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瑞萨科技宣布开发出superSRAM

作者:电子设计应用时间:2004-07-14来源:电子设计应用收藏
通过开发新型存储单元,并将SRAM单元与DRAM电容器技术相结合,公司开发出了业界第一个实际上没有软错误*1的SRAM,称作“superSRAM”。这种新型SRAM将投入商业性生产,并用于移动应用中的16M位小功率SRAM。在6月17日(当地时间)于美国夏威夷举行的2004 VLSI技术研讨会*2上,将介绍这种产品的详细情况。

下面总结了这种技术和产品的主要性能。

(1)很高的软错误容错性
先前的0.13 μm工艺16M位小功率SRAM(没有ECC电路*3)相比,软错误率大约减小了4个数位,这是通过在每个存储单元的存储节点*5上使用DRAM单元中使用的那种圆柱电容器*4来实现的。α射线辐射实验证实,这种产品首次实现了SRAM中没有由软错误引起的位错误。

软错误容错率问题这一常规 SRAM存在的基本问题,已经得到解决,可以实现更高可靠性、更高密度的SRAM。

(2)在业界0.15 μm工艺SRAM产品中,它具有最小的元件尺寸。
通过将使用TFT*6的SRAM单元与DRAM电容器组合起来,开发出的新型单元,在业界0.15 μm工艺SRAM产品中,具有最小的元件尺寸:0.98 μm2。其单元尺寸,比目前的基于CMOS 0.15 μm工艺的SRAM小一半多。它可以大大减小芯片尺寸、使移动设备更小巧。

另外,数据保持电流可以达到小于1 μA。与使用DRAM存储单元的赝SRAM不同,新型SRAM单元不需要刷新操作。与赝SRAM相比,数据保持电流大约提高了2位数,用于更低功耗的移动应用。

(3)可以使用现有的0.15 μm工艺制造。
不需要使用特殊的工艺,就可以实现更高的性能和更小的元件面积。可以使用现有的工艺技术制造,从而可以尽快地将产品投放市场



关键词: 瑞萨科技 存储器

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