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独立存储器

—— I2C/SPI/并行接口产品
作者:时间:2020-05-12来源:电子产品世界收藏

简介

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202005/412986.htm

是集合了ROM和RAM两种存储器的优势。擅于进行高速写入、具有长的耐久力和低功耗。富士通半导体提供了采用串行(I2C和)和并行外设的产品,目前4Kb至4Mb的产品也已量产。 

富士通正在为客户评估提供工程研发样品或生产样品。请确认我们的 产品阵列 ,如果您想获得样品 ,请填写“FRAM样品/文档申请咨询表”申请样品和/或文件。

FRAM的优势

与SRAM相比

独立的FRAM存储器,因为具有Pseudo-SRAM I/F,因此与SRAM之间具有的高度兼容性。利用FRAM取代SRAM,您可以获得的优势如下:

1. 总的成要缩减

采用SRAM,你需要检测其电池状态。但是FRAM却让你免去了进行电池检测的困扰。而且,FRAM不需要电池槽、防倒流二极管和更多的空间,而这些都是SRAM所需的。FRAM的单芯片解决方案可以节省空间和成本。

●   维护自由;无需更换电池

●   缩小的器件尺寸;可以省去大量的器件

2.环保型产品(减少了环境负担)

用过的电池成为工业废料。在生产过程中,与SRAM相比,FRAM能够降低一半的CO2排放量。FRAM对于环保有益。

●   无废弃电池

●   降低工业负荷,实现环保

与E2PROM/闪存相比

与传统的非易失性存储器,如E2PROM和闪存相比,FRAM具有更快的写入、更高耐久力和更低功耗等优势。用FRAM取代E2PROM和闪存还具有更多优势,具体如下:

1. 性能提升

FRAM的高速写入能够在电源中断的瞬间备份数据。不仅如此,与E2PROM和闪存相比,FRAM能够更频繁的记录数据。当写入数据时,E2PROM和闪存需要高压,因此,消费的功率比FRAM更多。如果嵌入FRAM,那么电池供电器件中的电池的寿命将更长。 

总之,FRAM具有下列优势:

●   能够在电源中断的瞬间备份数据

●   能够进行频繁的数据记录

●   能够保证更长的电池寿命

2. 总的成本缩减

在为每个产品写入出厂参数时,与E2PROM 和闪存相比,FRAM可以缩减写入时间。而且,FRAM可以为您提供一种芯片解决方案,避免采用几个存储器来保存数据,而E2PROM却不能实现。因此,利用FRAM可以降低总成本!

●   当写入出厂参数时,缩短了写入时间

●   减掉了产品上很多的部件

产品列表

串行闪存

I2C接口

与世界标准,I2C BUS完全兼容。利用两个端口,几个时钟(SCL)和串行数据(SDA)控制每个函数。

产口型号

存储器

密度

电源电压

工作频率 
(最大值)

工作温度

读取/写入周期

封装
MB85RC1MT 
ENG(1.40 MB ) 
CHN(2.11 MB )
1Mbit
1.8 to 3.6V
3.4MHz
-40 to +85℃

10¹³

 (10 trillion) times

SOP-8

MB85RC512T

ENG(1.17 MB )

512Kbit
MB85RC256V 
ENG(1.92 MB ) 
CHN(2.12 MB )
256Kbit
2.7 to 5.5V
1MHz

10¹²

 (1 trillion) times

MB85RC128A 
ENG(1.25 MB ) 
CHN(2.05 MB )
128Kbit
2.7 to 3.6V
MB85RC64TA 
ENG(1.67 MB )
64Kbit
1.8 to 3.6V

1013

 (10 trillion) times

MB85RC64A 
ENG(1.26 MB ) 
CHN(2.05 MB )
2.7 to 3.6V

10¹²

(1 trillion) times

MB85RC64V 
ENG(1.30 MB ) 
CHN(2.10 MB )
3.0 to 5.5V
MB85RC16 
ENG(1.30 MB ) 
CHN(2.10 MB )
16Kbit
2.7 to 3.6V
MB85RC16V 
ENG(1.41 MB ) 
CHN(2.00 MB )
3.0 to 5.5V
MB85RC04V 
ENG(1.28 MB ) 
CHN(1.96 MB )
4Kbit


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关键词: FRAM SPI

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