开关电源中功率MOSFET的驱动技术荟萃

功率MOSFET以其导通电阻低和负载电流大的突出优点，已经成为开关电源（switch-mode power supplies，SMPS）整流组件的最佳选择，专用MOSFET驱动器的出现又为优化SMPS控制器带来了契机。那些与SMPS控制器集成在一起的驱动器只适用于电路简单、输出电流小的产品；而那些用分立的有源或无源器件搭成的驱动电路既不能满足对高性能的要求，也无法获得专用单片式驱动器件的成本优势。专用驱动器的脉冲上升延时、下降延时和传播延迟都很短暂，电路种类也非常齐全，可以满足各类产品的设计需要。

大电流MOSFET栅极驱动器

为中间总线架构（IBA）系统的优化的POL DC-DC转换器、Intel及AMD微处理器的内核稳压器、大电流扁平型 DC-DC 转换器、高频和高效率 VRM 和 VRD，以及同步整流隔离电源等应用都对较大电流的 MOSFET 栅极驱动器提出了迫切需求，这类 MOSFET 栅极驱动器要能够低开关损耗，提高工作效率，同时还要具备故障保护、引脚兼容等诸多特性，以实现系统更多的功能和更高的速度。

Intersil 公司刚刚推出的高频 6A 吸入电流同步（sink synchronous）MOSFET 栅极驱动器 ISL6615 和 ISL6615A就可以满足上述要求。这些新器件有助于为系统安全提供更高的效率、灵活性和更多的保护功能。

以 ISL6615 为例，它采用一种同步整流降压式转换器拓扑结构，是一款专门用来驱动高低功率 N沟道 MOSFET 的高速 MOSFET 驱动器。该驱动器，集成了 Intersil 的数字或模拟多相 PWM 控制器，形成了一款完整的高频和高效率的稳压器。它可以在 4.5 V 至 13.2 V 下驱动高低栅极。其驱动电压可以实现应用所需的包括栅极电荷和导通损耗之间平衡在内的灵活性的优化。

新型驱动器增加了栅极驱动电流（UGATE 的流出和吸入栅极驱动电流为 4A ，LGATE 的吸入和流出电流则分别为 6A 和 4A ），可以缩短栅极电压上升、下降时间。这将最大限度地降低开关损耗并改善效率，尤其是在每相并联功率 MOSFET 的大电流应用当中。

ISL6615 和 ISL6615A 还支持 9.6V 和 12V 输入轨。此外，设计人员可以选择支持3.3 PWM 信号（ISL6615）或 5V PWM 信号（ISL6615A）的器件型号。每个器件都有 12 V 至 5 V 的宽输入电压工作范围，所有器件都与 Intersil 的上一代 ISL6594D 引脚对引脚兼容。

为了提供给系统更高的安全保护，两款产品利用防止过充电的自举电容器、三态PWM输出安全输出级关断、预 POR 过压保护和 VCC 欠压保护等多种保护来实现这个目标。这种对系统安全的关注，加上改善的灵活性和更高的栅极驱动效率，有助于设计人员保持电路板设计的一致性，同时实现诸多改善，并避免使用昂贵的低的 RDS（ON） MOSFET。

此外，ISL6615 还具有先进的自适应零击穿死区时间控制、上电复位（POR）功能，以及多功能栅极驱动电压等特性。这些都有助于实现行业最佳的开关效率，而且无需重新设计电路板。

ESBT功率开关降低能耗、尺寸和成本

意法半导体推出STC03DE220HV ESBT（发射极开关双极晶体管）功率开关，使设计工程师能够提高单相和三相应用辅助开关电源的能效，降低产品的成本、组件数量和尺寸。

STC03DE220HV是额定击穿电压2200V的ST ESBT新系列的首款产品。在电源电压90V AC到690V AC的通用输入转换器中，新产品让设计工程师采用单功率开关的反激式拓扑。使用一个通用的硬件平台，再配合适合的控制器如L6565，ST完整的ESBT产品让设计工程师能够开发最大功率达到250W的准谐振转换器。

高效开关频率高达150kHz，最大额定电流3A，STC03DE220HV可用于各种辅助开关电源，包括商用电表、感应电机逆变器、电焊设备和不间断电源（UPS）。强化的TO247-4L封装是新产品的另一个亮点，8.9mm的爬电距离超出了IEC664-1在最大2200V工作电压下的绝缘要求。

集通态损耗低、来自传统MOSFET的开关频率高、栅驱动设计简易等三大优点于一身，STC03DE220HV利用ESBT技术优化了标准双极晶体管和高压MOSFET。从集电极到源极，STC03DE220HV达到了0.33 欧姆的等效导通电阻，同时还实现了150kHz 的最大开关频率，如此高的工作频率允许设计使用尺寸更小的滤波器。此外，整个裸片尺寸小于同级别电压的高压MOSFET，产品本身就实现了节省成本的目的。ESBT的正方形安全工作区（SOA）还有助于简化电源设计，确保电源在各种环境中都有可靠的性能表现。