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解决SMPS难题

作者:Hangseok Choi 飞兆半导体公司时间:2009-06-16来源:电子产品世界收藏

  * 方波发生器通过驱动开关Q1和Q2产生一个方波电压(Vd)。换言之,下面和上面的的占空比应该分别为D和1-D。这时,两次转换之间一般有一个很小的死区时间。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/95315.htm

  * 能量传送网络包含一个DC隔直电容和一个变压器。这个网络利用DC隔直电容(CB)消除方波电压(Vd)的DC偏移,然后通过变压器把纯AC方波电压传送到次级端。由于存在泄漏电感,变压器初级端电流Ip滞后于加在变压器初级端上的电压,这就让得以零电压导通。如图2所示,在其中一个开关断开之后,Ip对输出电容进行充电(或放电),最终开关电压从一个输入电轨变化到另一个(从Vin到地或从地到Vin)。接着,Ip继续流经反向并联的体二极管。只要体二极管导通,相应的MOSFET就能够零电压导通。这种软开关方案不仅可降低开关损耗,还能减小电磁干扰(EMI)。

  * 整流器网络利用整流二极管和低通LC滤波器对AC电压进行整流,最后产生DC电压。这个整流器网络可采用全波的桥式结构或中心抽头式结构。

  针对不对称半桥转换器设计的集成式功率开关

  半导体的集成式“Green FPS”功率开关FSFA2100系列是专门针对不对称半桥转换器设计而开发的一种技术。这种技术在单个器件中整合了控制器、高端驱动和SuperFET,只需要极少数量的外部元件。图3所示为其内部模块示意图。在大功率转换器应用中,一向是棘手部分,因为在布局时,为了把噪声干扰降至最低,必需让栅极驱动器和控制电路尽可能地靠近MOSFET。FSFA2100把栅极驱动器及控制电路与MOSFET集成在一起,使这些器件之间的距离最小化,从而大幅减小了终端应用的噪声干扰。此外,这样做也减少了宝贵的设计时间,使生产力得以提高。



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