日立联合瑞萨开发用于片上非易失性存储器应用的1.5V低功耗、高速相变存储模块
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日立和瑞萨科技在2007年2月11日在美国旧金山举行的国际固态电路会议（ISSCC）上提交了有关报告。
最近几年，微控制器已成为车载系统、家庭电子产品和移动电话等各种类型控制和信息设备及工业设备的核心元件。随着产品变得越来越复杂和多功能，这些微控制器处理的信息量也在迅速增加。因此，这些微控制器的片上非易失性存储器需要更高的性能和密度来存储数据和程序。与此同时，由于写周期的高度耐用性、简单的结构和易于制造，相变存储器正在成为新一代片上非易失性存储器有前途的候选者。
相变存储器是一种非易失性存储器，它是利用电流产生的焦耳热量形成的一种双相变的薄膜电阻—— 一种是非晶态*3（高阻值），另一种是晶态（低阻值）。利用这种电阻的“1”和“0”信息的差异，即可执行存储和读出操作。日立和瑞萨科技以前开发过一种低功耗操作相变存储器，它在界面层使用了五氧化钽，可以利用1.5V电源电压和100μA电流进行写操作。与传统的片上非易失性存储器相比，这种存储器可以降低写电压，在芯片内无需使用产生高压的电源电路，从而有助于减小模块尺寸，并实现更高的密度。不过，由于读取电流很小，存储器阵列电路技术非常关键，这样才能保证在小电流条件下实现高速运行。
新开发的电路技术具有以下特性。
（1）写电路技术有助于利用小电流实现高速写入
1）两步电流控制的数据写入方法
高速写入是利用控制两步写入过程中流经相变薄膜的电流来实现的，首先是100μA的电流，然后是低于100μA的电流，以有效地产生焦耳热量。
2）串写方法
通常，存储器的写入是多位同时执行的。由于写入所需的电流为[单元写电流
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