重磅！国产5nm刻蚀机通过验证，将用于台积电5nm芯片制造！

      坚持自主创新，专利超800件

　　而在面对国外竞争对手的挑衅，屡屡获胜的背后，则是中微半导体长期以来坚持自主研发所获得的过硬的自主技术专利。

　　据了解，目前中微的反应台交付量已突破582台;单反应台等离子体刻蚀设备已交付韩国领先的存储器制造商;双反应台介质刻蚀除胶一体机研制成功，这是业界首次将双反应台介质等离子体刻蚀和光刻胶除胶反应腔整合在同一个平台上。

　　同时，中微一些基础的研发也不断地跟进尖端技术，以保证产品的研发能够紧紧跟上甚至领先于国际上的技术发展水平。

　　中微半导体首席专家、副总裁也表示，刻蚀尺寸的大小还与芯片温度有一一对应关系，中微自主研发的部件使刻蚀过程的温控精度保持在0.75摄氏度内，达到国际领先水平。

　　气体喷淋盘是刻蚀机的核心部件之一，中微半导体联合国内其他科技公司开发出了一套创新工艺，用这套工艺制造的金属陶瓷，其晶粒十分精细、致密。与进口喷淋盘相比，国产陶瓷镀膜的喷淋盘使用寿命延长一倍，造价却不到五分之一。

　　正是由于在刻蚀机及相关领域的不断突破和创新，也使得中微半导体在刻蚀机市场份额快速增长。

　　资料显示，截至2017年8月，中微已有500多个介质刻蚀反应台，并在海内外 27 条生产线上生产了约 4000 多万片晶圆;同时，中微还开发了 12 英寸的电感型等离子体 ICP 刻蚀机;此外，中微还开发了 8 英寸和 12 英寸 TSV 硅通孔刻蚀设备，不仅占有约50%的国内市场，而且已进入台湾、新加坡、日本和欧洲市场，尤其在 MEMS 领域拥有意法半导体(ST)、博世半导体(BOSCH) 等国际大客户。

　　而在专利方面，中微半导体共申请了超过800件相关专利，其中绝大部分是发明专利，并且有一半以上已获授权。

　　目前尹志尧的团队精英中，上百人都曾是美国和世界一流的芯片和设备企业的技术骨干，大都有着20到30多年半导体设备研发制造的经验。而且这些工程师们必须有着物理、化学、机械、工程技术等50多种专业知识背景。

　　今年4月，中微半导体 CEO 尹志尧在公开合表示，目前中微半导体在全球各地已经建置共计 582 台刻蚀反应台，并预期今年将增长至 770 台。目前中微半导体产品已经进入第三代 10nm、7nm 工艺，并进入晶圆厂验证生产阶段，即将进入下一世代 5nm、甚至 3.5 nm 工艺。

　　尹志尧表示，未来十年将持续开发新产品，扩大市场占有率，中微的目标是：2020 年 20 亿元、2050 年 50 亿元，并进入国际五强半导体设备公司。

　　5nm刻蚀机意味着什么?

　　不过，需要注意的是中微半导体5nm刻蚀机的研发成功和获得台积电采用，并不代表着中国大陆就可以自己生产5nm工艺芯片了。因为芯片的生产工艺非常的复杂，刻蚀只是众多关键环节当中的一环。

　　但是，很多自媒体为了吸引眼球，却往往故意夸大事实，以点概面，以5nm刻蚀机这一个环节上的突破，就大肆宣扬“中国已打破国外垄断，掌握5nm技术”、“中国已可以制造5nm芯片”。

　　在去年尹志尧在接受央视媒体采访曾表示，“国际上最先进的芯片生产公司像英特尔、台积电、三星，它们的14nm已经成熟生产了，10nm和7nm很快进入生产，所以我们必须超前，5nm今年年底基本上就要定了，现在进展特别快，几乎一年两年就一代，所以我们就赶得非常紧。”

　　显然，尹志尧在视频中所指的5nm是指的5nm的刻蚀机。但是，随后这段采访就被一大波媒体断章取义，不顾事实的大肆吹嘘。搞得尹志尧不得不在朋友圈发文辟谣：“中微不是制造芯片的，只是为芯片厂提供设备”。“如此堕落的文风误国误民，给真正埋头苦干的科学家和工程师添堵添乱添麻烦。”

　　尹志尧今年在接受采访时再次强调：“宣传要实事求是，不要夸大，更不要为吸引眼球，无中生有，无限上纲。说我们的刻蚀机可以加工5纳米器件，也只是100多个刻蚀步骤中的几步。”

　　确实，正如我们前面所说，刻蚀只是芯片制造众多关键环节当中的一环，在先进制程的刻蚀设备领域取得突破虽然可喜，但是在其他如光刻机等领域，中国仍处于严重落后。目前国内进展最快的上海微电子也只是实现了 90nm 光刻机的国产化。

　　当然，我们也不能妄自菲薄，除了中微半导体之外，不少国产半导体设备厂商也在一些相关领域的先进制程设备上取得了突破。比如，在14nm 领域，硅/金属刻蚀机(北方华创)、薄膜沉积设备(北方华创)、单片退火设备(北方华创)和清洗设备(上海盛美)已经开发成功，正在客户端进行验证。

　　相信随着国产半导体设计及设备厂商的努力，以及中国半导体市场的需求快速增长的拉动，中国芯将会越来越强大。