东芝存储器株式会社推出采用64层3D闪存的BGA NVMeTM SSD

　　东芝存储器株式会社近日宣布推出BG3系列，这是一款全新阵容的单一封装型NVM Express™ (NVMe™)客户级SSD产品，它在球栅阵列(BGA)封装中集成了东芝存储器株式会社先进的64层3bit-per-cell TLC(1个存储器存储单元可存放3比特的数据)BiCS FLASH™存储器和控制器。东芝存储器株式会社于今日起针对PC OEM客户进行小规模样品出货，并将从今年第四季度(10-12月)开始逐步扩大出货规模。

　　全新BG3 SSD系列采用PCI EXPRESS®(PCIe®)Gen3 x 2通道结构以及NVM Express™(NVMe™)1.2.1版协议，并搭载了主机内存缓冲(HMB)功能[1]。该功能利用主机存储器取代SSD的DRAM，从而有望节省系统的功耗和设计空间，帮助紧凑型设备的开发人员找到高性能和低功耗的平衡途径。另外，BG3 SSD系列结合SLC缓存功能特性、闪存管理的改进以及闪存性能的提高所达到的综合效应，顺序读取和顺序写入的传输性能分别高达1520MB/s和840MB/s[2]。

　　此款SSD系列提供三款容量：128GB、256GB和512GB[3]。全部采用符合业界最小级别的SSD外形尺寸规格[4]，即16mm x 20mm x 1.5mm的表面贴装式M.2 1620[5] 单一封装规格和可拆卸式M.2 2230[6] 模块规格。BG3系列的外形尺寸比前一代产品更紧凑，其128GB和256GB单一封装型产品符合M.2 1620-S2的1.35mm薄型规格，512GB单一封装型产品符合M.2 1620-S3的1.5mm规格。这将有助于促进包括薄型移动电脑和平板电脑在内的各种移动设备和嵌入式设备的全新开发。同时，基于其小型和低功耗的特点，在数据中心的应用中BG3 SSD也可作为对于空间和功耗有一定要求的服务器启动存储器来使用。

　　BG3系列将于2017年8月8日至10日在美国加利福尼亚州圣克拉拉市举行的“闪存高峰会议”上进行展出，展台号为#407。

　　* PCI Express®和PCIe®是PCI-SIG的注册商标。

　　*NVMe和NVM Express是NVM Express公司的商标。

　　*本文所提及的所有其它公司的名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。

　　注：

　　[1] 该功能利用主机DRAM的一部分用于SSD的闪存管理。

　　[2] 该性能是根据东芝存储器株式会社的测试标准，使用128KiB单元顺序访问测得的BG3 512GB型号产品的顺序读取和顺序写入性能。根据不同的测试环境，读写条件以及负载，其性能存在差异。东芝存储器株式会社定义1兆字节(MB)为1,000,000字节，1千位二进字节(KiB)为210字节或1,024字节。本文中的顺序读取和顺序写入性能仅为参考数据，可能与规格说明书中的BG3产品数据有所不同。

　　[3] 容量定义：东芝存储器株式会社定义千兆字节(GB)为1,000,000,000字节。而计算机操作系统使用2的幂数来标示存储容量，其定义1GB=230字节=1,073,741,824字节，因此会显示较少的存储容量。根据不同的文件大小、格式、设置、软件和操作系统，可用存储容量(包括各种媒体文件示例)将存在差异，如微软操作系统和/或预装软件应用程序或媒介内容。实际的格式化容量可能存在差异。

　　[4] 东芝存储器株式会社调查结果，截止于2017年8月3日。

　　[5] 单一封装型128GB和256GB产品的外形尺寸规格为M.2 1620-S2，512GB产品的外形尺寸规格是M.2 1620-S3。

　　[6] 模块型128GB和256GB产品的外形尺寸规格为M.2 2230-S2，512GB产品的外形尺寸规格是M.2 2230-S3。