几个月前，台积电发布了 2023
年年报，但显然，文件中包含的关键信息被遗漏了。在深入探讨之前，我们先来谈谈台积电的 A14，或者说被许多分析师称为技术革命的
A14。台积电宣布，该公司终于进入了"Angstrom 14 时代"，开始开发其最先进的 A14 工艺。目前，台积电的 3 纳米工艺正处于开始广泛采用的阶段。因此，1.4 纳米工艺在进入市场之前还有很长的路要走，很可能会在 2 纳米和 1.8 纳米节点之后出现，这意味着你可以预期它至少会在未来五年甚至更长的时间内出现。著
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台积电 Angstrom 14 1.4纳米 工艺
致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商—大联大控股近日宣布，其旗下诠鼎推出基于立锜科技（Richtek）RT7333、RT7795、RT7220E以及RT7209芯片的240W PD3.1快充方案。图示1-大联大诠鼎基于立锜科技产品的240W PD3.1快充方案的展示板图随着PD3.1快充协议的发布，USB充电技术迎来了重大突破。该协议将电源的输出电压提升至48V、充电功率同步提升至240W。在此背景下，传统的反激方案以及适用于20V输出的协议芯片已无法满足当前的市场需求。设备制造商需要更新他们的
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大联大诠鼎 立锜 PD3.1 快充
4 月 11 日消息，Meta 公司于 2023 年 5 月推出定制芯片 MTIA v1 芯片之后，近日发布新闻稿，介绍了新款 MTIA 芯片的细节。MTIA v1 芯片采用 7nm 工艺，而新款 MTIA 芯片采用 5nm 工艺，采用更大的物理设计（拥有更多的处理核心），功耗也从 25W 提升到了 90W，时钟频率也从 800MHz 提高到了 1.35GHz。Meta 公司表示目前已经在 16 个数据中心使用新款 MTIA 芯片，与 MTIA v1 相比，整体性能提高了 3 倍。但 Meta 只主动表示
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Meta MTIA 芯片 5nm 工艺 90W 功耗 1.35GHz
4月11日消息，根据产业链消息，台积电的2纳米和1.4纳米工艺已经取得了新的进展。据了解，台积电的2纳米和1.4纳米芯片的量产时间已经确定。2纳米工艺的试产将于2024年下半年开始，而小规模量产将在2025年第二季度进行。值得一提的是，台积电在亚利桑那州的工厂也将参与2纳米工艺的生产。到了2027年，台积电将开始推进1.4纳米工艺节点，这一工艺被正式命名为"A14"。按照目前的情况，台积电最新的工艺制程很可能会由苹果率先采用。按照台积电的量产时间表，iPhone 17 Pro将成为首批
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iPhone 17 Pro 台积电 2nm 1.4nm 工艺
4 月 8 日消息，近日，三星为 Galaxy S23 系列机型推送的 One UI 6.1
更新意外导致了手机的指纹识别功能出现故障。有用户反映，使用指纹识别解锁手机时，会出现第一次识别失败，手指离开后再重新识别才能解锁的情况。还有用户表示，每次使用指纹识别解锁手机时，系统都会崩溃，需要连续尝试两次才能成功。据 AndroidAuthority 报道，三星韩国社区论坛的一位社区经理已经确认了该问题的存在。他表示：“对于设备使用过程中出现的不便，我们深表歉意。我们已经确认，部分情况下锁屏的指纹识别功能
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One UI 6.1 Galaxy S23 手机指纹 识别
三星电子DS部门负责人庆桂显（Kye Hyun Kyung）在第55届股东大会上宣布，将于2025年初推出人工智能（AI）芯片Mach-1，正式进军AI芯片市场。三星希望，能够在快速增长的人工智能硬件领域与其他公司进行竞争，比如英伟达。据SeDaily报道，Mach-1属于ASIC设计，被定为为轻量级人工智能芯片，搭配LPDDR内存产品。其拥有一项突破性的功能，与现有的设计相比，能显著降低了推理应用的内存带宽需求，仅为原来的八分之一，降低了87.5%。三星认为，这一创新设计将使Mach-1在效率和成本效益
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三星 Mach-1 AI芯片 LPDDR内存
A/D转换器A/D转换器是从自然界的现象（各种各样的应用）产生的模拟信号变换为数字信号（A/D变换）的东西。这个工作是指由模拟信号经过采样→量化→编码变换为数字信号的一系列步骤。基本操作A/D转换器的基本操作请参见下方A/D转换器实例。A/D转换器在离散周期内切出模拟信号的幅度，变换为用符号表示的数字信号。A/D转换了的数字信号位数叫做分辨率（这个情况下是3bit），最高位叫做MSB(Most Significant Bit)，最低位叫做LSB(Least Significant Bit)。下方的图片展示
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A/D转换器 数模转换 数字电路 模拟电路
