3D NAND延续摩尔定律 电容耦合效应及可靠度仍为技术关键

　　DIGITIMES Research观察，2D NANDFlash制程在物理限制下难度加剧，透过3DNAND Flash制程，无论是效能及储存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可谓为摩尔定律在半导体内存领域延伸的一项重要技术。

　　3D NAND Flash依存储元件储存机制可分浮动闸极(Floating Gate;FG)及电荷缺陷储存(Charge Trap;CT);依不同堆栈结构技术又可分为BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG等。

　　在三星(Samsung)、东芝(Toshiba)、美光(Micron)/英特尔(Intel)及海力士(SK Hynix)各阵营陆续突破3D NAND Flash规模的技术障碍后，伴随大数据、云端应用、SSD等终端应用强烈需求下，3D NAND Flash技术已成为NAND Flash厂商在容量、效能及成本之间取得平衡的主要发展方向。

　　目前3D NAND Flash技术可谓百花齐放，然电容耦合效应该如何改善、可靠度该如何提升仍是主导未来3D NAND Flash技术发展的重要关键。