NRAM已准备好进军市场？

　　美国记忆体技术开发商Nantero最近宣布进行新一轮融资，并准备“浮出水面”──因为该公司认为其独家的非挥发性随机存取记忆体(non-volatile random access memory，NRAM;或称Nano-RAM)，已经准备好取代企业应用或消费性应用市场上的储存级记忆体。

　　Nantero已经向新、旧投资人募得3,150万美元资金，可用以加速NRAM的研发;该公司执行长Greg Schmergel在接受EE Times 美国版编辑电话访问时表示，NRAM是以碳奈米管为基础，也就是碳原子组成的圆柱体。那些直径仅1~2奈米的奈米管比钢更强韧，而且导电特性比其他已知的晶片制造材料更好。

　　其实Nantero早在2001年就已经成立，但是目前仍然像是一家新创公司，它曾经名列EE Times的2013年版“前十大值得关注新创公司”排行榜;Schmergel透露，与系统与元件制造商的合作进展，将让Nantero渐渐脱离潜水模式。他指出，NRAM已经准备好商业化以及量产，Nantero已经开始提供4Mb的高良率NRAM晶片样品，而目前已经有7座量产CMOS晶圆厂安装了NRAM制程。

　　Schmergel强调，NRAM技术能提供许多优势，包括读写次数与DRAM相同，而速度则比手机与固态硬碟(SSD)使用的NAND快闪记忆体高一百倍：“其耐久性基本上是无限制的，因为碳奈米管永远不会耗损。”测试结果显示，NRAM在极端温度下仍能维持稳定运作，该种记忆体甚至接受了航太业者洛柯希德˙马丁(Lockheed Martin)与美国太空总署(NASA)在太空梭亚特兰提斯号(Atlantis)上的辐射线轰炸测试。

　　回到地球上;Schmergel表示，NRAM的商业化优势还包括比DRAM或快闪记忆体功耗更低，此外碳奈米管的小尺寸，意味着能以更小体积元件储存更多资料，使其适合笔记型电脑、手机、甚至可穿戴式装置与物联网设备等终端系统：“还有很多我们无法预期的应用。”

　　而Schmergel指出，NRAM在成本上也有显着优势，因为碳奈米管体积小，元件尺寸能轻易微缩，意味着NRAM不会面临与其他种类记忆体相同的制造挑战;现有的CMOS晶圆厂也不需要额外的设备就能生产NRAM，因为该技术多年来的开发成果，已经使其能完全相容于现有半导体设备：“你能使用任何一种你想用的微影技术，这非常具成本效益。”

　　Nantero独家开发的NRAM记忆体是以碳奈米管为基础

　　不过Schmergel也表示，Nantero不会自己生产NRAM，而是会将技术授权给元件或装置制造商;他透露低第一款NRAM产品，会是与DRAM记忆体插槽相容的模组，而装置业者能将该碳奈米管储存方案，布署在NAND快闪记忆体电路的顶层。

　　对于Nantero，市场研究机构WebFeet Research执行长Alan Niebel表示，该公司埋首于NRAM技术开发超过十年，现在终于是展现成果的时候;而该技术最严峻的考验，是能在多快的时间内整合进晶片。存取次数、功耗、耐久性、可扩展性以及制程简易度等条件的表现，则将决定NRAM是否可行或能否被大量采用;但他预期嵌入式NRAM在2016年以前不会出现在市场上，而还要再过一年时间才能见到独立式的NRAM元件问世。

　　Niebel认为，碳奈米管的耐久性确实颇具吸引力，而若Nantero真能降低该技术成本、实现其通用性，NRAM将会是非常值得关注的技术。不过他也指出，NRAM的制造成本可能会比DRAM便宜，可能还是会高于NAND快闪记忆体;此新记忆体技术还需要大量的实作、测试与制程最佳化。

　　Nantero可能会在某些应用领域看到NRAM能取代DRAM的机会，但是DRAM恐怕不是那么容易在短时间之内被大量替代的;根据韩国业界消息，三星电子(Samsung Electronics)与SK海力士(SK Hynix)等厂商，都计划在DRAM产能上投资更多，以因应来自手机等行动装置对该记忆体技术的稳定需求。

　　在记忆体领域，总是会有新兴技术想取代DRAM或NAND快闪记忆体，不过只是某些特定应用领域，例如电阻式记忆体(resistive RAM，RRAM)、磁阻式记忆体(MRAM)，以及还需要进一步最佳化的相变化记忆体(phase-change memory，PCM)技术。