飞思卡尔推出新款Airfast射频功率LDMOS晶体管

　　大功率射频 (RF) 晶体管的全球领导者飞思卡尔半导体(NYSE:FSL)日前推出了两款全新的Airfast射频功率解决方案，覆盖了所有主要的蜂窝基础设施频段，这两款解决方案均采用小巧的封装，却具有业界领先的增益性能。AFT27S006N的峰值功率为6 W，是继广受欢迎的MW6S004N产品(MW6S004N产品已经成为业界的主力驱动器，广泛应用于世界级无线基础设施中)后推出的新一代器件。此外，飞思卡尔还为该系列添加了一个称为AFT27S010N的大功率器件，其峰值功率为10W。

　　这两款器件均具有出色的频率范围(700 MHz至2700 MHz)和单级增益(20 dB至24 dB)性能，均采用超小尺寸的封装(PLD-1.5W)，非常适用于平均额定功率高达40 W的宏基站MIMO应用。许多其它竞争解决方案需要客户部署多个射频器件才能支持如此广泛的频率范围，而AFT27S006N 和AFT27S010采用一个功率放大器便可支持如此宽的蜂窝频段范围。

　　ABI Research研究总监Lance Wilson表示：“飞思卡尔Airfast器件产品组合的最新成员将继续采用该公司的协同方法，为无线基站提供现代化的功率放大器设计。此外，这些驱动器件还具有卓越的性能、简便易用性和小巧的外形。”

　　借助Airfast技术平台，飞思卡尔可在提高频率、范围和增益等方面提高性能，同时满足许多其他客户对简单易用和灵活性的需求。这些新型晶体管支持广泛的频率范围，这意味着它们还可以用作通用驱动器件，应用于其它广泛的射频应用中。

　　飞思卡尔半导体高级副总裁兼射频业务部总经理Ritu Favre表示：“推出的这些新产品基于飞思卡尔最佳射频器件之一，飞思卡尔对其进行了进一步完善。飞思卡尔高级LDMOS工艺技术使我们全新的Airfast器件外形更加小巧，更加适用于所有主要蜂窝频段。”

　　关于Airfast射频功率解决方案

　　Airfast射频功率解决方案旨在满足效率提升、峰值功率和信号带宽需求的同时，还能应对降低成本的持续压力。这些产品具有卓越的性能和能效，应用于LDMOS、GaAs和GaN等一系列飞思卡尔射频技术。

　　定价和供货情况

　　AFT27S006N (6 W) 和AFT27S010N (10 W) 现已批量生产。