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摩尔定律迈入“后CMOS”时代

作者:时间:2016-02-03来源:eettaiwan收藏

  在英特尔(Intel)负责晶圆厂业务的最高长官表示,(Moore’s Law)有很长的寿命,但如果采用纯粹的制程技术就可能不是如此。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201602/286634.htm

  “如果我们能专注于降低每电晶体成本,的经济学是合理的;”英特尔技术与制造事业群(technology and manufacturing group)总经理William Holt,在近日于美国旧金山举行的年度固态电路会议(ISSCC)上对近3,000名与会者表示:“而超越,我们将看到所有东西的改变,甚至可 能是电脑的架构。”

  Holt婉拒分享他所说的“丰富多样化”后 (post-CMOS)技术,会有哪些获得晶片制造商采用、或是何时采用;那些新技术包括自旋穿隧场效电晶体(span tunneling FET)、铁电FET、自旋电子、新一代三五族材料…等等。但他声明这些新技术不会出现在英特尔正在制作处理器圆形的10奈米制程。

  在一般情况下,工程师们会尽可能延展CMOS技术的寿命;Holt表示,长期来看,晶片制造会是不同技术与传统CMOS的混合:“我们将看到混合的操作模式…(晶圆的)某些部份采用CMOS技术,相同晶圆上的新元件则为不同的优势最佳化。”

  他 对于将照亮接下来十年半导体产业发展路径、显然还需要庞大研究工作的技术提供正面看法:“我不能告诉你在那些(后CMOS)技术中,哪个排第一或是最棒, 但是我们看到其中丰富的可能性…将在接下来几年提供大量的机会,让我们在打造零件所需的技术上取得重大进展;而挑战在于厘清如何实现它们。”

  到目前为止还有个大挑战,是所有的后CMOS替代技术都有助于降低功耗,这是一个首要考量,但它们的执行速度显然比起CMOS电路缓慢得多;Holt拿这个问题与一个世代以前工程师为了因应当时紧迫的功率需求、从双极架构转为新的复杂CMOS的状况比较。



  很多种类的后CMOS技术都能降低功耗,但也导致延迟

  Holt表示,产业界需要专注于降低功耗与降低每个电晶体的成本;他重申英特尔已将22奈米与14奈米制程节点电晶体成本降低30%、稍优于业界水准的声明,不过开发最近几个新制程节点的成本增加幅度,由传统的10%增加到了30%。

  他指出:“现在预测7奈米节点的细节还太早,但我们可以说,我们在7奈米节点的每电晶体成本降低幅度,在历史线的范围内可能会更多──我们看到了一些降低成本的可行途径。”

  在专题演说之后,Holt澄清,对英特尔7奈米节点的预测,目前落到延续自传统电晶体成本下降趋势、到英特尔在22奈米与14奈米节点收获的些微改善之间的范围内:“不确定因素还很多,所以我们不知道我们会落在哪个点上。”

  英特尔一直都没有放弃希望,认为可能在7奈米制程量产开始后的某个时间点开始采用超紫外光(EUV)微影技术;EUV可能对7奈米制程的成本带来显着的影响,降低对多重图形(multi-patterning)的需求。

  此外Holt还指出英特尔10奈米制程将支援5个等级的电压阈值,在既定节点内的最佳化点(optimization points)之多样化,可能会随着后CMOS技术的加入而提升。



  Holt表示,英特尔的10奈米制程将支援五种电压阈值,提供更多功率选项迟



关键词: 摩尔定律 CMOS

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