首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> 闪存芯片

闪存芯片 文章 进入闪存芯片技术社区

美政府承诺就半导体补贴政策向日本和中国施压

  •   据国外媒体今日报道,在美国闪存芯片厂商美光科技提出投诉后,美国政府承诺就日本最大电脑闪存厂商必尔达的补贴问题向日本和中国台湾施加压力。   美国贸易代表荣·基克(Ron Kirk)向爱达荷州共和党参议员迈克·卡拉普(Mike Crapo)致函,承诺会通过世界贸易组织以及单独会晤拥有半导体产业的国家,要求日本和中国台湾就补贴问题提供更多信息。爱达荷州是美光科技的总部所在地。   基克在这封9月24日的信件中表示:“我们理解这个问题对你和对美国DRAM芯片制造商
  • 关键字: 美光  DRAM  闪存芯片  

美国承诺介入海外芯片厂商补贴问题

  •   据国外媒体今日报道,在美国闪存芯片厂商美光科技提出投诉后,美国政府承诺就日本最大电脑闪存厂商必尔达的补贴问题向日本和中国台湾施加压力。   美国贸易代表荣·基克(Ron Kirk)向爱达荷州共和党参议员迈克·卡拉普(Mike Crapo)致函,承诺会通过世界贸易组织以及单独会晤拥有半导体产业的国家,要求日本和中国台湾就补贴问题提供更多信息。爱达荷州是美光科技的总部所在地。   基克在这封9月24日的信件中表示:“我们理解这个问题对你和对美国DRAM芯片制造商
  • 关键字: 闪存芯片  DRAM  

东芝Sandisk计划明年启用2xnm制程量产闪存芯片

  •   据业者透露,东芝及其闪存合作伙伴SanDisk计划要在明年下半年开始采用20nm级别制程来量产NAND闪存芯片。另外两家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合资兴建的闪存芯片厂将逐月增大闪存芯片的产能,直至达到20万片的产能水平。   东芝公司最近已经开始32nm制程3bpc(每存储单元3bit数据)闪存芯片的量产,按原先的计划,合资的四日市芯片厂32nm制程芯片的产量应在今年底前达到总产量的50%左右,不过按目前的产能规划来看,实际的量产实施时间看来已经会有所拖延。   另一方面,对手In
  • 关键字: SanDisk  20nm  NAND  闪存芯片  

飞索半导体3100万美元出售苏州工厂

  •   据国外媒体报道,申请破产的闪存芯片制造商飞索半导体周一表示,作为公司重组计划的一部分,公司已经同意作价约3100万美元现金将旗下中国苏州工厂出售给台湾力成科技。   飞索半导体周一发表声明称,苏州工厂约有565名工人,是公司4家工厂之一。   飞索半导体今年3月申请破产。该公司表示,出售苏州工厂意在降低固定成本,转向更为灵活外包的制造模式。   这一出售交易还有待美国破产法庭批准。飞索半导体表示,计划今年第四季度走出破产保护。
  • 关键字: 飞索  闪存芯片  

美光或收购Numonyx Intel脱离NAND市场?

  •   根据国外媒体爆料,NAND闪存芯片制造商以及英特尔的合作伙伴美光科技可能会收购英特尔投资的NOR闪存制造商Numonyx。   这将使得英特尔能够摆脱掉Numonyx,而美光则可以藉此进入NOR闪存业务,并获得Numonyx的phase-change memory技术。   Numonyx是英特尔的合资公司,英特尔拥有其45%的股份,意法半导体持股49%。金融服务公司Francisco Partners持有其余股份,并在Numonyx 2008年成立时投资了1.5亿美元。闪存业务对英特尔和意法半导
  • 关键字: 英特尔  NAND  闪存芯片  智能手机  

三星东芝称美司法部闪存反垄断调查已结束

  •   据国外媒体报道,全球最大的两家闪存芯片制造商,三星电子与东芝公司今日表示,美国司法部针对两家公司展开的反垄断调查已经结束。此次反垄断调查历时2年。   三星电子的一位女发言人今日宣布,美国司法部已通知三星电子,对公司的相关调查已告结束。东芝美国分公司则在7月28日收到了有关通知。但美国司法部女发言人塔拉莫娜拒绝对此发表评论。   美国司法部对闪存芯片制造商的反垄断调查始于2007年9月,调查源于司法部怀疑半导体行业存在限定价格的可能。另一项独立的调查则在4家电脑内存芯片公司中展开,这其中也包括三星
  • 关键字: 三星  闪存芯片  内存芯片  

三星闪存芯片被指侵权殃及八家公司

  •   据国外媒体报道,美国知识产权公司BTG International Inc.(以下简称“BTG”)今天向美国国际贸易委员会提出申诉,称三星的NAND闪存芯片侵犯其5项专利,要求禁止进口侵权芯片及相关产品。BTG还将苹果、RIM等8家采用该芯片的公司列为被告。   BTG申诉材料称,涉案专利与采用“多层存储单元”(MLC)技术的闪存芯片的编程和读取方法有关。MLC技术能降低闪存芯片制造成本,并提高存储密度。   申诉材料指出,包括手机、摄像机、笔记本和
  • 关键字: 三星  NAND  闪存芯片  MLC  

苹果预付5亿美元 与东芝签闪存长期供货协议

  •   苹果高管近日在财报分析师电话会议上表示,该公司已与东芝达成闪存芯片长期供货协议,并向后者预付5亿美元货款。   这一交易对于东芝而言可谓“及时雨”。东芝是全球第二大NAND闪存芯片厂商,面临闪存芯片价格滑坡和来自三星电子的激烈竞争等问题。   消息人士表示,5亿美元相当于苹果一个季度NAND闪存芯片需求量的价值。
  • 关键字: 苹果  闪存芯片  NAND  

