新闻中心

EEPW首页 > 模拟技术 > 业界动态 > 意法半导体连手MACOM 攻射频硅基氮化镓有成

意法半导体连手MACOM 攻射频硅基氮化镓有成

作者:时间:2022-06-14来源:工商时报收藏

(STMicroelectronics)和电信、工业、国防和数据中心半导体解决方案供货商技术解决方案控股有限公司(那斯达克股票代码:MTSI」)宣布,已成功制造出(RF GaN-on-Si)原型芯片。有鉴于此佳绩,将继续合作,并加强双方的合作关系。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202206/435170.htm

为5G和6G基础建设之应用带来巨大的发展潜力。早期世代的功率放大器(Power Amplifier,PA)主要采用横向扩散金属氧化物半导体(Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor,LDMOS)功率技术,氮化镓(GaN)可为功率放大器带来更优异的射频特性及更高的输出功率,而且GaN可以制造在硅晶圆或碳化硅(SiC)晶圆上。

然而,在高功率应用与射频对SiC晶圆的竞争下,加上其非主流的半导体制程,射频硅基氮化镓的成本可能更高。正在研发的射频硅基氮化镓技术有望提供具有竞争力的性能,透过整合至标准半导体制程中以实现巨大规模的经济效益。

意法半导体制造的原型芯片和组件已成功达到成本和性能目标,能够与市面上现有的LDMOS和GaN-on-SiC技术有效竞争,并且即将进入下个重要阶段——认证测试与商业化,此为,意法半导体计划将于2022年达成此一里程碑。因取得这次傲人的进展,意法半导体与MACOM已开始讨论进一步扩大研发,加速先进射频硅基氮化镓产品上市。




评论


相关推荐

技术专区

关闭