新闻中心

EEPW首页 > 业界动态 > 中芯国际与Invensas签署键合技术转让与授权协议

中芯国际与Invensas签署键合技术转让与授权协议

作者:时间:2017-03-17来源:美通社收藏

  集成电路制造有限公司(简称“”),世界领先的集成电路晶圆代工企业之一,中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆制造企业,与Xperi的全资子公司,日前共同宣布签署直接键合互联(DBIR:Direct Bond Interconnect)技术转让与授权协议。 通过这项协议,能够为图像传感器制造客户提供此项键合技术。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201703/345338.htm

  “作为领先的半导体代工企业,中芯国际为全球的电子器件制造商提供先进的半导体制造工艺。 我们很高兴能够将DBI技术加入到我们的技术组合中。 ”中芯国际首席执行官兼执行董事邱慈云博士表示,“这项技术是3D堆栈图像传感器制造的关键步骤,通过与的紧密合作,我们将会为客户加快新一代图像产品的开发和商业化。 ”

  DBI技术是一项低温混合晶圆键合解决方案,能够在无压力下键合,实现异质晶圆特殊细间距3D电子互联。 DBI 3D互联可以消除对TSV缩小尺寸和降低成本的需求,同时为下一代图像传感器提供像素级互联技术路线。

  “很高兴能够与中芯国际,全球最大最有声望的半导体代工企业之一签署此项授权协议,” 总裁Craig Mitchell表示,“中芯国际认可DBI技术对全球客户的巨大意义,我们也期望与中芯国际更加紧密的合作,将此平台融入到他们世界级的设计及制造环境中。 ”



关键词: 中芯国际 Invensas

评论


技术专区

关闭