传英特尔推320GB固态硬盘 采用34纳米闪存芯片

  •   有传言称英特尔将于两周后推新款固态硬盘。   据消息人士称,新款固态硬盘将使用由英特尔和美光联合开发的34纳米NAND闪存芯片,容量高达320GB。工艺越先进,固态硬盘的存储密度越高,成本越低。固态硬盘将能够取代大多数笔记本电脑中的传统硬盘。
  • 关键字: Intel  34纳米  闪存芯片  固态硬盘  

东芝推出32纳米工艺闪存芯片 7月批量生产

  •   东芝日前展示了基于32纳米制造工艺的单芯片32Gb NAND Flash闪存芯片。首批32Gb芯片将主要被应用于记忆卡和USB存储设备,未来会扩展到嵌入式产品领域。   随着越来越多的移动设备在声音和影像方面的逐步数字化,高容量、更小巧的内存产品在市场上的需求也越来越强劲。   新的芯片产品将在东芝位于日本三重县四日市的工厂内制造。东芝公司将比原计划提前2个月,从2009年7月起,大批量生产32Gb NAND Flash闪存芯片。16Gb产品则会从2009财年第三季度(2009年10月到12月)开
  • 关键字: 东芝  纳米  闪存芯片  

美光科技关厂、裁员、降薪

  •   北京时间10月10日消息,据国外媒体报道,半导体储存及影像产品制造商美光科技(Micron Tech)表示,公司将会关闭位于美国爱达荷州首府博伊西(Boise)的NAND闪存芯片工厂,另外,作为电脑存储芯片业务重组的一部分公司将在两年内裁员15%。   美光科技目前的员工总数约为2.26万人,此次裁员涉及总人数为2850人,其中1500人来自博伊西。   本周四,美光科技表示,消费者需求下降和产品过渡供应导致闪存芯片的售价低于成本,因此公司决定关闭位于博伊西的NAND闪存工厂,并于未来
  • 关键字: 半导体  美光科技  NAND闪存  闪存芯片  

台湾工研院建固态硬盘认证平台

  •   固态硬盘(SSD)借低价电脑热潮迅速兴起,英特尔、三星等国际大厂结合NAND闪存芯片制造和技术优势走在前列,台系阵营为了急起直追,由当地工业情报机构工研院、测试厂百佳泰和台厂合力发起的“SSD联盟”(SSD Alliance)合作建立了一套测试认证平台,希望藉此机会把SSD硬件测试平台建立起来,为台湾厂商台厂抢占固态硬盘市场先机。   工研院电光所詹益仁表示,英特尔将推出容量高达80GB的SSD产品,2009年还将推出100GB产品,其他包括三星电子、东芝等厂商也都在积极介入
  • 关键字: 固态硬盘  NAND  闪存芯片  SSD  

08年全球MP3/PMP将托起闪存芯片销量

  •   MP3/PMP市场在经过4Q07传统旺季的促销热卖,达到单季6,300万台以上的销售纪录后,1Q08在淡季因素的效应影响下,出货量锐减至4,258万台。以目前全球MP3/PMP市场来看,Apple仍是MP3/PMP市场的领导品牌,今年第一季Apple在北美MP3/PMP市场的市占率达73%,全球市场其它的一线品牌尚包含Samsung、SanDisk、Sony、Creative与Philips等。   单以Apple目前的iPod系列产品来看,最引人关注的是高阶机种iPod Touch在2008年2月
  • 关键字: 闪存芯片  MP3  PMP  NAND Flash  

英特尔美光推指甲芯片 工艺最先进容量翻番

  •   【赛迪网讯】5月30日消息,当地时间本周四,英特尔和美光科技公布了它们联合开发的将催生大容量廉价固态硬盘的34纳米工艺、32Gb容量的NAND闪存芯片。   据国外媒体报道称,新款闪存芯片的尺寸大小不及指甲盖大小、利用300毫米晶圆片制造。英特尔官员称,这款闪存芯片是当前工艺最先进的NAND闪存芯片,将为在小型设备上提供廉价、大容量的固态硬盘奠定基础。   两家公司计划6月份交付样品芯片,批量生产会在今年下半年开始。   据英特尔讲,基于其新NAND闪存设计的一个32Gb芯片可以存储2000张高
  • 关键字: 英特尔  美光科技  NAND  闪存芯片  

大容量闪存芯片与DSP接口设计

  • K9K2G08U0M是三星公司的大容量闪存芯片,它的单片容量高达256MB。文中介绍了K9K2G08U0M的特性和使用方法,重点说明了与TI的TMS320F2812的硬件接口和软件编程。
  • 关键字: DSP  大容量  闪存芯片  接口设计    
共67条 4/5 |‹ « 1 2 3 4 5 »

闪存芯片介绍

闪存芯片 目录 闪存芯片简介闪存介绍 闪存的分类 闪存的速度其实很有限 NAND型闪存的技术特点擦除操作 寻址 决定NAND型闪存的因素1.页数量 2.页容量 3.块容量 4.I/O位宽 5.频率 6.制造工艺 闪存芯片简介 闪存介绍 闪存的分类 闪存的速度其实很有限 NAND型闪存的技术特点 擦除操作 寻址 决定NAND型闪存的因素 1.页数量 2.页 [ 查看详细 ]

热门主题

闪存芯片    树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473