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基于单片机的系统外扩展的存贮器

作者:时间:2011-09-20来源:网络收藏

一、实验目的
1、学习片外扩展方法。
2、学习数据不同的读写方法。
3、学习片外程序的读方法。
二、实验内容
1.实验原理图:



2、实验内容
(1)使用一片2764EPROM,作为片外扩展的程序存贮器,对其进行读。
(2)使用一片6264RAM,作为片外扩展的数据存贮器,对其进行读写(使用键盘监控命令和程序运行两种方法)。
3、实验说明
(1)在使用键盘监控命令读片外扩展的程序存贮器2764中内容时,由于本系统中该程序存贮器作为用户目标系统的程序存贮器,因此DVCC系统必须处于仿真2状态,即“H.....”态,用MEM键即可读出。
(2)在使用键盘监控命令读写片外扩展的数据存贮器6264中的内容时,由于本系统中该数据存贮器作为用户目标系统的数据存贮器,因此DVCC系统处于仿真1态(“P.....”态)或仿真2态(“H.....”态),用ODRW键即可读写。
(3)读写数据的选用。
本实验采用的是55H(0101,0101)与AAH(1010,1010),一般采用这两个数据的读写操作就可查出数据总线的短路、断路等,在实验调试用户电路时非常有效。
(4)在仿真1态即“P.....”状态下,编写程序对片外扩展的数据存贮器进行读写,若L1灯闪动说明RAM读写正常。
三、程序
程序清单:
ORG 0C80H
MOV DPTR,#8000H
MOV R6,#0FH
MOV A,#55H
RAM1: MOV R7,#0FFH
RAM2: MOVX @DPTR,A
CLR P1.0
INC DPTR
DJNZ R7,RAM2
DJNZ R6,RAM1
MOV DPTR,#8000H
MOV R6,#0FH
RAM3: MOV R7,#0FFH
RAM4: MOVX A,@DPTR
CJNE A,#55H,RAM6
SETB P1.0
INC DPTR
DJNZ R7,RAM4
DJNZ R6,RAM3
RAM5: CLR P1.0
CALL DELAY
SETB P1.0
CALL DELAY
SJMP RAM5
DELAY: MOV R5,#0FFH
DELAY1: MOV R4,#0FFH
DJNZ R4,$
DJNZ R5,DELAY1
RET
RAM6: SETB P1.0
SJMP RAM6
END
四、实验步骤
1、片外扩展程序存贮器的读。
(1)将RAM/EPROM区的D0—D7用排线连到BUS2区XD0—XD7,同样用排线将A0—A7连到BUS1区XA0—XA7,A8—A12连到BUS3区XA8—XA12。
(2)PGM插孔连到+5V插孔。
(3)CS1插孔连到译码输出Y0插孔。
(4)OE插孔连到BUS3区XPSEN插孔。
(5)在DVCC系统处于“P?”状态下,按F1键进入仿真2态(“H.....”状态)。
(6)输入四位程序存贮器地址8000后按MEM键读出2764中的内容。
2、片外扩展数据存贮器的读写(用键盘监控命令)
(1)取出RAM/EPROM区中的实验监控,再插上数据存贮器6264。
(2)将RAM/EPROM区的D0—D7用排线连到BUS1区XD0—XD7,A0—A7连到BUS1区XA0—XA7,A8—A12连到BUS3区XA8—XA12。
(3)WE插孔与BUS3区XWR相连。
(4)CS1插孔连到译码输出Y0插孔。
(5)OE插孔连到BUS3区XRD插孔。
(6)CS2插孔与+5V插孔相连。
(7)在DVCC系统处于“P?”状态下,按F2键进入仿真1态(即“P.....”)或按F1键进入仿真1态(即“P.....”)。
(8)输入四位地址8000后按ODRW键可读写6264中的内容。
3、片外数据存贮器的读写(用程序)
步骤同上①—⑥。
(7)按框图编制程序,在上位机上进行编译,链接形成Hex(或ABS)最终目标文件,然后传送到DVCC实验系统仿真RAM区中。
(8)在“P?”状态下,按F2键,进入仿真1态(“P.....”),从起始地址0C80H开始连续运行程序。对6264进行读写。若L1灯闪动,表示6264 RAM读写正常。



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