28纳米FD-SOI制程嵌入式存储器即将问世

　　SamsungFoundry准备开始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快闪记忆体嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)选项。

　　三星晶圆代工业务(SamsungFoundry)准备开始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM(spintorquetransfermagneticRAM)以及快闪记忆体，做为嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)选项。

　　SamsungFoundry行销暨业务开发负责人KelvinLow在接受EETimes欧洲版访问时表示，该公司的技术蓝图显示，28奈米FD-SOI嵌入式非挥发性记忆体将分两阶段发展，首先是在2017年底进行嵌入式快闪记忆体(eFlash)的风险生产(riskproduction)，嵌入式MRAM(eMRAM)的风险生产则安排在2018年底。

　　不过Low也指出：「我们虽然会同时提供eFlash与eMRAM(STT-MRAM)技术选项，但预期市场需求会导致最后只剩下一种嵌入式非挥发性记忆体方案。」

　　风险生产指的是晶圆代工厂客户运作其完整电路、并不测试结构，但仍有可能改变制程与设计，以最佳化晶片性能以及改善良率;而因为制程还未最后确定，这类生产对客户来说必须负担风险，因此被称为风险生产。此生产阶段可能会持续数个月时间，而正式提供eFlash与eMRAM量产的时程，分别会在2018与2019年。

　　MARM这种非挥发性记忆体技术已经发展多年，最近才有业者EverspinTechnologies提供单独的MRAM晶片;三星在2011年收购了MRAM技术新创公司Grandis。

　　要提供28奈米嵌入式非挥发性记忆体得克服许多挑战，产业界公认将快闪记忆体微缩至28奈米节点并不实际，但MRAM、相变化记忆体(PCM)以及电阻式记忆体(ReRAM)等其他技术选项仍不成熟。28奈米节点eFlash的问题包括耐久性以及功耗，而通常SoC设计会选择以较不积极的节点来制作嵌入式快闪记忆体电路、放弃微缩。

　　这也可能是三星先推eFlash技术，但预期客户会在长期使用STT-MRAM;MRAM在长期看来会是较受欢迎的技术，因为与CMOS融合的简易性以及其电压架构，能以最少三层额外光罩就能被整合，而eFlash则通常需要6~8层额外光罩。

　　MRAM通常是以平面内(in-plane)方式制作，不过也有选项是将磁性层垂直布置以进一步缩小面积;不过Low表示，三星不方便透露其eMRAM的制作技术细节。

　　不过三星在2016年6月于美国德州奥斯汀举行的设计自动化大会(DAC)上，确实展示了以28奈米HKMG块状CMOS制程生产的独立MRAM;Low表示：「我们的团队正在研究将此成果转移至28奈米FD-SOI制程。」