半导体C-V测量基础
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图5. 利用吉时利4200-SCS进行参数提取的实例表现了半导体的掺杂特征(左边的蓝线)，它与1/C2 与Vg的关系呈倒数关系(红线)。右图给出了掺杂分布，即每立方厘米的载流子数与衬底深度的函数关系。
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/96649.htm通常，人们都希望工程技术人员和研究人员在几乎没有任何仪器使用经验或培训的情况下就能够进行C-V测量。具有直观用户界面和简单易用特征的测试系统使得这一点成为现实。其中包括简单的测试配置、序列控制和数据分析。否则，用户在掌握系统方面就要比采集和使用数据花费更多的时间。对测试系统其它考虑因素包括：
· 紧密集成的源-测量单元、数字示波器和C-V表
· 方便集成其他外部仪器
· 基于探针的高分辨率和高精度测量(直流偏压低至毫伏级，电容测量低至飞法级)
· 测试配置和库易于修改
· 提供检测/故障诊断工具帮助用户确定系统是否正常工作
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