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哪些半导体公司会成为22nm FD-SOI的尝鲜者?

作者:时间:2015-08-20来源:华强电子网 收藏

  宣布推出其全新的“”工艺平台,成为全球第一家实现22nmFD-SOI(全耗尽绝缘硅),专为超低功耗芯片打造。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/279013.htm

  FD-SOI技术仍然采用平面型晶体管,目前并不为业内看好,因为无论Intel还是三星、台积电,22n时代起就纷纷转入了立体晶体管,也就是FinFET。技术实力欠佳,自己搞不出足够好的立体晶体管技术,22nm上只能继续改进平面型,20nm上努力了一阵放弃,14nm索性直接借用三星的。尽管如此,GF22nmFD-SOI工艺也是有一些独特优势的,虽然无法制造高性能芯片,但也很适合移动计算、IoT物联网、射频联网、网络基础架构等领域。

  宣称,该工艺功耗比28nmHKMG降低了70%,芯片面积比28nmBulk缩小了20%,光刻层比FinFET工艺减少接近50%,芯片成本比16/14nm低了20%,而且功耗超低,电压可以做到业界最低的0.4V,并可通过软件控制晶体管电压,还集成了RF射频,功耗降低最多50%。甚至,它可以提供类似FinFET工艺的性能。哪些半导体公司会成为22nmFD-SOI的尝鲜者呢?

  GF22nmFD-SOI工艺将于2016年下半年在德国德累斯顿工厂投产,为此已投资2.5亿美元。ARM、Imagination、意法半导体、飞思卡、VeriSilicon、IBS、Semeria、Soitec等都表达了支持,将会采纳。

  意法半导体CEOJean-MarcChery表示:GLOBALFOUNDRIES的FDX平台,使用的先进FD-SOI晶体管结构是我们长期的合作研究而来的,能满足IoT对always-on和低功耗的需求,以及其它功耗敏感的设备的需求。

  飞思卡尔的MCUgroupVPRonMartino表示:飞思卡尔的下一代i.MX系列应用程序处理器利用FD-SOI工艺实现低功耗。GLOBALFOUNDRIES平台将FD-SOI扩展到28nm以下,对成本和功耗都带来显著优化。

  ARM物理设计部总经理WillAbbey表示:我们正在与LOBALFOUNDRIES密切合作,提供客户所需的IP生态系统,帮助他们从技术中获益。

  VeriSilicon总裁兼首席执行官戴伟民表示:VeriSilicon已经拥有利用FD-SOI技术实现IoTSoC的经验,我们已经通过FD-SOI实现超低功耗的应用。我们期待与GLOBALFOUNDRIES在22FDX继续合作。

  ImaginationTechnologies营销副总裁TonyKing-Smith指出:GLOBALFOUNDRIES的22FDX与Imagination的广泛IP组合结合后会赋予我们共同的客户更多创新设计,这些IP包括PowerVR多媒、MIPSCPU和Ensigma通信。

  IBS公司创始人兼首席执行官HandelJones表示,FD-SOI技术可以提供一个多节点、低成本方案,GLOBALFOUNDRIES的22FDX在一个低成本平台上实现了FD-SOI技术的最低功耗。

  CEA-Leti公司首席执行官Marie-NoelleSemeria表示,只需要对现有设计和制造方法进行微小调整,FD-SOI就能显著改善性能和功耗。我们可以共同为相关技术提供易用的设计和制造技术。

  “Soitec首席执行官PaulBoudre表示,对下一代的低功耗电子产品来说,这是一个关键的里程碑。作为GLOBALFOUNDRIES的战略合作伙伴,我们的超薄SOI衬底已经准备好应对22FDX技术量产。



关键词: GlobalFoundries 22FDX

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