- 三星近日宣布将开始量产两款30nm制程NAND闪存芯片产品。其中一种闪存产品采用类似DDR内存的双倍传输技术，据三星公司宣称，这种产品的读取带宽 是传统闪存芯片的3倍左右，单颗这样的DDR MLC闪存芯片数据传输峰值带宽可达133Mbps，而旧款闪存芯片则只能达到40Mbps的水平。
即便将这种芯片应用到闪存卡中，也能够保持60Mbps的持续读取速率，同样比传统闪存芯片的17Mbps快三倍左右。这种闪存芯片产品既适合智能手机，便携多媒体播放器等产品，也同样适用于SSD硬盘等设备。
另外一款
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三星 30nm NAND
- 北京时间12月2日消息，据国外媒体报道，《韩国先驱报》援引匿名消息人士的话报道称，三星2010年计划投资约7万亿韩元(约合60亿美元)扩大芯片业务。
消息称，其中约5万亿韩元(约合43亿美元)将用于扩大DRAM芯片业务，2万亿(约合17亿美元)韩元将用于扩大NAND闪存和逻辑芯片业务。
三星2010年芯片投资将比2009年的4万亿韩元(约合34亿美元)高75%。10月份发布第三季度财报时，三星曾表示明年芯片投资将超过5.5万亿韩元(约合47亿美元)。
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三星 NAND 逻辑芯片 DRAM
- 三星电子日前发表了“畅想世界、创新未来”，同时制定了2020年销售额4000亿美元，力争成为最大的IT企业、全球10大企业、品牌价值全球前5、最受尊敬企业全球前10、绿色环保前列企业等目标。
该目标是在本月初三星电子成立40周年的纪念活动上发表的。三星电子CEO李润雨在致词中表示：“在公司成立40周年之际，让我们向成为百年超一流企业的新目标挑战!”三星电子为实现 vision2020，制定了三大战略方向，分别为：实现新技术先导、新市场创出、新生活方
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三星 电子
- 近日，有某匿名厂商指控苹果在NAND闪存市场上“欺行霸市”，威逼闪存厂商。该厂商指苹果经常向韩系三星，海力士等厂商超额订货。《韩国时报》还报道称苹果经常采取等待闪存由于供过于求而出现价格下降时，才采购少量闪存的采购策略，这很容易导致闪存厂商的库存再次出现积压现象。
由于海力士与三星两家厂商的闪存业务对苹果依赖甚大，因此他们对苹果的这种策略可谓敢怒不敢言，只好被迫接受苹果将签订的长期订货协约价下调4%。这家未具名厂商的高管指这种行为“极为不合理”。
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三星 NAND
- 三星近日宣布将开始量产两款30nm制程NAND闪存芯片产品。其中一种闪存产品采用类似DDR内存的双倍传输技术，据三星公司宣称，这种产品的读取带宽是传统闪存芯片的3倍左右，单颗这样的DDR MLC闪存芯片数据传输峰值带宽可达133Mbps，而旧款闪存芯片则只能达到40Mbps的水平。
即便将这种芯片应用到闪存卡中，也能够保持60Mbps的持续读取速率，同样比传统闪存芯片的17Mbps快三倍左右。这种闪存芯片产品既适合智能手机，便携多媒体播放器等产品，也同样适用于SSD硬盘等设备。
另外一款三
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三星 30nm NAND
- 新闻事件：
三星表示无意购并英飞凌
市场上流传的购并传闻并不属实
全球最大存储器制造商三星电子(Samsung Electronics)发言人James Chung表示，三星无意购并英飞凌(Infineon)，市场上流传的购并传闻并不属实;此外，英飞凌表示不愿针对市场臆测发表评论。
日前市场传出英飞凌将遭三星购并的消息，造成英飞凌股价上扬，然三星迅速出面否认购并的可能性。
英飞凌为德国半导体大厂，日前遭遇财务困难以2.43亿欧元(约3.65亿美元)将有线通讯事业卖给私募基
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三星 存储器
- 11月25日消息，韩国三星电子周三表示，对德国芯片厂商英飞凌没兴趣，关于有意与英飞凌讨论并购一事也不正确。
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三星 芯片 英飞凌
- 全球半导体产业2009年几乎没有什么值得高兴的事情，营业收入预计下降12.4%，且10大供应商中只有一家实现增长。但是，饱受打击的芯片制造商还有一点可聊以自慰：情况没有变得更糟糕。
“2009年营业收入比2008年锐减320多亿美元，它将作为全球半导体行业史上最糟糕的年份之一留在人们的记忆之中，”iSuppli公司的高级副总裁Dale Ford表示，“但iSuppli公司下滑12.4%的初步估计，远远好于2009年初预期的暴跌逾20%。”
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三星 半导体
