新闻中心

EEPW首页 > 电源与新能源 > 设计应用 > 一种高精度带隙基准电压源电路设计

一种高精度带隙基准电压源电路设计

作者:时间:2018-09-14来源:网络收藏

摘要:针对传统带隙电压基准源电路电源电压较高,基准电压输出范围有限等问题,通过增加启动电路,并采用结构的PTAT电流产生电路,设计了一种高精度、低温漂、与电源无关的具有稳定电压输出特性的带隙电压源。基于0.5μm高压Bi工艺对电路进行了仿真,结果表明,在-40%℃~85℃范围内,该带隙基准电路的为7ppm/℃,室温下的带隙基准电压为1.215 V。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201809/389197.htm

基准电压源广泛应用于A/D、D/A转换器、开关电源以及各种通信电路,它的电源噪声抑制能力与稳定的温度特性是影响A/D,D/A速度与精度的重要因素,甚至影响整个系统的性能,良好的基准电压源设计才能满足需要。带隙电压基准(BGR)技术日趋成熟,具有较高精度,较低功耗的BGR在电路中被广泛应用。

利用双极型晶体管的基区-发射区电压差△VBE在不同电流密度偏置下具有正,而其本身的基区-发射区电压VBE具有负,这两个电压线性叠加,得到较合适的近似零温度系数的基准电压源。该电路增加了启动电路和PTAT电流产生电路,其中PTAT电流产生电路是该基准源的核心,通过对电路的分析与研究,给出了基于0.5μm高压Bi工艺下的的设计和仿真结果。

1 传统的带隙电压基准源

传统的带隙电压基准源原理图与电路结构如图1所示。

图1(a)中,以VBE(on)和VT为基准的偏置源会有相反的TCF,输出电流可能以VBE(on)和VT的某种复合电压作为基准源,如果复合方式得当,可使输出温度系数为零,该电路输出电压为:

VOUT=VBE(on)+MVT (1)

通过确定VBE(on)的温度系数,使输出电压与温度无关,即从而确定要求的M值。

对于图1(b),已知两个双极晶体管工作在不相等的电流密度下,它们的基极-发射极电压的差值与绝对温度成正比。在图1中,如果MP1,MP2是同样的晶体管(IS1=IS2),且偏置的集电极电流分别为nI0和I0,忽略它们的基极电流,那么

△VBE=VBE1-VBE2=VTlnIo/Is1-VTlnIo/IS2=VTlnn (3)

双极晶体管的偏置电流实际上是与绝对温度成正比(PTAT)的,假设MP1与MP2为相同的管子,要使ID1=ID2,电路必须保证VX=VY。所以,ID1=ID2=(VTlnn)/R,结果,使ID3产生同样的特性,并将PTAT电压ID3R2加到基极-发射极电压上,因此输出电压为

只要保证(4)式中两项和是零,VBE3的值以及Q3尺寸的选择都有几分任意。实际上,由于晶体管之间的不匹配,以及R1的温度系数,ID5的变化会偏离理想的等式,给输出电压Vref带来误差。传统电路还存在电源电压较高,基准电压输出范围有限等问题,因此需要不断的改进与提高。

2 电路设计

基于0.5μm高压BiCMOS工艺下的带隙基准电压源电路如图2所示,电路由启动电路和带隙基准电压产生电路两大部分组成。

在与电源无关的偏置电路中,重要的问题是“简并”偏置点的存在,使电路有两种可能的状态:一种是工作状态,另一种是电路中没有电流流过,这是所不希望的状态。增加启动电路,使该电路在电源上电时,能驱使电路摆脱简并偏置点,正常启动并稳定工作。图2中左半部分即为该带隙基准电压源的启动电路部分,主要由R1、R2、MP1、HAP1和HAP2构成,其中HAP1与HAP2为高压非对称PMOS管,HAP1与HAP2构成电流镜,由于两者尺寸相同,HAP2的漏极电流与HAP1的漏极电流相等。当电路未进入工作状态时,HAP1与HAP2导通处于开启状态,通过增加VDD端电压,使得R1上压降逐渐增大,因此通过R1的电流增加;由于HAP1与HAP2构成的电流镜的作用,通过R2的电流与R1上的电流相同,所以R2上电流也随着VDD端电压上升而升高,R2两端的电压也随之升高;当VDD增加到一定程度后,R1远离地端的电势将逐渐升高到该工艺下高压非对称PMOS管的截止电压,并保持稳定,此时R1上的电流也趋于稳定,R2上电流也将趋于稳定,在R2远离HAP2端将得到一个较稳定的开启电压,经计算并仿真测得这个电压为5.92 V。

对于电压产生电路,PTAT电流产生电路是该电路的核心部分,应用了BCD工艺下的PNP管。主要由MP2、MP3、HSP3、HSP4、HSN1、HSN2、MN1、MN2、R3、Q1、Q2构成。其中MP2、MP3、HSP3、HSP4、HSN1、HSN2、MN1、MN2、R3构成与电源无关的偏置,Q1、Q2产生与温度无关的基准。

在偏置电流电路中,IREF通过某种方式由Iout得到,如果Iout最终与VDD无关,那么IREF则不受VDD影响,即与电源无关。当忽略MOS管沟道长度调制效应时,有Iout=KIREF,因为每个以二极管方式连接的器件都是由电流源驱动的,所以IREF近似的与电源无关。图2中MP3、HSP4 HSN2、MN2的宽长比分别是MP2、HSP3、HSN1、MN1的二倍,其中MP2、MP3、HSP3、HSP4与HSN1、HSN2、MN1、MN2分别构成电流镜,生成与电源无关的电流偏置,影响电流精度的关键因素就是漏-源电压,漏-源电压的变化会严重影响漏极电流的匹配。对于普通电流镜电路,因它们的漏一源电压不同,从而失配与沟道调制效应会造成组成电流镜的两个晶体管的栅-源电压有差异,从而导致输出电流发生很大变化。采用电流源结构的电路,优点在于它会有一个很大的输出电阻,这在镜像电流源中非常重要,能够提高输出基准电压的稳定性,此外该结构能够减小沟道调制效应的影响,能够改善电源抑制和初始精度等电路的重要性能。图2中经过MP4,与HSP5最后从HSN3中流出的电流和VT有关,所以电阻R4的压降也与VT有关,在做仿真的过程中,通过对R4的阻值优化,最后选择合适的电阻值使VOUT输出带隙电压。

上一页 1 2 下一页

评论

技术专区

关闭