Synopsys 5月19日宣布开始提供用于中芯国际65纳米低漏电工艺技术的新思科技经硅验证的和获得USB标志认证的DesignWare® USB 2.0 nanoPHY知识产权(IP)。在65nm技术日渐成为先进IC产品市场主导的今天，中芯的这一举措有助于其进一步拓展65nm产品线，快速量产65纳米低漏电工艺，加快客户的产品上市时间。
DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP专为各种高市场容量移动和消费电子应用而设计的，这些应用的关键要求包括要实现面积最小、低动态和泄
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中芯国际 65纳米 低漏电
全球半导体设计制造软件和知识产权领先企业新思科技有限公司和全球领先的半导体制造商中芯国际集成电路有限公司今天宣布开始提供用于中芯国际65纳米(nanometer)低漏电(Low Leakage)工艺技术的新思科技经硅验证的和获得USB标志认证的DesignWare® USB 2.0 nanoPHY知识产权(IP)。作为一家提供包括控制器、PHY和验证IP等USB2.0接口完整IP解决方案的领先供应商，新思科技继续致力于通过提供高品质IP助力设计人员降低集成风险，这些IP具备了验证过的互操作性，
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Synopsys IP 65纳米 DesignWare
全球半导体设计制造软件和知识产权领先企业新思科技有限公司和全球领先的半导体制造商中芯国际集成电路有限公司今天宣布开始提供用于中芯国际65纳米 (nanoMEter) 低漏电 (Low-Leakage)工艺技术的新思科技经硅验证的和获得 USB 标志认证的DesignWare(R) USB 2.0 nanoPHY知识产权 (IP)。作为一家提供包括控制器、PHY 和验证 IP 等 USB2.0接口完整 IP 解决方案的领先供应商，新思科技继续致力于通过提供高品质IP助力设计人员降低集成风险，这些 IP
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中芯国际 65纳米 半导体设计
联电在先进制程有所进展!联电执行长孙世伟表示，该公司在40奈米良率持续提升，28奈米后闸极(HK/MG)技术也将于2010年底达到 IP试制能力，20奈米也于2010年初与客户合作进行规画。孙世伟看好65奈米以下先进制程技术发展，估计第2季65奈米以下制程比重将往25%靠近，年底前可望进一步跃升到30~40%。
联电第1季65奈米以下制程技术比重约18%，较2009年第4季上升1个百分点。预期第2季可望显著攀高，将逼近25%。联电执行长孙世伟预期，下半年65奈米以下制程技术比重可望进一步达30~
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联电 65纳米 逻辑电路
编者点评：Globalfoundries的崛起打乱了全球代工被双雄独霸的局面。实际上Globalfoundries兼并特许之后, 按Gartner4月的最新数据,09年全球代工排名中, 台积电90亿美元, 联电居第二为27亿, 特许的15亿及Globalfoundries的11亿美元, 所以新Globalfoundries总营收(把特许的计在内)己达26亿美元 , 十分逼近联电的27亿美元。因此首先反映强烈的肯定是联电, 所以其加强投资及扩大先进制程的市场份额是必为。然而分析Globalfoundri
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联电 65纳米 逻辑电路
据国外媒体报道，台联电(UMC)日前发布了2010年第一季度业绩报告。
在今年第一季度中，台联电实现净利润34.8亿元新台币，约合1.1亿美元。去年同期联电亏损81.6亿新台币，而在09年第四季度，公司净利润为44亿新台币。
汤森路透调查的分析师此前普遍认为，台联电第一季度有望实现净利润35.8亿元新台币。
公司第一季运营利润率为12.7%。这一水平低于竞争对手台积电同期的37%。台积电大力推行其更为先进的40与65纳米工艺技术，这部分产品带来的销售收入约占公司总收入的41%。
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台联电 40纳米 65纳米
台积电近期与客户洽谈下半年代工价格，占营收最大宗的65纳米，因产能持续短缺，原本下季应该降价5%，但现在取消，形同变相涨价。分析师认为，65纳米变相涨价，将导致台积电营收随之攀升。
台积电昨日表示，下半年代工价格，都是与客户长期议定的价格，不会因为短期景气、随市场变化而改变。昨天收盘价62.6元，下跌0.4元，在大盘重挫下，相对抗跌。
晶圆代工厂第二季以来，陆续与IC设计客户追认下半年订单，掌握营运能见度。据了解，台积电、联电通常会提前两季，与长期合作、量大客户敲定两季以上的价格。
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台积电 65纳米 晶圆
4月20日早间消息，台积电近期与客户洽谈下半年代工价格，占营收最大宗的65纳米，因产能持续短缺，原本下季应该降价5%，但现在取消，形同变相涨价。分析师认为，65纳米变相涨价，将导致台积电营收随之攀升。
台积电昨日表示，下半年代工价格，都是与客户长期议定的价格，不会因为短期景气、随市场变化而改变。昨天收盘价62.6元，下跌0.4元，在大盘重挫下，相对抗跌。
晶圆代工厂第二季以来，陆续与IC设计客户追认下半年订单，掌握营运能见度。据了解，台积电、联电通常会提前两季，与长期合作、量大客户敲定两季
