,这会提高市场对SanDisk产品的需求。   费城半导体指数成分股SanDisk 3日闻讯上涨2.02%、收103.36美元;该档个股在11月总计劲扬了9.9%、年初迄今大涨46.53%。SanDisk 11月26日收盘(104.26美元)甫创7月16日以来收盘新高。   根据报告,花旗分析师Joe Yoo将SanDisk的投
  • 关键字: 花旗  三星  NAND Flash   

分析师:2015年NAND Flash市况“上冷下热”

  •   TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 调查显示, NAND Flash 成本随着制程演进而持续下滑,各种终端应用如 SSD 与eMMC等需求则持续成长,估计 2015年 NAND Flash产值将较2014年成长12%,至276亿美元。   DRAMeXchange研究协理杨文得表示,由于终端产品出货与新机上市多半集中在第三季和第四季,相较之下上半年缺少新产品刺激市场,受淡季效应影响情况将较为显着,因此预估2015年NAND Flash市况将呈现上冷下热的格局,也就是
  • 关键字: TrendForce  NAND Flash  SSD  

2015年NAND Flash产业持续向上,产值成长超过10%

  •   TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange调查显示, NAND Flash成本随着制程演进而持续下滑,各种终端应用如SSD与eMMC等需求则持续成长,2015年NAND Flash产值将较2014年成长12%,达276亿美元。DRAMeXchange研究协理杨文得表示,由于终端产品出货与新机上市多半集中在第三和第四季,相比之下上半年缺少新产品刺激市场,受淡季效应影响情况将较为显著,因此DRAMeXchange预估2015年NAND Flash市况将呈现上冷下热的格局,也就是上半年
  • 关键字: NAND Flash  SSD  

SSD 2年内价格砍半 每GB首度跌破0.5美元

  •   次世代资料储存装置固态硬碟(SSD)市场价格,2年内下滑一半。由于NAND Flash产能增加、SK海力士(SK Hynix)也可望加入3D架构NAND Flash量产行列,皆让SSD加速迈向大众化阶段。而最近随著价格下滑,SSD应用范围逐渐扩大,有加速普及的倾向。   据韩联社引用市调机构IHS资料报导,256GB的SSD 2014年第3季平均售价(ASP)为124美元,比2013年同期171美元下跌27.5%,与2012年同期价格226美元相比,跌幅更达45.1%,意即最近2年内SSD价格几乎砍
  • 关键字: SSD  NAND Flash  

台内存大厂挥军日本 直闯工控和车用市场

  •   征战海外展览的台湾内存大厂,终于在日本找到了机会。
  • 关键字: 内存  NAND Flash  

六大NAND Flash厂商:东芝最“吸金”

  •   2014第三季度 NAND Flash厂商营收排名出炉,其中东芝最为亮眼,原因是因为它最涨势最猛。
  • 关键字: NAND Flash  东芝  三星  

美光咬苹果大单 力成同乐

  •   苹果公司继推出iPhone 6/6 Plus新款智能手机后,今年底或明年初,将紧接推出Apple Watch智能手表,目前正展开一波拉货,力成最大客户美光传出大啖苹果Apple Watch存储器绝大部分订单,力成受惠度看涨,也激励今天股价逆势上涨;另一档美光受惠股华东则维持小跌与平盘间的狭幅震荡。   据了解,Apple Watch采用512MB LPDDR3,内建4GB或8GB容量的NAND Flash,美光包办绝大部分的订单,而在下游后段封测代工制程方面,目前多半由力成与华东共同负责,由于测试时
  • 关键字: 苹果  iPhone 6  NAND Flash  

台IC设计前3季 联发科稳居每股获利王 敦泰群联位居二三名

  •   IC设计第3季财报全数公布完毕,累计前3季,联发科(2454-TW)每股税后盈余23.41元,稳居IC设计每股盈余获利王,也是税后净利获利王,其次是触控IC厂F-敦泰(5280-TW),前3季每股税后盈余为13.67元,排名第二,第三名则是FLASH控制晶片厂群联(8299-TW),前3季每股盈余为13.34元,排名第三。   根据公开资讯站资料显示,联发科前3季税后净利与每股税后盈余稳居IC设计之冠,表现亮眼,显示行动装置需求持续升温,第3季旺季效应加持发威下,相关厂商营运表现都相当亮眼,联发科第
  • 关键字: 联发科  触控IC  FLASH  

