中微半导体坚持自主创新 8年申请超过800件相关专利

　　笔者从5月23日在北京举行的02重大专项成果发布会上了解到，过去九年中，中微半导体通过先后承担并圆满完成65-45纳米、32-22纳米、22-14纳米等三项等离子介质刻蚀设备产品研制和产业化的02专项任务，使我国在该项设备领域中的技术基本保持了与国际先进水平同步。

　　中微半导体率先开发了包括甚高频去耦合反应离子刻蚀的等离子体源和双反应台的反应腔等一系列完全自主创新的设计，使之与国外同类设备相比，在产能、洁净室面积占用和设备拥有成本等重要指标上都具有约30%的优势。中微半导体高效、好用的介质刻蚀设备不但支持了国内制造企业从65纳米到28纳米技术代的发展，而且已经在国际市场上，在各个技术节点上都与世界最先进的设备厂商竞争。

　　目前中微半导体已经有460多个介质刻蚀反应台在海内外27条生产线上高质稳定的生产了4000多万片晶圆。中微半导体在台积电的研发线上正在进行5纳米的刻蚀开发和核准。

　　在02专项的支持下，中微半导体还开发了12英寸的电感型等离子体ICP刻蚀机，达到了刻蚀的线宽均匀性3sigma小于1纳米的精确程度，已经在中芯国际北京生产线的评价中得到了很好的结果，并将在多个国际一流和生产线试运行。

　　中微半导体还开发了8英寸和12英寸TSV硅通孔刻蚀设备，产品不但占有了约50%的大陆市场，而且已经进入了台湾、新加坡、日本和欧洲市场。特别是在国际MEMS传感器最领先的博世(BOSCH)和意法半导体(STM)进入大生产，比美国的刻蚀设备有更好的表现。

　　对照专项实施之前我国几近空白的高端半导体装备产业，中微半导体所取得的02专项成果具有高度自主创新的内涵和不断跨越式发展的特征。美国因此不得不承认继续限制向中国出口高端刻蚀设备已经“达不到其目的了”，并正式声明，从瓦森纳协定的军民两用出口限制清单中将刻蚀设备移除。

　　中微半导体介质刻蚀机的开发，还带动了国内材料产业的本土化发展，中微半导体刻蚀设备材料国产化率达到35%，已开发了20多个国内的反应器和系统主机加工等供应厂商，加工能力和质量达到了国际先进水平。

　　知识产权从来都是先进企业用来围堵后发者的利器。因此，知识产权斗争的激烈程度也是后发者是否成功的标记。

　　中微半导体在近八年中在全世界共申请了超过800件相关专利，其中绝大部分是发明专利，目前有一半以上已获授权。中微半导体坚持自主创新，但在公司的产品威胁到早已瓜分完毕的既定市场时，不可避免的遭到来自竞争对手的知识产权阻击。美国最大的两家半导体设备公司曾先后向中微提起知识产权诉讼。中微半导体都沉着应对，据理力争，最后的结果是中微半导体胜诉一起，另一起以“和解”结束。