3月18日消息，美国当地时间周日，埃隆·马斯克（Elon Musk）旗下的人工智能初创企业xAI宣布，其大语言模型Grok-1已实现开源，并向公众开放下载。感兴趣的用户可通过访问GitHub页面github.com/xai-org/grok来使用该模型。xAI介绍称，Grok-1是一款基于混合专家系统（Mixture-of-Experts，MoE）技术构建的大语言模型，拥有3140亿参数。近期，公司发布了Grok-1的基本模型权重和网络架构详情。该公司表示，Grok-1始终由xAI自行训练，其预训练阶段于
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xAI 开源大语言模型 Grok-1
专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售Boundary Devices的Nitrogen8M Plus SMARC。Nitrogren8M Plus SMARC是一款符合SMARC 2.1行业标准的高性能系统级模块 (SoM)，与SMARC载板相结合可组成单板计算机，大大加快产品上市速度。Nitrogen8M Plus SMARC是各种工业物联网 (IIoT) 应用的
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贸泽 工业IoT设备 Boundary SMARC 2.1
5G商用五年来，全球5G用户规模已经突破15亿，相当于4G九年的发展成果；同时，5G用20%的全球移动用户占比，贡献了30%的移动流量与40%的移动业务收入。而2月26日-29日在西班牙巴塞罗那举办的世界移动通信大会（MWC24）上，5G-A成了最被热议的话题。无论是运营商、通信设备厂商，还是互联网企业，都不得不开始重视这一技术趋势。5G-A（5G-Advanced，也称5.5G）是5G网络在功能和覆盖上的部分升级：据华为介绍，5G-A能提供下行10Gbps的速率，相当于从原来5G的1Gbps提高至10倍
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5G-A 6G 5G 5.5G 通信
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造，为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。日前发布的半桥器件使用节
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Vishay INT-A-PAK IGBT功率模块
2024年1月11日，中国上海 — 思特威（上海）电子科技股份有限公司（股票简称：思特威，股票代码：688213），重磅推出其首颗5000万像素1/1.28英寸图像传感器新品——SC580XS。此款新品是思特威继成功量产第一颗22nm HKMG Stack工艺的5000万像素1/1.56英寸产品SC550XS之后，在同一工艺平台打造的升级产品。作为1.22µm像素尺寸图像传感器，SC580XS搭载思特威新一代像素技术SFCPixel®-2以及PixGain HDR®、AllPix ADAF®等多项技术和工
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智能手机主摄 思特威 5000万像素 1/1.28英寸 图像传感器
罗德与施瓦茨(以下简称R&S)的over-the-air (OTA)测试系统R&S TS8991是首个获得 CTIA 认证的5G A-GNSS天线性能测试系统。该解决方案可测量无线设备中全球导航卫星系统 (GNSS)接收器的性能，这是项关键技术，因为A-GNSS已经用于5G E911紧急呼叫。CTIA 认证的最新无线设备Over-the-Air (OTA) 性能测试计划版本 4.0.x 在现有A-GPS L1 OTA 规范中添加了5G FR1 EN-DC。之前发布的6.0.x版本添加了5G
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罗德与施瓦茨 CTIA认证 5G FR1 A-GNSS OTA测试
本文介绍已获专利的适用于机电接触应用的1-Wire®接触封装解决方案，并对比传统的封装解决方案以展示1-Wire接触封装解决方案的优越性。本文还就如何将该解决方案安装到配件或耗材提供了建议，并作了机械规格和可靠性分析。越来越多的系统要求为传统的非电子外设或耗材添加电子功能，包括存储校准数据或制造信息，或者存储外设、配件或耗材的OEM认证。这就要求系统需要添加存储和安全功能，还必须在主机和外设之间添加机电连接功能。已获专利的1-Wire接触封装（以前称为SFN封装）专为机电接触环境而设计，典型应用包括对象识
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1-Wire 封装 机电
Diodes 公司 (Diodes)近日推出一款低功耗、高性能且符合 MIPI® D-PHY 1.2 协议的信号 ReDriver™。PI2MEQX2503 可重建从相机传输到显示器的信号，数据传输速率高达 2.5Gbps，适用于笔记本电脑、平板电脑、手机、物联网 (IoT) 设备、商用显示器、增强现实头戴显示器、无人机和机器人等各种产品应用。PI2MEQX2503 具有双数据通道均衡器和单时钟通道，可补偿与 PCB、接口、线材及开关相关的损耗。此 ReDriver 可实现从 CSI2 信号来源传输到 D
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Diodes ReDriver MIPI D-PHY 1.2
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