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德州仪器着眼于将嵌入式 FRAM 作为新一代非易失存储器技术

作者:时间:2002-12-06来源:电子设计应用收藏
德州仪器公司 () 已在标准 CMOS 逻辑工艺中生产出64兆位铁电 (FRAM) 芯片,从而将该技术在各种应用领域中确定为嵌入式闪存及嵌入式 DRAM 的经济高效型替代技术。与处理器、外设及其它器件一样,在同一芯片上嵌入内存不仅会降低系统芯片数目及复杂性,而且还能够提高系统性能与数据的安全性。为了降低制造成本、实现超低功耗, 在众多的嵌入式内存中选择了 FRAM。 生产的64兆位 FRAM 器件还拥有迄今为止业界最小的 FRAM 单元,仅为 0.54um2。

VLSI 研究公司总裁 G. Dan Hutcheson 说:“在开发作为新一代嵌入式非易失性内存的 FRAM 方面,TI 已向前迈出了重要的一步。通过采用标准 CMOS 工艺,该内存使 TI 可将非常紧密的内存单元与逻辑器件相集成。由于只需通过非常简单地添加制造工艺便可生产 FRAM,而且还具有其它非易失性内存技术难以抗衡的低成本、低功耗及高性能等优异特性,因此,在便携式应用中使用嵌入式 FRAM也 极具吸引力。”

用于嵌入式应用的 FRAM

FRAM 所具有的快速访问时间、低功耗、小单元尺寸及低制造成本等特性使之可用于程序和数据的应用,从而使它非常适合于无线产品。其它潜在市场应用还包括宽带接入、消费类电子产品及 TI 种类繁多的可编程 DSP。

TI 负责芯片技术开发的高级副总裁兼总监 Hans Stork 说:“我们相信在2005年内,FRAM 有能力成为各种应用领域对非易失性内存需求的理想选择。这有力地证明了,半导体材料研究及创新的产品设计可实现革命性的进步,TI 坚信 FRAM 能够改变嵌入式内存的产品动态。”

TI 最初的 FRAM 测试芯片是采用仅需两个额外掩膜步骤的标准 0.13微米铜线互连工艺制造而成。1.5V 的芯片展示了迄今为止最小的 FRAM 单元,经测量仅 0.54um



关键词: TI 存储器

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