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三星携手GLOBALFOUNDRIES开发14nm工艺

作者:时间:2014-04-21来源:IC设计与制造收藏

  根据为期多年的协议,将授权三星的FinFET器件, 和三星同步使用自己在美国和韩国的晶圆厂制造和生产14nm。这是在晶圆业第一个能从20纳米真实面积缩放的FinFET技术,而这术平台已经获得了牵引作为高容量,低功耗的SoC设计中的首选。随着和三星携手合作,无晶圆厂半导体客户将享有更多的选择和灵活性,因为供应将来自多个世界源地。与此同时,无晶圆厂半导体客户也能维持在流动性和IT基础设施的领导地位。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/236832.htm


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