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台积电 晶圆代工 65纳米
TSMC7日宣布针对65纳米、40纳米及28纳米工艺推出已统合且可交互操作的多项电子设计自动化(Electronic Design Automation; EDA) 技术档案。这些与设计相关的技术档案套装包括可互通的工艺设计套件(iPDK)、工艺设计规则检查(iDRC)、集成电路布局与电路图对比 (iLVS)，及工艺电容电阻抽取模组 (iRCX)。
iPDK、iDRC、iLVS，及iRCX技术系由TSMC与EDA合作伙伴一同在半导体产业的互通项目下通过验证，也是TSMC「开放创新平台」之一部份。
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台积电 EDA 65纳米 40纳米 28纳米
TSMC 7日宣布针对65纳米、40纳米及28纳米工艺推出已统合且可交互操作的多项电子设计自动化(Electronic Design Automation; EDA) 技术档案。这些与设计相关的技术档案套装包括可互通的工艺设计套件(iPDK)、工艺设计规则检查(iDRC)、集成电路布局与电路图对比 (iLVS)，及工艺电容电阻抽取模组 (iRCX)。
iPDK、iDRC、iLVS，及iRCX技术系由TSMC与EDA合作伙伴一同在半导体产业的互通项目下通过验证，也是TSMC「开放创新平台」之一部份
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TSMC 65纳米 40纳米 28纳米
昨日上午，英特尔大连芯片厂总经理柯必杰在接受CNET科技资讯采访时指出，“英特尔大连芯片厂将于今年10月份正式投产，目前各方面已基本就绪。”
柯必杰告诉CNET科技资讯网，“我们现在最大挑战是确保10月份正式投产。目前我们各方面正在向这个目标努力。”
2007年3月26日，英特尔宣布投资25亿美元在中国大连设立芯片厂。2007年9月8日，英特尔大连芯片厂奠基并开土动工。
2009年3月份，英特尔大连芯片厂迁入主体功能大楼
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英特尔 32纳米 65纳米
宁先捷创业感言：在半导体芯片行业，国内企业与国际厂商最大的差距还是人才储备，比培养人才更难的是留住人才。北京市以及开发区对人才的重视解除了高科技企业的后顾之忧，对于归国的海外学人来说，最重要的就是感到受重视。
虎年春节，宁先捷终于和家人一起过了年。身为中芯国际集成电路制造(北京)有限公司技术开发中心负责人，他此前三个春节几乎都是在车间里度过的。是什么让中芯国际从海外请来的这位技术大腕以厂为家，即使过年也要坚守岗位?
宁先捷和他的研发团队历经三个寒暑，终于使中芯国际的65纳米半导体产品达到国
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半导体芯片 65纳米
据中国台湾媒体报道，英特尔中国区董事总经理戈峻近日称，英特尔大连12寸晶圆厂将于10月投产，采用65纳米制程切入，生产芯片组产品。
台积电、日月光、硅统等台系厂商将面临挑战，友尚等英特尔产品重要伙伴，则可望与英特尔合作扩大抢进大陆内需商机，成为受惠一族。大陆半导体年度盛会 “SEMICONChina”正在上海举行，戈峻代表英特尔中国区出席会场。戈峻宣布大连厂10月开始投产，是英特尔在全球第八个、亚洲第一个12寸晶圆厂。
分析人士称，大陆半导体内需市场需求强劲，但内地
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英特尔 65纳米 晶圆
随着半导体分工的细化，Foundry领域已经成为全球半导体供应链中不可缺少的一环，对于全球半导体产业的健全带来正面的影响，其重要性将会与日俱增，我们就以Foundry的领导者台积电(TSMC)的观点作为本次展望的总结。
台积电(中国)有限公司总经理陈家湘认为，Foundry领域未来的挑战包括如何继续成长以及如何保持获利，需要积极把握进入新的集成电路应用市场的机会，此外，要能提供更多样的制程技术，进入其它尚未使用专业集成电路制造服务的半导体市场，也就是说，除了互补式金氧半导体逻辑制程之外，Foun
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台积电 模拟集成电路 65纳米
据中芯国际集成电路制造有限公司资深研发副总季明华撰文披露，2010年，中芯国际将加强65纳米的嵌入式工艺平台和32纳米关键模块的研发;同时力争实 现45纳米和40纳米技术的小批量试产。
在第四届(2009年度)中国半导体创新产品和技术评选中，中芯国际有两项技术获奖，其一是 “65纳米逻辑集成电路制造工艺技术”，其二是“0.11微米CMOS图像传感器工艺技术”。
据介绍，目前，中芯国际已经完成了65纳米CMOS技术的认证，并于2009年第三季度
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嵌入式 65纳米 40纳米 CMOS
65纳米介绍
从1965年Intel公司的Moore提出著名的摩尔定律到今年4月,正好是40年。40年来,半导体器件的发展历程一直遵循着这一定律。进入2005年,IBM、德国英飞凌、韩国三星和新加坡特许半导体公司联合的团队以及美国德州仪器公司等厂商,都推出了65纳米工艺制作的半导体集成电路样品。我国台湾省的台积电也将在2005年年底批量生产65纳米器件。
与上一代的90纳米工艺相比,65纳米工艺可以使 [
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