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使用半大马士革工艺流程研究后段器件集成的工艺

• ●   介绍随着技术推进到1.5nm及更先进节点，后段器件集成将会遇到新的难题，比如需要降低金属间距和支持新的工艺流程。为了强化电阻电容性能、减小边缘定位误差，并实现具有挑战性的制造工艺，需要进行工艺调整。为应对这些挑战，我们尝试在1.5nm节点后段自对准图形化中使用半大马士革方法。我们在imec生产了一组新的后段器件集成掩膜版，以对单大马士革和双大马士革进行电性评估。新掩膜版的金属间距分别为14nm、16nm、18nm、20nm和22nm，前两类是1.5nm节点后段的最小目标金属间距
• 关键字： 半大马士革  后段器件集成  1.5nm  SEMulator3D