飞兆半导体的高压SuperFET产品在降低总成本的同时可以优化系统效率和可靠性

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出8款新型高压SuperFET™  MOSFET器件，专为高效的高压、快速电能转换应用而设计，例如有源功率因数校正(PFC)、照明电子和AC/DC电源系统等。

SuperFET技术通过降低RDS(ON)  和栅极电荷 (Qg) 来减小导通损耗及开关损耗。这项技术可降低电压和电流的瞬态转换速度(di/dt、dv/dt)，确保器件能在更高频率下可靠地运行。新的SuperFET 系列也具有很高的额定重复性雪崩特性，比同类方案高出一个数量级。栅-源电压最高额定值为