PSHI 3系列
IGBT驱动器是基于具有自主知识产权的ASIC而设计的智能型1700V双路
IGBT驱动器，包括逻辑信号处理的ASIC PSD001，门极驱动的ASIC PSD002。集成了电平选择、逻辑信号处理、故障锁存及处理、短路保护、欠压保护、互锁、电气隔离、DC/DC隔离电源等，工作温度范围为－45℃~＋85℃，其中:
PSHI 302适用于200A以下的
IGBT驱动；
PSHI 332适用于150A-800A的
IGBT驱动；
PSHI 362适用于400A-1200A的
IGBT。
驱动特点●工作模式可以选择为半桥模式或两个单路模式。
●输入可兼容CMOS/TTL(HCMOS)电平(5V;15V逻辑电平)。
●通过Vce 提供短路保护。
●发生短路时，具有软关断功能。
●通过变压器（而非光耦）进行电气隔离。
●电源欠压保护(<13V)。
●故障记忆，输出电平高低有效可选。
●半桥工作模式下，具有上下管互锁功能。
●内置驱动用隔离开关电源。
●短脉冲抑制功能 (小于500ns的短脉冲被抑制)。
●可选双低复位或自动复位。
●工作频率＞100kHz。
极限参数(Ta=25℃)
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符号
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含义
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PSHI 302
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PSHI 332
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PSHI 362
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单位
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V S
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原边电压
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18
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V
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V iH
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输入信号高电平
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VS+0.3
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V
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I outPEAK
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输出峰值电流
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± 4
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± 8
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± 16
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A
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I outAV
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输出平均电流
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± 35
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± 50
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± 100
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mA
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V CE
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IGBT ， CE 极电压
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1200 / 1700
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V
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dv/dt
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电压变化率
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75
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kV/us
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V isol IO
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输入输出隔离电压 (1 分钟 , 交流 )
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4000
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V
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V iso 12
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两路输出之间的隔离电压
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＞ 1700
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V
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R Gon min
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最小门极开通电阻
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5.5
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2.7
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1.5
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Ω
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R Goff min
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最小门极关断电阻
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5.5
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2.7
|
1.5
|
Ω
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Q out/pulse
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充电电荷
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± 2.4
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± 4.8
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± 10
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uC
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T op
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工作温度
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－ 45~ ＋ 85
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℃
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T stg
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储存温度
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－ 45~ ＋ 85
|
℃
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