- 据闪存业者透露，包括威刚，创见，劲永，以及闪存控制器制造商群联在内的多家台系闪存产品供应商已经开始从闪存芯片厂商SanDisk那里以成片晶圆的形式订货。消息来源并指出SanDisk与其合作伙伴东芝已经开始打入台系闪存产品市场，开始为以上这些台系闪存厂商供货。自从2008年9月份开 始，SanDisk要进入台湾闪存芯片市场的消息便开始流传，不过直到今天这个传言才变成现实。
SanDisk此前与部分台系闪存厂商之间曾因NAND闪存专利官司闹得不可开交，前者甚至还在美国起诉这些闪存厂商，不过现在San
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SanDisk 闪存芯片
- 最近NAND闪存芯片产业内部的竞争激烈程度已经到了白热化的阶段，今年一月份，Intel-镁光联盟刚刚宣布将在今年量产25nm制程NAND闪存芯 片，其对手SanDisk-东芝联盟便随后以牙还牙，宣布将于今年下半年推出基于24nm制程的NAND闪存芯片产品。
据SanDisk公司展示的产品发展路线图显示，SanDisk-东芝联盟推出的24nm制程NAND闪存芯片将可适用于两位元存储单元设计和三位元存储单元设计。而Intel-镁光联盟的25nm制程则仅可适用于两位元存储单
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SanDisk NAND 闪存芯片
- 消息人士周三透露，东芝未来三年内将投入8000亿日元(约合89.4亿)美元，在日本三重县(Mie Prefecture)修建一座闪存芯片制造厂。
报道称，东芝的这一计划将使该公司的NAND闪存芯片制造能力提高大约一倍。东芝原本打算在2008年修建该工厂，但受经济衰退致产品需求下滑的影响，东芝随后取消了该建厂计划。
市场调研公司iSuppli此前发布报告称，全球NAND闪存市场去年第三季度营收较第二季度的31亿美元，增长了25.5%，达39.4亿美元。东芝第三季度表现强于市场，其NAND闪存
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东芝 NAND 闪存芯片
- 南韩Hynix公司本周二宣布，继半年前成功开发出基于32nm制程的NAND闪存芯片产品，并于去年8月份开始量产这种闪存芯片之后，他们已经于日前成 功开发出了基于26nm制程的NAND闪存芯片。他们并称将于今年7月份开始量产基于26nm制程的64GB容量NAND闪存芯片产品.
按闪存芯片市占率计算，Hynix公司去年在闪存芯片市场上的市占率排在第三位，仅次于排在前两位的三星与东芝公司。据此前的报道显示，三星公司和由Intel和镁光公司合资成立的IM Flash公司均计划于今年第二季度推出基于25n
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Hynix 26nm NAND 闪存芯片
- 据Lazard 资本市场公司的分析师Daniel Amir预计，美光与Intel的合资闪存公司IM Flash将继续进行新加坡300mm闪存芯片厂的兴建计划。该公司早些时候曾宣布会在新加坡新建这家300mm芯片厂，不过后来公司宣布由于业务方面的 原因暂缓执行这项计划。目前IM Flash公司旗下仅在犹他州拥有一间300mm芯片厂。
Daniel Amir表示：“我们认为美光公司将继续努力增加其在闪存市场的份额，他们目前已经开始为新加坡300mm芯片厂订购生产设备.不过由于Intel目
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Intel 300mm 闪存芯片
- 英特尔公司和美光科技计划下周公布闪存芯片的新进展。
两家公司有一个生产NAND闪存芯片的合资企业，这种芯片应用于手机，音乐播放器和其他驱动器上。
2009年，两家公司表示，它们正开发提高闪存芯片性能的技术，在芯片的存储单元上存储三位数据。大多数NAND芯片单元储存一位或两位数据。
这样，两家公司就能以更高的存储性能，更低的成本生产芯片。
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英特尔 NAND 闪存芯片
- 1月19日，“909工程升级改造———12英寸集成电路生产线项目”启动仪式在上海宏力半导体制造有限公司举行。中共中央政治局委员、上海市委书记俞正声与全国政协原副主席胡启立共同启动了项目启动装置，上海市委副书记、市长韩正与国家发展和改革委员会副主任张晓强、工业和信息化部副部长娄勤俭、科技部副部长曹健林共同为上海华力微电子有限公司揭牌。
中国科学院副院长江绵恒，上海市委常委、常务副市长杨雄出席项目启动仪式，并分别代表中国科学院和上海市委、市
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- 韩国公平交易委员会在一份声明中表示尚未发现韩国或其他地区闪存厂商有操纵价格或其他垄断行为的证据。
该机构调查了四家NAND闪存制造商。在被调查的四家厂商中，两家位于韩国，其他位于美国和日本。不过公平交易委员会没有点出这些厂商的名字。NAND闪存适用于于各种手持设备，包括数字音乐播放器、数码相机和手机。
根据三星电子和东芝的说法，今年8月，美国司法部也结束了这样的调查。三星电子和东芝是全球前两大NAND闪存芯片制造商。
市场调查公司iSuppli的数据显示第三季度三星在全球NAND闪存
