英飞凌和南亚科技联合宣布90纳米制程技术研发成功并开始批量生产

英飞凌科技公司和南亚科技公司近日联合宣布，由英飞凌和南亚科技在英飞凌德国德累斯顿研发中心联合开发的90纳米DRAM技术成功通过认证。两家公司联合开发的90纳米内存产品获得了主要客户的认可，并通过了英特尔的验证。在英飞凌公司德累斯顿300mm晶圆生产线上，90纳米DRAM产品已经开始批量生产。作为全球第二个引进90纳米技术的DRAM制造商，英飞凌在5月底之前已经成功将其DRAM全球产量的5%从110纳米工艺转换成90纳米工艺。英飞凌和南亚科技的合资公司台湾华亚半导体公司现在已经开始向90纳米技术转型。提前采用新一代技术将大幅降低生产成本，提高产品性能，同时也是提高DRAM生产盈利能力的最重要因素之一。

与先前的110纳米工艺相比，90纳米工艺进一步缩小了芯片尺寸，从而使每片晶圆的芯片产量可以增加30%以上。缩小芯片尺寸和使用300mm晶圆实现的生产率提高是芯片生产成本大幅下降的基础。英飞凌和南亚科技的联合开发还包括下一代70纳米制程技术。

“采用90纳米工艺生产的DRAM产品成功通过认证，是我们在取得产品和技术领袖地位和提高DRAM生产率的道路上的一个重要里程碑，”英飞凌公司管理委员会成员兼英飞凌内存产品事业部总裁Andreas von Zitzewitz博士表示，“与南亚科技联合进行的成功开发证明了英飞凌合作方式的效率，并为我们在瞬息万变的DRAM行业赢得了竞争优势。我们的研发团队已经以同样的热情投入到更小型内存产品的开发中去了。”

“联合开发的90纳米产品展示了南亚科技与英飞凌联合开发项目的效果和效率，” 南亚科技公司总裁Jih Lien博士说道，“研发成果鼓舞人心。但南亚科技批量生产最先进的90纳米产品的领先能力是一个更为重要的成就。”

90纳米工艺结构的推出在很大程度上得益于110纳米时代先进的193纳米光刻技术。193纳米光刻技术是缩小工艺结构不可或缺的因素。通过引进所谓的“棋盘单元阵列（checkerboard cell array）”， 只要利用标准的表面增强方法，而不需要运用复杂的高K电介质，就可以实现卓越的存储容量。 

除了成本优势之外，采用更小的工艺结构是生产用于移动世界的高速、低功耗DDR2和DDR3 SDRAM的关键。随着第一件产品512Mb DDR SDRAM通过客户认证，英飞凌和南亚科技成为业界第二家采用90纳米技术生产DRAM的制造商。512Mb DDR2 SDRAM相关系列产品预计在2005年下半年推出。包括256 Mb DDR2 和1G DDR2在内的其他产品将在稍后推出。