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半导体C-V测量基础

作者:吉时利仪器公司时间:2009-07-28来源:收藏

  这些测量考虑了与电容相关的串联与并联电阻,以及耗散因子(漏流)。图4给出了这类测量可以测出的主要电路变量。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/96649.htm

 

                       z, theta:阻抗与相角

                        R+jX:电阻与电抗

                        Cp-Gp:并联电容与电导

                        Cs-Rs:串联电容与电阻

                                                                                          其中:Z=阻抗

D=耗散因子

θ=相角

R=电阻

X=电抗

G=电导

4. C-V测量得到的主要电气变量

成功C-V测量的挑战

C-V测试配置的框图虽然看上去非常简单,但是这种测试却具有一定的挑战。一般而言,测试人员在下面几个方面会遇到麻烦:

· 低电容测量(皮法和更小的值)

· C-V测试仪器与圆片器件的连接

· 漏电容(高D)的测量

· 利用硬件和软件采集数据

· 参数提取



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