新闻中心

EEPW首页 > EDA/PCB > 业界动态 > 中芯国际自主搞定38nm NAND闪存

中芯国际自主搞定38nm NAND闪存

作者:时间:2014-09-15来源:慧聪电子网收藏

  (SMIC)今天宣布,完全自主研发的NAND闪存工艺已经准备就绪,凭此成为国内唯一一家可为客户生产NAND产品的代工厂。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/262898.htm

  闪存主要面向嵌入式产品、移动计算、物联网(IOT)、电视及机顶盒等应用领域,也可用于串行外设接口SPINAND。

  在此之前,已经连续开发出了130nm、65nm等工艺的特殊NOR闪存平台,后续还会继续研发2x/1xnmNAND、3DNAND等先进工艺。

  虽然中芯国际的技术和当前国际主流的20/19nmNAND闪存差了一大截,东芝、美光等的16/15nmNAND也都开始量产了,但这毕竟是中芯国际的“第一次”,实现了巨大的飞跃,打破了国际垄断,后续也值得期待。



关键词: 中芯国际 38nm

评论


技术专区

关闭