- 市场研究机构水清木华日前发布"2009年手机内存行业研究报告"指出,NOR闪存在512Mb是个门槛.高于350Mb,NOR闪存的成本飞速增加.同时,NOR闪存的应用领域单一,应用厂家很少;而NAND闪存则容量越大,成本优势越明显,应用领域更广泛,应用厂家也多.手机市场变化迅速,现在每一款手机的生命周期通常都小于5年,NOR最强大的优势"长寿"也不复存在.尽管NOR闪存的成本在进入65纳米后也大幅度下降,但是专心NOR领域的只有Spansion.而NAND领域,三
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三星 NAND NOR RAM
- 三星电子(Samsung Electronics)加速制程微缩，积极导入40纳米制程，第4季已开始小幅试产DDR3，预计2010年下半40纳米将成为主流制程，成本结构再度领先竞争同业，而美光 (Micron)阵营50纳米制程2010年大量产出，尔必达(Elpida)也将导入Extra 65纳米制程，之后跳40纳米制程，2010年全球DRAM产业成本进一步下滑。
三星目前56纳米制程DRAM产能比重超过一半，并已开始小量采用新一代的40纳米制程生产DDR3芯片，成本结构再度领先同业，市调机构预估，
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三星 40纳米 DRAM
- 根据彭博报导，全球最大液晶面板厂韩国三星电子(Samsung Electronics)计划以10兆韩元 (折合87亿美元)，投入韩国Tangjung厂，以扩大面板生产。
三星发言人James Chung今天接受电话访问，证实东亚日报相关报导。他指出，三星将于2011年至2015年进行投资，藉此扩大液晶显示器(LCD)生产。
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三星 液晶面板
- 三星近日斥资13亿美元,以获得未来15年使用高通在CDMA、WCDMA和OFDMA方面专利的权利。
三星在提交给首尔证券交易所的声明中称,三星通过支付预付款来获得使用高通在无线技术包括CDMA方面技术的许可,此外三星还将授权高通使用其在移动技术方面57%的专利,技术交叉许可协议中包括使用在手持设备和基站的4G无线技术。
由于三星和高通刚刚修订了两家公司特许权使用费的相关条款,所以三星本次支付的专利授权使用费较以往大大降低。据悉,根据三星与高通协议,三星将支付13亿美元来获得使用高通在CDM
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三星 CDMA OFDMA 移动技术
- 韩国三星公司最近显著加大了逻辑芯片制造技术的研发力度，该公司最近成立了新的半导体研发中心，该中心将与三星现有的内存芯片制程技术研发团队一起合作， 进行新半导体材料，晶体管结构以及高性能低功耗半导体技术的研发。另一方面，三星旗下的芯片厂除了正在积极准备45nm制程芯片的量产，同时作为IBM技 术联盟的一员，也在积极研发下一代32nm/28nm制程技术.
三星表示，新研发中心与现有的内存芯片制程技术研发团队的强强组合，将极大推动三星半导体制程技术的发展速度，有助于提升三星Hig-K，3D晶体管以及极
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三星 内存芯片
- 三星公司今天宣布，该公司已经成功开发出了全球最薄的Multi-die堆叠封装技术，将8颗闪存晶片(Die)层叠封装在一颗芯片内，厚度仅为0.6mm，比目前常见的8层封装技术厚度降低一半。三星的这项技术最初是为32GB闪存颗粒设计的，将8颗30nm工艺32Gb NAND闪存核心层叠封装在一颗芯片内，每层晶片的实际厚度仅为15微米，最终封装完成的芯片才实现了0.6mm的厚度。据称这样的超薄大容量闪存芯片可 以让手机和移动设备设计者在存储模块上节省40%的空间和重量。
三星称，这项层叠封装新技术的关键
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三星 封装 Multi-die
- 根据调查，今年第三季，DDR3在计算机系统厂商积极拉抬PC搭载DDR3比例下，需求量激增，DDR3合约价在第三季大涨36%，现货价也在合约价的带动下上涨24%。DDR2方面，由于DDR3合约价格大涨，亦带动DDR2合约价格的涨势，且在第三季国际DRAM大厂转进DDR3相当积极，导致DDR2出货量减少效应持续发酵，部份PC OEM厂商亦已逆向操作增加DDR2的库存水位，使得本季DDR2合约价涨幅高达31%、现货价格涨幅亦高达30%，涨幅与DDR3不惶多让。
第三季各DRAM厂商营收在DDR3合约价
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三星 DRAM DDR3 DDR2
三星介绍
韩国三星电子成立于1969年，正式进入中国市场则是1992年中韩建交后。1992年8月，三星电子有logo限公司在中国惠州投资建厂。此后的10年，三星电子不断加大在中国的投资与合作，已经成为对中国投资最大的韩资企业之一。2003年三星电子在中国的销售额突破100亿美元，跃入中国一流企业的水平。2003年，三星品牌价值108.5亿美元，世界排名25位，被商务周刊评选为世界上发展最快的高科技品牌。
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