物联网将如何影响半导体芯片厂商？

　　由EEVIA主办的第五届年度ICT媒体论坛暨2016产业和技术趋势展望研讨会在深圳举行，在会上，众多知名芯片厂商大咖对物联网市场进行了预测，同时探讨了物联网进程中IC设计厂商所面临的挑战。

　　GaN与SiC的差价将变小

　　IC设计对于整个半导体产业非常重要，半导体材料则能影响整个半导体行业的发展。半导体产业的发展先后经历了以硅(Si)为代表的第一代半导体材料，以砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体材料。如今，以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌、金刚石、氮化铝为代表的宽禁带半导体材料以更大的优势力压第一、二代半导体材料成为佼佼者，统称第三代半导体材料。对于目前较为成熟的氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC) ，富士通电子元器件市场部高级经理蔡振宇给出了他的理解。

　　他认为，SiC与GaN两种材料都具备良好的开关特性以及适用于高压应用，GaN在导通电压、反向截止、载流子等方面的特性优于Si和SiC，Cascode Structure GaN-HEMT器件不仅能够方便的使用，在性能上也比Cool Mos有较大的改进。具体的应用到产品中，GaN器件产品相比SiC器件产品能够在尺寸、重量以及性能上都有一定幅度的提升。不过，目前GaN产品的价格偏高制约其广泛应用，蔡振宇表示：“随着生产工艺的成熟以及市场需求的增大，未来几年GaN与SiC的差价将会微乎其微。”

　　网络连接与传感器的改变

　　在对物联网的分析上，Cypress半导体模拟芯片产品经理李东东说：“物联网最为核心的就是网络连接与传感器。”网络连接方面，Qorvo移动产品市场战略部亚太区经理陶镇分享了他的观点，随着移动设备数量的增多以及消费者对于网速需求的提高，射频器件的需求量在迅速增加，其在智能手机成本的比重也在上升，相应器件的复杂程度也随之增大。

　　陶镇说：“为了提高网络速率，一方面需要改变网络制式，另一方面则要增加载波数来提高带宽，这两方面的改变也将大大提高对RF器件的要求，传统的分立的半导体器件已经难以适应未来的需求。因此最佳的解决方案就是集成化。”关于5G，他表示6GHz将会作为分界点，用6GHz以下做广域覆盖，6GHz以上做热点覆盖，Qorovo将会关注频谱以及上行和下行的调制解调方式来推出集成化的最佳解决方案。

　　传感器作为物联网的另一大核心，ADI亚太区微机电产品市场和应用经理赵延辉表示：“物联网的发展离不开各种各样的传感器，它们是将自然界中的信号转换成电信号的第一步，而后才是各种各样的后处理及组网方式。”

　　数据显示，医疗MEMS传感器未来几年将会迎来最大幅度的增长，可穿戴设备也是驱动市场增长的主要动力。目前可穿戴设备的麦克风、气压计、陀螺仪等都使用了MEMS传感器。在汽车、家电、智能手机、可穿戴设备之后，MEMS将有非常巨大的市场。但MEMS同样面临挑战，赵延辉表示：“更低的功率、更小的尺寸和厚度以及更高的集成度都是挑战，但ADI的产品在功率、准确性、小尺寸方面都有明显的优势，知名的小米手环就采用了ADI MEMS。”

　　低功耗与无线充电

　　低功率不仅是MEMS设计的一大个挑战，也是移动设备都面临的挑战。低功率的最大目的是为了能够让移动设备能够在保证轻薄化的基础上有更长时间的续航来提升产品体验。除了从功耗入手，能够拥有更加方便快捷的充电方式是另一种解决思路。