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英飞凌推出全新HYPERRAM™存储芯片,可将高性能低引脚数解决方案的带宽提高一倍

作者:时间:2022-08-29来源:电子产品世界收藏

科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出新型™ 3.0器件,进一步完善其高带宽、低引脚数存储器解决方案。该器件具有全新的16位扩展HyperBus™接口,可将吞吐量翻倍提升至800MBps。在推出™ 3.0器件后,可提供完善的低引脚数、低功耗的高带宽存储器产品组合。该芯片非常适用于需要扩展RAM存储器的应用,包括视频缓冲、工厂自动化、人工智能物联网(AIoT)和汽车车联网(V2X),以及需要便笺式存储器进行数据密集型计算的应用。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202208/437790.htm

 

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新型™ 3.0

 

科技汽车电子事业部高级营销和应用总监Ramesh Chettuvetty表示:“英飞凌在存储器解决方案领域拥有近三十年的深厚专业积淀,我们十分高兴为市场带来又一款行业首创产品。全新HYPERRAM™ 3.0存储器解决方案每个引脚的数据吞吐量远高于PSRAM、SDR DRAM等市面上现有的技术。其低功耗特性能够在不牺牲吞吐量的情况下实现更低的功耗,因此这款存储器是工业和物联网解决方案的理想选择。”

 

英飞凌HYPERRAM™是一款基于PSRAM的独立易失性存储器,它可提供一种经济实用的添加方式来扩展存储器。其数据速率与SDR DRAM相当,但所用的引脚数更少,功耗更低。HyperBus™接口每个引脚的数据吞吐量更高,从而可以使用引脚数较少的微控制器(MCU)和层数较少的PCB,为目标应用提供复杂性更低以及成本更优化的的设计方案。


关于HYPERRAM™

英飞凌在2017年推出了第一代支持HyperBus™接口的HYPERRAM™器件。第二代HYPERRAM™器件于2021年推出,同时支持OctalxSPI和HyperBus™ JEDEC兼容接口,最高数据速率可达到400 MBps。第三代HYPERRAM™器件支持新的扩展HyperBus™接口,实现了800 MBps的数据速率。HYPERRAM™器件的密度范围为64 Mb至512 Mb,经AEC-Q100认证并可支持最高125℃工业和汽车温度等级。

 

供货情况

使用BGA-49封装的HYPERRAM™ 3.0器件现已开放订购。




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