下游需求高企 2014年中国内存芯片市场将占全球两成

  •   TrendForce最新研究报告显示,随着中国市场近几年的蓬勃发展与政策开放,GDP成长率呈现高度的成长,所伴随而来的就是惊人的消费潜力,无论是PC、智能型手机与平板市场都把中国市场列入第一战区。TrendForce旗下权威内存研究机构DRAMeXchange最新数据显示,以2Gb颗粒来换算,2014年中国市场在DRAM与NAND的消化量已经高达47.89亿与70.36亿,分别占全球产能19.2%与20.6%。   从DRAM市场来观察,PC-DRAM在中国市场的消化量已经来到15%,内需市场的强劲
  • 关键字: 内存  DRAM  Flash  

基于FLASH介质嵌入式存储方案的设计与实现

  •   引言   FLASH(闪速存储器)作为一种安全、快速的存储体,具有体积小、容量大、成本低、掉电数据不丢失等一系列优点,已成为嵌入式系统中数据和程序最主要的载体。由于FLASH在结构和操作方式上与硬盘、E2ROM等其他存储介质有较大区别,使用FLASH时必须根据其自身特性,对存储系统进行特殊设计,以保证系统的性能达到最优。   FLASH的特点   FLASH是一种非易失性存储器NVM(Non-VolatileMemory),根据结构的不同可以将其分成NORFLASH和NANDFLASH两种。但不
  • 关键字: FLASH  NAND  

OEM需求拉货动能增温,第三季NAND Flash品牌营收季增12.2%

  •   第三季NAND Flash市况在苹果iPhone6/6Plus新机上市备货需求强劲与OEM业者进入出货旺季的带动下,eMMC/eMCP与SSD的成长力道均高于上半年,NAND Flash价格表现也相对稳健,使得第三季NAND Flash品牌供货商营收较上季增加12.2%至85.8亿美元。TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示,新制程的嵌入式产品自第三季起成为市场主流,有助于各家业者成本结构的改善,而随着苹果第四季iPhone表现持续亮眼以及新产品的问世,整体N
  • 关键字: NAND Flash  SSD  iPhone6  

提高MSP430G 系列单片机的Flash 擦写寿命方法

  •   在嵌入式设计中,许多应用设计都需要使用EEPROM 存储非易失性数据,由于成本原因,某些单片机在芯片内部并没有集成EEPROM。MSP430G 系列处理器是TI 推出的低成本16 位处理器,在MSP430G 系列单片机中并不具备EEPROM。为了存储非易失性数据,MSP430G 系列处理器在芯片内部划分出了256 字节的Flash 空间作为信息Flash,可用于存储非易失性数据,但是由于Flash 与EEPROM 在擦写寿命上存在一定差距,所以在实际应用中,这种应用方式并不能够满足所有客户的需求。本应
  • 关键字: MSP430  Flash  EEPROM  

FLASH和反熔丝类型的FPGA你了解多少

  •   由于航天应用对可靠性提出了更高的要求,这是与一般的FPGA开发最大的不同。当高能粒子撞击可编程逻辑器件时,撞击的能量会改变器件中的可配置的SRAM单元的配置数据,使系统运行到无法预知的状态,从而引起整个系统失效。这在航天设备中是必须要避免的。以FLASH和反熔丝技术为基础的FPGA与以SRAM为基础的FPGA相比,在抗单粒子事件方面具有很大的优势,可靠性高。   ACTEL公司是可编程逻辑解决方案供应商。它提供了多种服务,包括基于反熔丝和闪存技术的FPGA、高性能IP核、软件开发工具和设计服务,定位
  • 关键字: FPGA  FLASH  反熔丝  

一种基于MCU内部Flash的仿真器设计方法

  •   摘要:提出了一种基于MCU内部Flash的仿真器设计方法,并完成了设计和仿真。   关键词:微控制器 在线仿真 开发系统 Flash SRAM   由于市场对MCU功能的要求总是不断变化和升级,MCU应用的领域也不断扩展, 因此往往需要对最初的设计进行修改。Flash MCU与以往OTP/MASK MCU相比,最大的优点就在于可进行高达上万次的擦写操作,顺应了MCU功能不断修改的需求;另一方面,Flash MCU市场价格也在不断下降。因此,许多OEM已将Flash MCU用于产品的批量生产。对于F
  • 关键字: MCU  Flash  仿真器  
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flash介绍

闪存(Flash ROM): 是一种电擦除非易失型存储器,由浮栅型场效应管构成,写入时,利用热电子注入,使浮栅带电;擦除时,则利用高压下的隧道效应,使浮栅失去电子。 FLASH闪存是半导体技术,内部是相对静态的,体积小,抗震性很高(便于携带)。加上半导体技术发展很快,价格下降也很快,这是目前的MP3大多数是用FLASH闪存的原因。 [ 查看详细 ]

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