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新基建需要什么样的电容器

作者:TDK电子大中华区薄膜电容器产品市场部经理 徐翔,TDK电子大中华区电力电容器产品市场部资深经理 徐敏时间:2020-09-16来源:电子产品世界收藏

1   服务5G的

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202009/418406.htm

TDK一直十分关注中国的,尤其是5G领域 的电源发展。 5G电源一个非常重要的特点是能源效 益及能量密度明显要求加 大很多,为的是减少5G产 品的占地面积以达到小型 化的目的。此外,新的5G 有源天线模块普遍采用的 是自然冷却散热的设计, 所有这些对绝大多数被动 器件都提出新的挑战-更 高的温度耐受性。特别是 在薄膜电容方面,传统的MKP薄膜电容因为受到固有 原材料及生产工艺的限制,通常最高工作温度只能达到 110 ℃。但是TDK的爱普科斯(EPCOS)薄膜打破了此枷锁并完善性的开发了适用于开关电源行业的全套 125 ℃薄膜电容。

TDK一直致力研究性能更強的薄膜。已推出 许多125 ℃爱普科斯(EPCOS)薄膜电容系列,包括安规电 容X2 B3292 P/Q系列、功率矫正电容 B3267 P系列、直流 支撑电容 B3277 P系列以及谐振电容B3264系列。这些系 列产品和5G有源天线模块都能完美匹配。以X2 B3293 P/ Q为例,它不仅成功地获得了125 ℃安规证书(CQC/UL/ VDE), 而且在满足温湿测试85 ℃/85% 240 Vac 500 h的 同时保持了较小尺寸,甚至可以在客户的要求下进一步 的拓展为耐更高测试85 ℃/85% 240 Vac 1 000 h的产品。 此款在产品在刚投入市场之际便迅速受到青睐。同时, TDK的市场和研发团队也一直在关注来自于市场的新需 求,以期能及时地支持和服务目标客户。

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TDK电子大中华区 薄膜电容器产品市场部 经理 徐翔

2   服务SiC、GaN市场的电容器

在电力电子领域,基于GaN和SiC的宽带隙 (WBG) 技术正逐渐替代传统的 IGBT技术,日益广泛地 应用于铁路牵引、工业驱 动、新能源汽车驱动及充 电等直接相关的应 用领域。这类新的驱动器 件本身具有以下特点:更 低的开关损失、更高的开 关频率、更高的工作温度和传导温度、更低的热阻。而对于被动元器件,尤其是与之直接相连的DC-LINK电容也提出了更高的 颠覆性的要求:更高的工作温度,更大的电流密度,更低的等效电阻和热阻,更小的等效电感特别是在GaN和 SiC这样极高的工作频率下。

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TDK电子大中华区 电力电容器产品市场部 资深经理 徐敏

面对这样的技术趋势和挑战,TDK的薄膜电力电子电容部门多年前就未雨绸缪,着手新一代的产品开发, 并同世界先进的应用客户保持密切的沟通和合作,目前已经推出了各个系列,满足WBG半导体技术的电力电子电容。其中包括:

2)爱普科斯(EPCOS)B25645普通高频电力电子电 容器,使用领先的内部均流技术,保证在SiC及高速 IGBT的高频下仍保持可靠的工作状态。额定电压范围 为700~2 300 V DC,电容值范围为(370~3 900) µF,使 用高温PP膜,最高工作温度可达90 ℃。采用模块化设 计,B25645适合多电容并联。适用于当前由IGBT向高 速IGBT或SiC技术过渡的牵引、驱动等需要较大DC-Link容值的变流应用。

3)爱普科斯(EPCOS)B25620系列新的高频电力电 子电容系列。原B25620系列是在新能源风电和光伏广泛 被使用的铝壳圆形电容。在此基础上,采用内部均流技 术,使得电容的高频ESL得到极大提高,在100 kHz以上的开关频率下具有良好的均流特性。又因其具有标准的尺寸,适合多颗并联,目前已开始在城轨牵引、新能 源等领域的前沿平台开展应用。



关键词: 新基建 电容器

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