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性能优良的混合双路驱动器集成电路

作者:时间:2011-03-18来源:网络收藏

摘要:介绍了德国西门康公司生产的专用新型SKHI21/SKHI22IGBT及MOSFET,并列举了其主要设计特点、主要参数和典型应用电路。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/179430.htm

关键词:;参数选择

 

1 引言

SKHI21/SKHI22IGBT、MOSFET是德国西门康(SEMIKRON)公司生产的专用新型IGBT和MOSFET驱动器。它有2路驱动电路,可以直接驱动IGBT半桥模块,典型工作频率为17kHz。输入为CMOS兼容器,内部有VCE监控和自动关断电路,可提供有效的短路保护。采用变压器隔离技术,驱动多路信号只需一路电源,是UPS、电焊机及逆变器中理想的IGBT和MOSFET驱动用。在驱动半桥模块时,驱动器自动互锁,防止发生直通,并向用户提供“错误(Error)”锁存信号。SKHI21和SKHI22的内部电路结构基本相同,两者的区别在于电路应用对象不同,SKHI21用于驱动西门康公司自己生产的IGBT,而SKHI22可用于驱动各种IGBT模块,但这两者都只能驱动200A以下的IGBT模块。

2 各引脚的排列、名称、功能和用法

SKHI21/SKHI22采用模块式封装,它的封装形式如图1所示,对外引出16个引脚。

图1 SKHI21/SKHI22的引脚排列(引脚向上)

2.1 输入引脚

引脚P7(GND),P14(GND) 控制脉冲输入部分参考地端。使用中与用户脉冲形成部分的地相连。

引脚P8(VIN2),P12(VIN1) 两路互补驱动脉冲输入端。使用中接用户脉冲形成电路的输出,两路输入脉冲间应有一定的互锁时间,以防止同桥臂的IGBT或MOSFET直通。

引脚P9(RTD2)、引脚P11(RTD1) 封锁延迟时间设置电阻的连接端1和2。使用中分别通过一个电阻接工作电源端(引脚P13),设置输出两路驱动信号的封锁延迟时间,以防止在驱动同桥臂上、下两个IGBT或MOSFET时发生直通。

引脚P13(VS) 输入级电源端。接用户驱动脉冲形成级电源端。

引脚P10(ERROR)脉冲封锁信号输入端。低电平有效,该端低电平可封锁输出驱动脉冲,使用中接用户保护电路的输出。

图2 SKHI21/SKHI22的内部结构及工作原理框图

2.2 输出引脚

引脚S1(VCE2)和引脚S20(VCE1) 被驱动IGBT集-射极间压降或被驱动MOSFET漏苍醇间压降监视电压输入端。使用中分别接被驱动半桥IGBT的集电极或MOSFET漏极。由于SKHI21/22内部已有高压快恢复二极管,所以使用中不需再串高压快恢复二极管。

引脚S6(CCE2)和引脚S15(CCE1) 2个被驱动功率开关器件欠饱和保护门槛设置端。使用中分别通过一个电阻与电容的并联网络接被驱动IGBT的发射极或功率MOSFET的源极。

引脚S9(E2)和引脚S12(E1) 输出驱动信号参考地端。使用中分别接被驱动的2个IGBT的发射极或功率MOSFET的源极。

引脚S7(GON2)和引脚S14(GON1) 2驱动脉冲信号输出端。使用中分别通过一个适当的电阻接被驱动的IGBT或功率MOSFET的栅极。

引脚S8(GOFF2)和引脚S13(GOFF1) 被驱动功率开关器件关断速度设置端。使用中,分别通过一个电阻接被驱动的IGBT或MOSFET的栅极。

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