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华虹NEC 非外延0.35um BCD工艺进入量产

作者:时间:2009-08-24来源:SEMI收藏

  世界领先的纯晶圆代工厂之一,上海电子有限公司(以下简称“”)19日宣布,公司非外延0.35um BCD工艺开始进入量产。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/97425.htm

  在2008年成功研发并量产了 (0.35 微米Bipolar CMOS DMOS)工艺。针对市场的不同需求,华虹NEC现又推出了非外延工艺的 0.35um BCD工艺,即PMU350工艺。PMU350在的基础上用deep Nwell替代了外延层,并简化了工艺流程,使该工艺更具竞争力。目前,PMU350工艺已经顺利通过了产品验证,进入量产。

  华虹NEC PMU350工艺主要面向等领域,该工艺的标准配置包括3.3V/5V的CMOS,12V/18V/30V/40V的LDMOS以及垂直的NPN和水平的PNP双极管。此工艺同时还提供高精度的电阻、高密度的电容及一次性可编程器等多种器件以方便客户选用,是LED驱动芯片、AC-DC转换器、DC-DC转换器、电池保护和充电保护芯片的最佳工艺选择之一。

  华虹NEC总裁兼CEO邱慈云博士表示,PMU350工艺的成功量产,将为客户提供更多的工艺选择。为了持续不断地在该平台上推出下一代工艺来满足客户需求,华虹NEC已经在开发0.18微米 BCD技术平台,以期为客户的和SOC芯片提供更高端的技术,填补大陆代工市场的空白,成为BCD领域的领航者!



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