DIGITIMES Research观察，2D NANDFlash制程在物理限制下难度加剧，透过3DNAND Flash制程，无论是效能及储存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可谓为摩尔定律在半导体内存领域延伸的一项重要技术。
3D NAND Flash依存储元件储存机制可分浮动闸极(Floating Gate;FG)及电荷缺陷储存(Charge Trap;CT);依不同堆栈结构技术又可分为BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
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摩尔定律 3D NAND
2016年全球前十大半导体业者排名出炉。据IHSMarkit所搜集的数据显示，2016年全球半导体产业的营收成长2%，而前十大半导体业者的营收则成长2.3%，优于产业平均水平。以个别产品类型来看，DRAM与NANDFlash是2016年营收成长动能最强的产品，成长幅度超过30%;车用半导体的市场规模也比2015年成长9.7%。
IHS预期，由于市场需求强劲，2017年内存市场的营收规模可望再创新高，车用半导体市场的规模则有机会成长超过10%。整体来说，2017年半导体产业的表现将出现稳健成长。
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DRAM NANDFlash
三星电子周二宣布，位在首尔南方的新芯片厂施工进度顺利，将如期于 2017 上半年投产。
三星新芯片厂于 2015 年动土，共投入 15.6 万亿韩元(约 144 亿美元)建厂，为三星史上最大单一产线投资项目。据三星表示，新厂第一阶段施工目前已完成九成。
新芯片厂主要用于生产高容量 3D 立体 NAND 快闪存储器。快闪存储器可取代传统硬盘，并广泛应用于数码相机、智能手机与其他 USB 界面储存设备。
市调机构 DRAMeXchange 日前指出，三星稳坐去年第四季 NAND 快闪存储
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三星 3D NAND
“首届IC咖啡国际智慧科技产业峰会”于2017年1月14日在上海召开，长江存储集团公司CEO杨士宁介绍了对存储器市场的看法，及选择3D NAND闪存作为主打产品的战略思考。
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存储器 3D NAND DRAM 20170203
据海外媒体报道，传三星电子于2017～2018年，将大举追加投资西安3D NAND Flash厂，业界人士预估共将投资约5兆韩元(约43.5亿美元)，以迎接存储器市场史上最大需求热潮。
Chosun Biz日前引述业界消息指出，三星与大陆政府正针对西安厂第二期投资进行商议，2017年三星可望与西安市签署第二期投资及相关合作备忘录。三星于2012年开始在西安厂的第一期投资与现在的第二期投资，皆用于打造3D NAND Flash生产所需设备及人力费用。
三星目前只使用西安厂腹地约34万坪中的2
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三星 3D NAND
实验目的：突破4KB的Steppingstone存储空间限制，读取NandFlash中4KB后的代码实现“点灯大法”，借此掌握NandFlash的操作。 实验环境及说明：恒颐S3C2410开发板H2410。H2410核心板的NandFlash选用的是三星片上(SOP)K9F1208U0M，该NandFlash容量为64MB。 实验思路：开发板上电启动后，自动将NandFlash开始的4K数据复制到SRAM中，然后跳转到0地址开始执行。然后初始化存储控制器SDRAM，调用NandFlash读函数操作
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ARM NandFlash
容量更大、价格更低、寿命更长、速度更快，新世代SSD产品的卓越价格性能比，预期将大幅拉近与传统硬盘市场的规模差距，两种储存装置已逐渐接近黄金交叉点，高速大容量SSD将成为各式系统设备及消费者的优先选择。
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3D NAND SSD
3D并不是什么新技术，在消费电子领域已有广泛的应用，但在汽车应用中却处于起步阶段，仍需要相关技术和解决方案有所突破。以汽车安全驾驶应用为
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车载 3D 安全驾驶
去年英特尔宣布了内存技术突破。该公司推出了所谓的3D XPoint技术，它非常适合DRAM和SSD之间的市场。新的非易失性芯片据称会从根本上改变计算，但是现在传出这一技术及其产品将被严重推迟发布。
根据英特尔自己的营销材料显示，3D XPoint技术不仅提升非易失性存储器速度，而且还提供了出色的存储密度。这使得存储设备体积显着小于现有型号。英特尔当时宣称这一新技术不仅仅是一些概念证明，而是准备在今年全面生产与推广。不幸的是，现在看起来英特尔已经遇到麻烦，悄然大大推迟了3D XPoint技术和产品
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英特尔 3D XPoint
去年英特尔宣布了内存技术突破。该公司推出了所谓的3D XPoint技术，它非常适合DRAM和SSD之间的市场。新的非易失性芯片据称会从根本上改变计算，但是现在传出这一技术及其产品将被严重推迟发布。
根据英特尔自己的营销材料显示，3D XPoint技术不仅提升非易失性存储器速度，而且还提供了出色的存储密度。这使得存储设备体积显着小于现有型号。英特尔当时宣称这一新技术不仅仅是一些概念证明，而是准备在今年全面生产与推广。不幸的是，现在看起来英特尔已经遇到麻烦，悄然大大推迟了3D XPoint技术和产品
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英特尔 3D XPoint
摘要：由于智能手机、SSD市场需求强烈，闪存、内存等存储芯片最近都在涨价，这也给了中国公司介入存储芯片市场的机遇。在中国发展半导体产业的规划中，存储芯片是最优先的，也是全国各地都争着上马的项目，其中国家级的存储芯片基地在武汉，投资超过240亿美元，之前是新芯科技主导，现在已经变成了紫光公司主导，预计2017年正式推出自主生产的3D NAND闪存，而且是32层堆栈的，起点不算低。
2015年中，国家级存储芯片基地确定落户武汉市，由武汉新芯科技公司负责建设，今年3月份12寸晶圆厂正式动工，整个项目预
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SSD 3D NAND
由于智能手机、SSD市场需求强烈，闪存、内存等存储芯片最近都在涨价，这也给了中国公司介入存储芯片市场的机遇。在中国发展半导体产业的规划中，存储芯片是最优先的，也是全国各地都争着上马的项目，其中国家级的存储芯片基地在武汉，投资超过240亿美元，之前是新芯科技主导，现在已经变成了紫光公司主导，预计2017年正式推出自主生产的3D NAND闪存，而且是32层堆栈的，起点不算低。
2015年中，国家级存储芯片基地确定落户武汉市，由武汉新芯科技公司负责建设，今年3月份12寸晶圆
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3D NAND
YouTube上的科技频道总不乏各种技术宅的奇思妙想，日前，一位名为“Mrwhosetheboss”发布了一则有趣的视频，记录了他将一台智能手机打造成一台3D全息投影仪的全过程。 下面就让我们一起来见证一下奇迹发
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3D 全息投影仪 DIY
摘要：针对高速信号实时采集存储的需求，设计了一种高速信号采集记录仪。记录仪通过高速A/D转换器对信号进行采样，并实时存入NAND FLASH存储阵列中。为提高数据存储速率，综合采用并行总线、交错双平面页编程、多级
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高速采样 高速存储 NANDFLASH
美光公司日前开始量产其32层(32L) 3D NAND快闪记忆体，包含该元件的首批商用下游产品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固态硬碟(SSD)。如图1所示，这款产品的连续读取/写入速度分别高达每秒530MB与每秒510MB;其功耗较一般硬碟驱动器(HDD)改善了90倍，据称也更加耐用。
Crucial SSD的售价为200美元，这使其成为笔记型电脑应用最具吸引力的选项，而且我们发现有越来越多的电脑设备开始利用SSD取代传统HDD。HDD也许将逐渐被市场所淘汰，不过必须承认的
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美光 3D NAND
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