PC衰退冲击存储器供应商业绩

　　PC产业衰退以及市场对DRAM的需求趋缓，让海力士(SK Hynix)的 2015年第二季业绩受到影响，当季净营收为9.6亿美元，低于分析师预期;而在海力士最新财报公布之前不久，美光(Micron)也才公布了其第三季财报，并降低了第四季的财报预测。

　　在此同时，市场研究机构Gartner将对 2015年整体半导体产业营收成长率的预测砍半，来到2.2%;其理由是包括PC在内的电子装置市场疲软不振。而苹果(Apple)最新财报则显示，其最新一季iPad销售量低于去年同期。

　　Gartner的最新预测指出，半导体产业销售额将因为PC与智慧型手机需求衰弱，而呈现为期两年的低潮，得等到2017至2019年才能恢复典型的4~5%年成长率(参考阅读。

　　随着PC用DRAM市场低迷，SK Hynix表示该公司将更专注于高性能记忆体，扩充行动装置应用的DDR4、LPDDR4与NAND快闪记忆体，以及固态硬碟(SSD)产能，此外还有10奈米TLC (triple level cell)架构NAND快闪记忆体，以及第二代的3D记忆体产品。

　　市场研究机构Technavio 最近一篇报告预测，全球行动记忆体市场预期在 2015年至2019年之间，可取得15%的复合平均年成长率(CAGR);该机构表示，与2D NAND相较，行动记忆体由于储存容量增加，预期在市场上会获得更多采用。

　　Technavio将SK Hynix视为行动NAND快闪记忆体的关键供应商，其他供应商还有金士顿(Kingston)、三星(Samsung)、SanDisk、东芝(Toshiba)与美光。SK Hynix已经开发了高频宽记忆体(high bandwidth memory，HBM)，以解决DDR4 SDRAM以及某种程度上DDR5的频宽限制;该技术涉及四层DRAM与逻辑晶片，以矽穿孔(TSV)与微凸块制作晶片互连。

　　SK Hynix的高频宽记忆体堆叠四层晶片

　　对于获利减少，美光也归因于PC的衰退，而且如同SK Hynix，该公司对行动记忆体与NAND快闪记忆体前景乐观。而虽然DRAM市场萎缩对SK Hynix以及美光都产生负面影响，SRAM市场的衰退却未对Cypress Semiconductor的营收带来冲击。

　　Cypress最近虽然求购Integrated Silicon Solution失败，该公司的 2015年第二季业绩表现亮眼，而且当季是其合并Spansion业绩的完整一季;Cypress第二季营收为4.91亿美元，该公司表示当季毛利率达到41%高标，与预期相符。

　　在第二季，Cypress扩充了Spansion设计的NOR HyperFlash系列产品，新增256Mb记忆体，以及新推出一款3-V HyperFlash元件，支援高频宽、低脚数的HyperBus介面。

　　此外Cypress还发表了4Mb串列式铁电记忆体(FRAM)，锁定经常连续高速读写资料以及对高资料安全性有需求的应用，包括医疗、工业与汽车等领域。Cypress也推出诉求高密度的同步SRAM，配备晶片上纠错码(Error-Correcting Code，ECC)，并将继续扩充该系列产品。