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海力士 NAND 闪存芯片
- 据业者透露，韩国厂商生产的三位元型MLC NAND闪存芯片新品在稳定性和耐用性方面不如现有两位元型产品，不过消息来源不愿意透露这家韩国厂商的具体名称。据消息来源透露，这家韩国厂商首批推出 的三位元MLC NAND闪存芯片只面向大陆以及美国地区的市场发售，不过目前部分销往美国市场的产品已经由于产品质量不稳定而遭到客户的退货。
据闪存控制芯片的厂商表示，三位元型MLC NAND闪存芯片技术目前还处在初级发展阶段，由于可能存在一些兼容性等方面的问题，因此需要3个月的时间对这种新产品进行充分的测试。
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- 据国外媒体报道，消息人士周一透露，东芝可能将投资2000亿日元(约合22亿美元)扩大NAND闪存芯片生产。到2010年4月底，东芝的闪存芯片生产规模将扩大40%。
报道称，东芝当前还计划在2012年3月之前，为半导体产业投资总计5000亿日元。市场调研公司iSuppli上周发布研究数据显示，今年第三季度全球NAND闪存市场业绩强劲，东芝表现最为抢眼，营收环比增长近50%。
iSuppli的报告称，全球NAND闪存市场第三季度的营收较第二季度的31亿美元，增长了25.5%，达39.4亿美元。
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- 台湾闪存芯片生产商旺宏电子新闻发言人林云龙今日表示，公司正考虑收购茂德科技旗下一座12英寸芯片生产工厂，他称“希望在农历新年前完成这样一笔收购交易”，但拒绝透露其中细节。
有台湾媒体报道称，旺宏电子此举为满足市场对闪存芯片的强劲需求，同时旺宏电子将斥资50亿元新台币收购该工厂，预计在明年第一季度完成交易。
目前，茂德科技方面尚未就此事发表评论。
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茂德 闪存芯片
- 美国内存大厂SanDisk近日公布第3季财报，意外由亏损转为强劲获利，主要由于销售额优于预期，以及先前减记的库存收入回补加持。这也反映了内存制造商持续受惠于闪存芯片市场好转趋势。
据国外媒体报道，SanDisk第3季由去年同期的亏损1.659亿美元或每股74美分，改善为获利2.313亿美元或每股99美分。去除特殊项目后，每股获利则为76美分，优于分析师预期的每股26美分。
该季营收增长14%至9.352亿美元，远优于公司今年7月份预估的介于7.25-7.75亿美元，以及分析师预期的7.87
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- 镁光34nm制程企业级MLC/SLC NAND闪存芯片已经进入试样阶段，MLC部分的存储密度可达32Gb，写入寿命达3万次，是普通MLC产品的6倍;SLC部分存储密度为16Gb，写入寿命同样为3万次，是普通SLC产品的3倍.
镁光这次开发成功的34nm MLC/SLC闪存芯片支持ONFI2.1接口规范(Open NAND Flash Interface)，数据传输率最高可达200MB/S，而且可以采用闪存封装内部集成多片闪存芯片的封装方案。
镁光表示，明年初这两种闪存芯片便可正式量产。
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镁光 NAND 闪存芯片 34nm
- 晟碟(SanDisk)今日推出了新的先进闪存芯片生产技术，旨在进一步帮助芯片生产商提高利润。
晟碟表示，已经开始向零售商供应采用这项名为X4的新技术的数据存储卡，这种存储卡包含容量为64G的闪存芯片，较当前市场上流通的芯片存储能力高出一倍。
晟碟称，X4技术将有助于降低闪存芯片的生产成本，从而提高该公司及其生产伙伴东芝的利润率。
晟碟总裁兼首席营运长Sanjay Mehrotra表示，该公司将采用了X4技术的芯片植入现有存储卡内，但并未在产品标签上作出区分，定价也没有变化，从而实现了
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SanDisk 闪存芯片 X4
- 日本最大闪存芯片制造商尔必达表示，可能投资至多400亿日元(约合4.52亿美元)提高40纳米芯片的产量，达到公司芯片总产量的一半。
尔必达发言人表示，公司计划今年开始大规模生产这一产品。他说，为了反映市场状况，尔必达决定加快投资步伐。
尔必达、三星电子、海力士半导体等芯片制造商正在降低芯片尺寸，以增加一片晶圆所能切割出的芯片数量，以此降低成本，应对产品价格不断下滑的局面。尔必达说，从当前的50纳米技术转向较小的芯片尺寸，公司可以将每片晶圆的芯片产量提高44%。
亚洲最大半导体现货市场
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尔必达 40纳米 闪存芯片
闪存芯片介绍
闪存芯片 目录
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闪存的分类
闪存的速度其实很有限
NAND型闪存的技术特点擦除操作
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决定NAND型闪存的因素1．页数量
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