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[5纳米碳纳米管CMOS器件]入选高校十大科技进展

作者:时间:2018-01-01来源:集微网收藏

  日前,由教育部科学技术委员会组织评选的2017年度“中国高等学校十大科技进展”经过高校申报和公示、形式审查、学部初评、项目终审等评审流程后在京揭晓。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201801/373840.htm

  由北京大学申报的”5纳米器件“入选。

  芯片是信息时代的基础与推动力,现有技术将触碰其极限。技术被认为是后摩尔时代的重要选项。

  理论研究表明,碳管晶体管有望提供更高的性能和更低的功耗,且较易实现三维集成,系统层面的综合优势将高达上千倍,芯片技术由此可能提升至全新高度。

  北京大学电子学系彭练矛教授团队在器件物理和制备技术、性能极限探索等方面取得重大突破,放弃传统掺杂工艺,通过控制电极材料来控制晶体管的极性,抑制短沟道效应,首次实现了5纳米栅长的高性能碳管晶体管,性能超越目前最好的硅基晶体管,接近量子力学原理决定的物理极限,有望将CMOS技术推进至3纳米以下技术节点。

  2017年1月20日,标志性成果以Scaling carbon nanotube complementary transistors to 5-nm gate lengths 为题,在线发表于《科学》(Science, 2017, 355: 271-276);被包括IBM研究人员在内的同行在《科学》《自然•纳米技术》等期刊24次公开正面引用,并入选ESI高被引论文。相关工作被Nature Index、IEEE Spectrum、Nano Today、《科技日报》等国内外主流学术媒体和新华社报道;

  《人民日报》(海外版)评价碳管晶体管的“工作速度是英特尔最先进的14纳米商用硅材料晶体管的三倍,而能耗只是其四分之一”,意味着中国科学家“有望在芯片技术上赶超国外同行”,“是中国信息科技发展的一座新里程碑”。



关键词: CMOS 碳纳米管

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