Nexperia将于2021年9月21日-23日举办“Power Live”
—— 参与面向汽车和工业应用的GaN、MOSFET、功率二极管和双极性晶体管现场讨论；直接观看点播来自Nexperia实验室视频演示
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202108/427892.htm
会议重点将包括：
l MOSFET全电热模型
Nexperia新款MOSFET电热模型的详细预览，该模型可以在仿真中准确呈现器件的静态和动态特性，并降低在设计过程后期发现EMC问题的风险。
l 650V CCPAK贴片封装氮化镓器件评估
行业领先的CCPAK封装氮化镓器件的评估板即将推出，便于使用双脉冲测试评估其特性和优势。
l 功率MOSFET在工业应用中的设计
无论出于什么原因、什么时间需要一路500 A的MOSFET，它都需要能优化关键特性并管理涌入电流和热SOA曲线。
l 肖特基整流器、锗化硅整流器或恢复(PN)整流器？
如何通过选择最合适的功率二极管，在LED驱动器或电磁阀驱动器等汽车应用中实现出色的效率和可靠性。
整个议程将包括现场演示，邀请工程师讨论当今使用功率器件进行设计时面临的最大挑战，同时还会展示Nexperia重要合作伙伴的案例研究和贡献。在活动期间，参会者还可以观看Nexperia资深功率专家直接从公司全球实验室为大家带来的最新技术演示。
此次‘Power Live’活动将于9月23日（星期四）结束，由Nexperia和行业专家共同参与的GaN小组讨论将是最后一场活动。这将是一场针对探讨对技术和市场想法及影响的开放式论坛，非常欢迎与会者的倾情贡献。
Nexperia全球营销主管Robby Ferdinandus针对‘Power Live’评论道：“去年我们第一次举办活动时得到了非常棒的反馈。超过700多名工程师注册参加，并且许多人表示能与现场会议中志同道合的伙伴交流，讨论常见的设计挑战，这种体验十分宝贵。”
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