砷化铝镓 (AlGaAs)技术简介
AlGaAs技术在微波行业采用能隙工程生产新型半导体结构已有二十多年的历史。利用多量子阱、超晶格和异质结的各种性质，已制造出由分子束外延法和有机金属化学气相沉积法生长的新型半导体。这些带隙原理已应用于MACOM AlGaAs技术的开发，因此推动了PIN二极管射频性能的大幅提升。
主要优势
与等效的GaAs PIN结构相比，改善了回波损耗、插入损耗和P-1dB指标
分立式异质结AlGaAs PIN二极管在10 mA偏流条件下展现了将高频插入损耗降低两倍的性能
主要应用
工业、科学和医疗
测试和测量
无线回传
航空航天与国防
AlGaAs PIN开关
优势：
超波段带宽容量
低电流消耗
紧凑芯片尺寸
提供集成偏压网络
BCB刮擦保护特性：
工作频率超过100 GHz
高隔离度
低插入损耗
提供最高40 W CW的功率处理能力
提供反射和终端版本
氮化硅钝化
AlGaAs PIN开关产品
MACOM致力于发展AlGaAs技术
借助MACOM在GaAs技术方面的专业知识，我们研发出了诸如AlGaAs异质结构这类更复杂的高性能技术。依托我们Lowell Massachusetts晶圆厂研发的这项技术，我们进一步巩固了适合多重市场应用的PIN二极管和开关产品的市场领先地位。
—Doug Carlson MACOM 技术开发副总裁
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