FRAM使安全气囊系统更加智能化
安全气囊系统正在经历两个主要变革。首先，在较新型的安全气囊系统中，增加了“智能”。不再像过去那样用最大力打开气囊，好像所有的事故和乘客状况都相同，而是根据具体的事故和乘客参数确定作用力，可能包括碰撞的严重度、乘员的重量以及座位相对安全气囊的位置。那些曾经受过标准安全气囊影响的人会对赞同可变力的。智能安全气囊也能分辨出乘客座位是否为空，如果为空，乘客安全气囊就不必要打开。考虑到每部汽车的安全气囊数量在增加，并且在即使很小的事故中更换气囊的成本也在增加，因此在为消费者大幅节省修理和保险成本方面,这一变革是有潜力的。
第二个变革是汽车正日益配置事件数据记录仪(EDR)，这种装置能收集碰撞信息，类似于飞机的“黑匣子”。安全气囊电子控制单元(ECU)通常包括有EDR功能。这一分法很自然，因为EDR没有飞机“黑匣子”的残存性要求，并且安全气囊控制器是大量重要的传感器输入的主要接收者。汽车制造商也很快指出没有独立使用EDR的空间。
这两种安全气囊存储器应用对存储器的要求很苛刻，但两者却完全不同。因为在重事故中很可能电源会在某种程度上丧失，所以两者都需要一个非易失性存储器。要重建事件，则数据必须存储到系统中能写入的鲁棒的非易失性存储器中。图1给出了一种具有FRAM存储器存储的基本安全气囊系统的框图。
对EDR，难点与希望的数据量和可用的存储时间有关。预计新规则将大大扩展要获取的数据量。发生严重事故时，电源很可能丢失。这时，EDR系统在系统掉电前，快速将数据储存下来。在事故中，电源总是突然断掉，常规非易失性存储方案花费时间太长，无法编程新信息。
FRAM提供的技术方案能同时应对这两种挑战。像其它的可选方案一样，FRAM具有可靠的非易失性存储。主要差别是其写操作的高耐久性(能写很多次)和写速度。
安全气囊应用普遍选择5V工作的串行外设接口(SPI)FRAM存储器，这些器件的写耐久性超过1万亿次(1×1012)写操作，这足够智能安全气囊连续写操作了，能实现乘员数据无缝记录。这些器件也能以总线接口速度进行写操作。无延迟地以5MHz到20MHz速率写能使主处理器流数据尽可能地快，同时丢失信息的风险非常小。非易失性、无与伦比的写耐久性再配上快速数据采集能力，使FRAM成为下一代高级安全气囊系统的理想存储器工艺。
以前，汽车应用的主要非易失性存储器工艺是栅极悬空的器件，如EEPROM或闪存。栅极悬空器件都采用一SiO2薄层将多晶硅栅极与沟道隔离。对器件编程时，在控制栅极上产生高压使电子加速流向源极(N沟道器件)。因此，电子获得足够的动能穿透绝缘层，在多晶硅材料上被捕获(见图2)。
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